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1.
姜晓明  田玉莲 《物理》1990,19(9):550-551
对将用于同步辐射EXAFS 实验站双晶单色器的晶体进行了双晶衍射失谐抑制高次谐波的实验.结果表明,对Si(111)晶体,当双晶衍射失谐到基波强度只有原来的一半时,高次谐波均消失.本文讨论了Si(222)衍射不完全消光的原因.对Si(220)晶体衍射的情况也进行了简要的讨论.  相似文献   
2.
LiNdP4O12晶体的生长缺陷   总被引:1,自引:0,他引:1  
LiNdP4O12(LNP)晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷,观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构,对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述,还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽,分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。  相似文献   
3.
同步辐射硬x射线衍射增强成像新进展   总被引:17,自引:0,他引:17       下载免费PDF全文
对于相位衬度成像的实验方法研究及其在医学、材料等领域的应用研究已成为国际上研究的热点.衍射增强成像方法(DEI)作为其中的一种方法通过测量相位衬度的一阶导数而成像.在北京同步辐射装置(BSRF)4W1A束线上,对衍射增强成像方法进行了研究,并对一系列生物医学样品及材料样品成像,得到了非常清晰的相位衬度图像. 关键词: 衍射增强成像 同步辐射 硬x射线  相似文献   
4.
采用同步辐射单色光形貌术观察了 6H SiC单晶中的微管缺陷 ,发现晶片中Burgers矢量为 1c的螺位错具有较高的密度。此外 ,还观察到对应较大Burgers矢量的微管。基于微管附近的应变场 ,并根据衍射几何 ,模拟计算了一系列具有不同Burgers矢量的微管在形貌像中的直径 ,计算结果与实验观察符合较好  相似文献   
5.
内源全息术的原理和数学描述   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
以往的全息术在对原子成像时,在相干光源、探测器空间分辨和信号强度三个方面遇到了难以克服的困难. 阐述了内源全息术克服这些困难的原理,研究了内源全息术的记录和再现全过程,推导出内源球面全息图的再现公式,并在散射因子球对称近似和能量无关近似下,推导出以δ函数表示原子全息再现像的解析表达式. 关键词: 内源全息术 同步辐射 晶体结构 傅里叶变换  相似文献   
6.
Nd:LuVO4晶体缺陷的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用提拉法生长的Nd:LuVO4晶体是一种适合二极管泵浦的新型激光晶体,运用化学腐蚀结合光学显微术和同步辐射白光X射线形貌术对Nd:LuVO4晶体缺陷进行观察,结果表明:晶体的主要缺陷为位错和小角晶界。利用高分辨X射线衍射仪进一步验证了这一结果。并初步讨论了缺陷形成的原因。  相似文献   
7.
两块晶体衍射增强成像方法研究   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
在北京同步辐射装置4W1A光束线形貌学实验站用两块晶体开展了衍射增强成像方法的实验和理论研究.研究了晶体热膨胀对两块晶体衍射增强成像的影响,分析的结论表明,晶体转轴垂直于同步辐射偏振面能基本避免晶体热膨胀的影响,获得较好的成像质量.实验结果证实了分析的正确性. 关键词: 相位衬度成像 同步辐射 晶体衍射  相似文献   
8.
采用原子力显微镜观测全方位生长的DKDP晶体的{100}面形貌,发现有螺旋位错,由此推断DKDP晶体{100}面以螺旋位错机制生长;利用同步辐射X射线白光形貌术观测了DKDP晶体缺陷,探讨了不同生长条件及生长阶段对晶体完整性的影响。  相似文献   
9.
封面说明     
近几年 ,X射线位相衬度成像技术引起国际上材料、生物、医学等领域的广泛关注 ,也是国际同步辐射装置上研究的热点之一 .该方法建立在X射线折射效应基础上 ,可用于以轻元素为基的材料内部结构的成像研究 ,弥补传统X射线吸收成像的不足 .其独特优势是 :空间分辨率在 μm量级 ,增强弱吸收特征衬度 ,具有对细胞成像能力 ;在硬X射线范围内 ,辐射剂量远小于吸收衬度成像 .它为材料科学、生物医学等领域提供了一个新的重要手段 .北京同步辐射装置 (BSRF)于 2 0 0 1年 6月在国内首次开展了该方面研究 ,发展了同步辐射相位衬度X射线照相术 (成像…  相似文献   
10.
温梯法Al2O3晶体位错形貌分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
用温度梯度法(Temperature Gradient Technique,简称温梯法或TGT法),定向籽晶[0001]方向,生长出φ110mm×80mm Al2O3单晶,晶体完整、透明.采用硼酸钠玻璃液作为Al2O3晶体的化学抛光和化学腐蚀剂,观察了晶体不同部位处(0001)、(112-0)晶片的化学腐蚀形貌相,(0001)切片的位错腐蚀坑呈三角形,位错密度为2×103~3×103/cm2;(112-0)切片位错腐蚀坑呈菱形,位错密度为7×103~8×103/cm2;而且等径生长部位的完整性比放肩处高.利用同步辐射X射线白光衍射实验分析了(0001)晶片的(2-021),(11-01)和(112-0)衍射面内的位错组态.确定了两组位错线的Burgers矢量,温梯法生长的Al2O3晶体中的位错主要是刃型位错.  相似文献   
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