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物理学
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2010年
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1
1.
In掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究
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刘小村
季燕菊
赵俊卿
刘立强
孙兆鹏
董和磊
《物理学报》
2010,59(7):4925-4929
采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同掺杂量下In掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度.计算表明,In的掺杂导致ZnO禁带宽度变窄.随着掺杂量的增大,In
x
Zn
1－
x
O的导带底和价带顶同时下降,但是导带底比价带顶下降得多,这导致了带隙的变窄.此外,In掺杂使晶胞晶格常数增大,这对带隙的变窄也有一定作用.
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