fcc结构过渡金属(100)表面上杂质与吸附原子的相互作用

用Allan的晶体表面模型,导出了紧束缚固体fcc(100)表面格林函数的解析表达式。用格林函数方法,讨论了fcc(100)表面上原子的化学吸附能以及替代杂质与吸附原子相互作用的一般性质。定性地预言了Ni,Pd,Pt(100)表面上过渡金属杂质对吸附H,O影响的趋势。 关键词：     

石英中Al~（3＋）－空穴取向变化弛豫过程中的红外发散响应

基于ａ石英的晶体结构，将红外发散响应模型和双势阱模型应用到含Ａｌ杂质的ａ石英中Ａｌ￣（３＋）－空穴的取向变化弛豫过程，研究其低温介电损耗特性，结果表明Ｔ＜６．５Ｋ时，介电损耗的主要贡献来自于单声子助隧道弛豫过程；Ｔ＞１０Ｋ时，主要贡献来自于热跃迁弛豫过程；而在中间温区，介电损耗是两种过程的迭加，同一弛豫体不同的弛豫过程对应于不同的红外发散响应，还讨论了同一弛豫体引起的超声弛豫损耗。     

ZnS(110)表面原子几何与电子特性的计算

用总能量最小方法，确定了ZnS(110)表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果．利用格林函数的散射理论方法，计算了题ZnS(110)表面的电子结构，与第一性原理的计算结果进行了比较．讨论了晶格弛豫对表面电子特性的影响． 关键词：     

3c-SiC中深杂质能级的A_1,T_2对称波函数

本文采用文献[1—4]所发展的在位缺陷势格林函数方法,计算了3c-SiC中深能级的A_1,T_2对称波函数。第一次给出了波函数随杂质态能量E的变化趋势,和电子占据距缺陷中心最近邻的几个壳层的几率。并给出数量级与实验相符的3c-SiC:B的超精细结构常数的理论值。     

INFRARED DIVERGENT RESPONSE IN ULTRASONIC ABSORPTION IN GeO_2AND B_2O_3GLASSES

In this paper,basing on the theory of the infrared divergent response in ultrasonic absorption inglasses,the condition of existence of the second weaker peak of ultrasonic absorption and the weakerpeak‘s response to ultrasonic frequency in GeO_2 and B_2O_3 glass is studied.The results are in good agreementwith the experimental data.     

含红外发散的低温玻璃超声吸收理论

本文采用红外发散理论和二能级体系模型,讨论玻璃超声吸收在2K温度以下的行为,与现有的隧道二能级模型不同,我们把Bloch方程看作“磁化强度”所满足的宏观方程,方程中所有的物理量都是系综平均值。并且把缺陷态看作处在局域涨落场中的赝自旋,提出了在低温下赝自旋角扩散与温度的关系。我们不但得到与实验符合较好的理论吸收曲线,并且解释了弱照射共振吸收正比于T^-0.7和饱和吸收正比于ω²的实验规律。 关键词：     

Ni,Pd和Pt的表面应力

半经验的修正嵌入原子方法用于Ni，Pd和Pt的低指数面的表面应力计算，得到了与第一原理计算相符合的结果．给出了（110）表面［110］方向的应力是［001］方向应力的两倍左右；阐明了应力各向异性是所有fc金属（110）面的一般特性．预言了Pd和Pt（100）的表面应力的大小． 关键词：     

CdTe(110)弛豫表面电子态的计算

利用形式散射理论，采用次近邻的紧束缚模型计算了CdTe（110）弛豫表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，并给出了表面能带．所得到的结果与实验和第一原理计算结果符合得很好．通过分析表面态的变化，指出表面发生弛豫的原因主要是阴阳离子的p态电子的相互作用加强所致． 关键词：     

散射理论方法应用于重构的β-SiC(100)表面

用Ｐｏｌｍａｎｎ散射理论方法分别计算了理想的和（２×１）重构的β-ＳｉＣ（１００）表面带结构以及层和原子轨道态密度．结果表明，重构的主要影响发生在禁区内，重构的Ｓｉ和Ｃ截断表面都具有半导体性，并且得到的表面带与实验相符．由二聚原子的成键和悬挂键的局域态密度定性地解释了二聚Ｓｉ原子的非对称性和二聚Ｃ原子的对称性     

ZnSe/GaAs(100)界面电子结构的计算

利用形式散射理论的格林函数方法，采用紧束缚最近邻近似下的sp³s模型，计算了ZnSe/GaAs(100)两类界面(Se/Ga和As/Zn界面)的电子结构.分别给出了两类界面的界面带结构和波矢分辨的层态密度及其分波态密度.计算结构表明，在ZnSe/GaAs(100)两类界面的禁带隙中均无界面态，而在其价带区均存在三条束缚的界面带和四条半共振带；通过比较，分析了两类界面的界面态特征及其来源. 关键词：