助催化剂Co与单晶MoS_2边缘面区域及离子溅射解理面相互作用

为了阐明Co原子在钼硫化态催化剂表面上的助催化作用,本文利用UPS,XPS和LEED,研究了Co-Mo催化剂活性相的层状硫化物半导体MoS_2单晶边缘面区域的成分较高的表面以及离子溅射解理面上过渡金属Co的亚原子单层淀积过程。在覆盖度为某个亚原子单层时,表面上存在的与淀积上去的Co有关的界面态,改变了E_F能级的钉扎位置(提高了0.30—0.35eV),使表面势垒下降,表面功函数减小。在E_F附近电子结构的明显变化和LEED研究的结果表明,在MoS_2表面的无序缺陷位置上,可能形成了有利于催化过程的Co-Mo-S类合金键型的活性相。     

O_2的化学吸附对2H—MoS_2(0001)清洁表面和离子溅射表面电子结构的影响

利用低能N~ (0.5keV)离子轻微轰击2H-MoS_2(0001)清洁表面,从UPS(HeⅠ,HeⅡ)得到d电子峰向E_F移动,价带顶出现明显的“肩膀”或带尾,它随轰击时间的增加而增强,同时使d_z~2带变宽。UPS的结果表明,这种表面在室温下有明显的O_2吸附活性,O_2吸附后这个肩膀明显下降。结合XPS,AES和LEED的研究,我们认为这个“肩膀”态与次表面原子层的Mo原子的d电子的暴露和最外表面原子层s原子空位缺陷的产生有关。这些新的表面电子态与加氢脱硫(HDS)催化活性中心有密切的关系。     

助催化剂Co与单晶MoS2边缘面区域及离子溅射解理面相互作用

为了阐明Co原子在钼硫化态催化剂表面上的助催化作用,本文利用UPS,XPS和LEED,研究了Co-Mo催化剂活性相的层状硫化物半导体MoS₂单晶边缘面区域的成分较高的表面以及离子溅射解理面上过渡金属Co的亚原子单层淀积过程。在覆盖度为某个亚原子单层时,表面上存在的与淀积上去的Co有关的界面态,改变了E_F能级的钉扎位置(提高了0.30—0.35eV),使表面势垒下降,表面功函数减小。在E_F附近电子结构的明显变化和LEED研究的结果表明,在MoS₂表面的无序缺陷位置上,可能形成了有利于催化过程的Co-Mo-S类合金键型的活性相。 关键词：     

O2的化学吸附对2H—MoS2(0001)清洁表面和离子溅射表面电子结构的影响

利用低能N⁺(0.5keV)离子轻微轰击2H-MoS₂(0001)清洁表面,从UPS(HeⅠ,HeⅡ)得到d电子峰向E_F移动,价带顶出现明显的“肩膀”或带尾,它随轰击时间的增加而增强,同时使d_(z²)带变宽。UPS的结果表明,这种表面在室温下有明显的O₂吸附活性,O₂吸附后这个肩膀明显下降。结合XPS,AES和LEED的研究,我们认为这个“肩膀”态与次表面原子层的Mo原子的d电子的暴露和最外表面原子层s原子空位缺陷的产生有关。这些新的表面电子态与加氢脱硫(HDS)催化活性中心有密切的关系。 关键词：