直流溅射法制备电致变色WO_3膜

采用ＷＯ３陶瓷靶直流溅射制作了电致变色膜．介绍了制膜工艺．分析测试表明，膜有无定形结构；除有正常成分ＷＯ３外，还含有来自衬底及反应室内的微量杂质．电致变色谱响应特性和电化学特性的测量证明，膜的电色活性良好．还对实验结果作了理论分析．     

氢气稀释比例对多晶硅薄膜微观结构和沉积特性的影响

利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICP-PECVD)直接在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜,主要研究了不同氢气稀释比例对薄膜沉积特性和微观结构的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)表征了在不同氢气比例条件下所制备多晶硅薄膜的微结构、形貌,并对不同条件下样品的沉积速率进行了分析。实验结果表明:随着混合气体中硅烷比例的增加,薄膜的沉积速率不断增加;晶化率先增加,后减小;当硅烷含量为4.8%时,晶化率达到最大值67.3%。XRD和SEM结果显示多晶硅薄膜在普通玻璃衬底上呈柱状生长,且晶粒排列整齐、致密,这种结构可提高载流子的纵向迁移率,有利于制备高效多晶硅薄膜太阳能电池。     

感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究

利用感应耦合等离子体(ICP)增强射频磁控溅射技术在Si(111)片和M2钢表面制备了ZrN薄膜，研究了基片的温度和ICP功率对ZrN薄膜的结构以及性能影响.研究发现：在基片温度≤300℃沉积的ZrN薄膜择优取向为(111)；基片温度达到450℃时薄膜出现ZrN(200)衍射峰，ZrN(111)晶面的织构系数明显降低.传统磁控溅射沉积薄膜为柱状结构，当ICP为200 W，基片温度为300℃时沉积薄膜中柱状晶体消失；随着基片温度的升高，N/Zr元素比例降低，并且薄膜的电阻率下降；相对于传统溅射，ICP增强射 关键词： 感应耦合等离子体 磁控溅射 ZrN 微结构     

΢�����ӻ�������������廯ѧ����������Ʊ��ྦྷ�象Ĥ

利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜.研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件.实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62％;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm.