Ce4+和Eu3+共掺杂的Ca2SnO4发光材料的合成与光谱特性

利用高温固相反应法合成了Ce4 和Eu3 共掺杂的Ca2-xEuxSn1-yCeyO4样品,并对其结构和发光特性进行了研究。X射线衍射结果显示,在Ca2SnO4中同时掺入Ce4 和Eu3 离子没有改变其晶体结构。Ca2-xEuxSn1-yCeyO4样品的发射光谱随Eu3 掺杂浓度产生很大变化,当Eu3 掺杂浓度低时,样品中同时存在着Ce4 -O2-的蓝光发射和Eu3 的红光发射;当Eu3 掺杂浓度较高时,样品呈现出Eu3 离子的红光发射。Ce4 -O2-蓝色发光的寿命约为81μs,其能量来源于O2-和Ce4 离子间的电荷迁移吸收;而Eu3 红色发光的寿命约为830μs,其能量来源于O2-和Eu3 离子间的电荷迁移吸收。Eu3 -O2-键比Ce4 -O2-键更容易吸收紫外光,两者之间没有能量传递现象。     

Sr2 CeO4电荷迁移发光的光谱结构规律研究

利用高温固相反应法分别合成了不同物相形成机理的Sr2CeO4，Sr2CeO4：Ca^2 和Sr2CeO4：Ba^2 样品，并对其光谱特性进行了研究．结果发现，对于由SrO和CeO2直接反应生成的Sr2CeO4(Ⅰ)，激发主峰位于256nm左右；而对于SrCeO4和SrO反应生成的Sr2CeO4(Ⅱ)，激发主峰位于279nm左右．在Sr2CeO4(Ⅰ)中掺入Ca^2 ，其激发光谱随着Ca^2 离子浓度的增加逐渐接近于Sr2CeO4(Ⅱ)的激发光谱．激发主峰带应属于CeO6八面体终端Ce^4 -O^2-键的电荷迁移带．对于激发光谱中340nm左右的弱激发峰，其峰值波长不受形成机理及Ca^2 掺杂的影响，只是其强度随着激发主峰的红移而增加，它可能属于CeO6八面体平面上Ce^4 -O^2-键的电荷迁移带．形成机理及Ca^2 掺杂对发射光谱没有影响．Ca^2 在Sr2CeO4(Ⅱ)与Ba^2 在Sr2CeO4(Ⅰ)和(Ⅱ)中均难于替代Sr^2 的位置．     

MCeO3：Eu^3＋（M=Sr，Ba）的合成及发光性质研究

利用高温固相反应法合成了Eu^3＋掺杂的MCeO3（M=Sr，Ba）发光粉末样品，采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段分别对其物相组成和发光性质进行了研究。X射线衍射结果显示，Eu^3＋离子容易替代MCeO3晶格中M^2＋离子的位置。荧光光谱测试结果表明，Eu^3＋掺杂的SrCeO3和BaCeO3样品在紫外波段存在着非常宽的吸收带，峰值分别位于311和320nm左右，它们属于Ce^4＋-O^2-的电荷迁移带，SrCeO3和BaCeO3基质与Eu^3＋离子之间存在着能量转移。在MCeO3：Eu^3＋样品中，Eu^3＋的发射主要来自于^5D0激发态能级，其中以磁偶极跃迁^5D0-^7F1发射强度为最大；此外样品中还存在着较高的^5D1激发态能级的辐射跃迁。SrCe03：EU^3＋样品的发射强度远大于BaCeO3：EU^3＋样品。     

MCe03:Eu3+(M=Sr,Ba)的合成及发光性质研究

利用高温固相反应法合成了Eu3 掺杂的MCeO3(M=Sr,Ba)发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段分别对其物相组成和发光性质进行了研究.X射线衍射结果显示,Eu3 离子容易替代MCeO3品格中M2 离子的位置.荧光光谱测试结果表明,Eu3 掺杂的SrCeO3和BaCeO3样品在紫外波段存在着非常宽的吸收带,峰值分别位于311和320 nm左右,它们属于Ce4 -O2-的电荷迁移带,SrCeO3和BaCeO3基质与Eu3 离子之间存在着能量转移.在MCeO3:Eu3 样品中,Eu3 的发射主要来自于5D0激发态能级,其中以磁偶极跃迁D0-7F1发射强度为最大;此外样品中还存在着较高的5D1激发态能级的辐射跃迁.SrCeO3:Eu3 样品的发射强度远大于BaCeO3:Eu3 样品.     

Synthesis and characterization of Ca2Sn1-xCexO4 with blue luminescence originating from Ce^4＋ charge transfer transition

Ce^4＋-doped Ca2SnO4 with a one-dimensional structure, which emits bright blue light, is prepared by using a solid-state reaction method. The x-ray diffraction results show that the Ce^4＋ ions doped in Ca2SnO4 occupy the Sn^4＋ sites. The excitation and emission spectra of Ca2Sn1-xCexO4 appear to have broad bands with peaks at - 268nm and -442nm, respectively. A long excited-state lifetime （-83μs） for the emission from Ca2Sn1-xCexO4 suggests that the luminescence originates from a ligand-to-metal Ce^4＋ charge transfer （CT）. The luminescent properties of Ca2Snl_xCexO4 have been compared with those of Sr2CeO4, which is the only material reported so far to show Ce^4＋ CT luminescence. More interestingly, it is observed that the emission intensity of Ca2Sn1-xCexO4 with a small doping concentration （x - 0.03） is comparable to that of Sr2CeO4 in which the concentration of active centre is 100%.     

机械球磨与反应烧结合成Sr2CeO4发光体的研究

Sr₂CeO₄ phosphor was synthesized by mechanical milling and reactive sintering in this work. The solid state reaction of SrCO₃and CeO₂ (2∶1) started at about 850 ℃ and completed at 1 000 ℃ for about 4 h. Two types of formation mechanism of Sr₂CeO₄ were proposed. When the starting powder mixture was fired above 1 000 ℃, the unstable intermediate phase SrCeO₃was developed, which then reacted with SrCO₃to form the final product Sr₂CeO₄, however, SrCO₃and CeO₂ converted directly to Sr₂CeO₄ at a lower temperature. The XRD results showed the crystal structure of Sr₂CeO₄ was orthorhombic. The emission spectra displayed a broad band with maximum at about 465 nm. The mechanical milling of starting power mixture and the sintering temperature had no effect on this emission spectra.     

Sr2CeO4电荷迁移发光的光谱结构规律研究

利用高温固相反应法分别合成了不同物相形成机理的Sr₂CeO₄，Sr ₂CeO₄∶Ca ²⁺和Sr₂CeO₄∶Ba²⁺样品，并对其光谱特性进行 了研究.结果发现，对于由SrO和CeO₂直接反应生成的Sr₂CeO₄(Ⅰ)，激发主峰位于256nm 左右；而对于SrCeO₃和SrO反应生成的Sr₂CeO₄(Ⅱ)，激发主峰位于279nm左右.在Sr₂CeO₄(Ⅰ)中掺入Ca²⁺，其激发光谱随着Ca²⁺离子浓度的增加逐渐接近于Sr₂CeO_{4(Ⅱ)的激发光谱.激发主峰带应属于CeO6八面体终端Ce⁴⁺—O^2-键的电荷迁移 带.对于激发光谱中340nm左右的弱激发峰，其峰值波长不受形成机理及Ca²⁺掺杂的影响，只是其强度 随着 激发主峰的红移而增加，它可能属于CeO6八面体平面上Ce⁴⁺—O2-键的电荷 迁移带.形成机理及Ca²⁺掺杂对发射光谱没有影响.Ca²⁺在Sr 2CeO 4(Ⅱ)与Ba²⁺在Sr2CeO4(Ⅰ)和(Ⅱ)中均难 于替代Sr²⁺的位置.}     

Ce4+离子在Ca2SnO4一维结构基质中的电荷迁移光谱研究

利用高温固相反应法制备了Ca₂Sn_1-xCe_xO₄和Ca_2-ySr_ySn_1-xCe_xO₄一维结构发光体. XPS结果显示 Ca₂SnO₄拥有两种结合能分别为5277 eV和5293 关键词： 2Sn_1-xCe_xO₄')" href="#">Ca₂Sn_1-xCe_xO₄ 2-ySr_ySn_1-xCe_xO₄')" href="#">Ca_2-ySr_ySn_1-xCe_xO₄ 一维结构 电荷迁移光谱     

Eu3+掺杂的Sr2CeO4发光材料的光致发光研究

利用高温固相反应法制备了Eu3+掺杂的Sr2CeO4样品,并对其吸附水前后的光谱特性进行了研究.结果发现,对于刚制备的Sr2-xEuxCeO4+x/2样品, 在Ce4+-O2-的电荷迁移激发中,只有强激发带(～35700cm-1)与Eu3+离子间存在能量传递,而弱激发带 (～29400cm-1)只是引起Ce4+-O2-的电荷迁移发射;在Sr2-xEuxCeO4+x/2样品吸附水后,Eu3+的线状吸收跃迁强度显著增加, Ce4+-O2-两个激发带均向Eu3+离子传递能量. Ce4+-O2-强激发带通过交换作用向Eu3+离子传递能量,而弱激发带与Eu3+离子间的能量传递机理是非辐射多极子近场力的相互作用.     

Sr2CeO4物相的形成机制及其对光谱特性的影响

采用X射线衍射技术分析了SrCO3和CeO2 (摩尔比2∶1)混合粉料经不同温度与时间反应后的物相组成。发现Sr2 CeO4 物相存在着两种形成机制。当烧结温度高于10 0 0℃时,Sr2 CeO4 由中间相SrCeO3和SrCO3反应生成;而当温度较低时,Sr2 CeO4 直接由两种原始粉料反应生成。形成机制的差别对Sr2 CeO4 激发光谱产生明显的影响,由前者形成的Sr2 CeO4 ,强激发峰位于2 80nm左右;由后者形成的样品,强激发峰位于2 5 4nm左右。形成机制的差别对发射光谱峰位没有影响。