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1.
朱涛  王荫君 《物理学报》1999,48(4):763-768
对射频共溅射法制备的Fe-Al2O3颗粒膜的隧道巨磁电阻效应进行了研究.当Fe体积百分比为45%时,样品的室温磁电阻的变化率(MR)在1T的平行膜面的磁场下可达4.4%.磁测量表明在室温时样品呈超顺磁态.另外,从MR随温度的变化关系曲线可以看出,当温度低于50K时,MR随着温度的下降而显著增加,MR在20K时达到14.9%,4.2K时可达26%,大大超过理论的预期值,这可能与低温下由库仑抑制效应引起的自旋相关隧穿的高阶效应有关.  相似文献   
2.
一种完整测量磁光克尔效应和法拉第效应的方法   总被引:3,自引:0,他引:3  
详细给出了一种测量完整克尔和法拉弟效应的原理和实验装置。该装置简单可靠,安全由计算机控制。利用傅里叶变换方法,实验系统可以在从0.01度至几百度的克尔和法拉第旋转角范围内以及在1.5 ̄6.0eV的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第旋转角范围内以及在1.5 ̄6.0eV的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第效应的绝对值。作为实验测量的例子,给出了MnBiAl合金薄膜样品和GaP块状样品的克尔和法  相似文献   
3.
陈熹  王荫君  梁冰青  王晶  李健 《物理学报》1999,48(13):224-229
利用射频磁控溅射方法制备了非晶TbCo/Si多层膜,并对多层膜的磁性和磁光特性进行了测量.实验发现,随着Si层厚度的增加,非晶TbCo/Si多层膜的饱和磁化强度Ms、垂直各向异性常数Ku、磁光克尔角θK都显著下降.分析认为这是由于在TbCo层与Si层之间的层间互扩散形成了非磁性的Co2Si所致. 关键词:  相似文献   
4.
本文中对CoO与Fe2O3的界面进行了研究,结果表明,简单的CoO-γ-Fe2O3界面对于磁性能基本无影响。分析表明,“复杂的扩散界面”不大可能象以往认为的那样是矫顽力增长的主要原因。矫顽力的增长可能是由掺Co造成的一种体效应而不是界面效应。 关键词:  相似文献   
5.
本文研究了非易态软磁薄膜Fe_(90-x)Co_xZr_(1O)的平面霍耳电压及磁阻随磁场方向、成分和温度的变化规律。采用通常的六探针法进行了测量。结果表明平面霍耳电压和磁阻分别满足经验公式V,=pM~2Isin 2θ和△ρ=cM~2cos 2θ;并给出了V,表达式中的常数项P正比于P~2。此外,样品Co_(90)Zr_(1O)和样品Fe_(79)Co_(20)Zr_(1O)晶化前后的V_y变化正好相反,即富钴成分的样品晶化后,V_y增加,而富铁成分的样品V_y下降。  相似文献   
6.
Pt97.4Mn2.6/Co多层膜的磁性与磁光性质研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
用磁控溅射法制备了Mn含量一定、不同PtMn层厚度的Pt97.4Mn2.6/Co磁性多层膜系列,通过x射线衍射对该多层膜系列进行结构分析;测定了不同PtMn层厚度系列样品的磁滞回线、有效垂直各向异性,分析了饱和磁化强度和有效垂直各向异性变化的原因;通过测定该多层膜体系的克尔谱,分析了一定波长下克尔角随PtMn层厚度变化的规律.认为克尔角的变化是由于界面的合金化以及原子的极化减小所致.  相似文献   
7.
周勋  梁冰青  王海  张臻蓉  陈良尧  王荫君 《物理学报》2003,52(10):2616-2621
用磁控溅射法制备了不同Mn含量的PdMn/Co磁性多层膜,通过x射线衍射对该多层膜系列进行结构分析;测定了不同Mn含量系列样品的磁滞回线、垂直各向异性及磁力显微镜图,分析了饱和磁化强度、磁畴和垂直各向异性变化的原因;通过测定该多层膜体系的克尔谱,简要分析了一定波长下克尔角随Mn含量增加而变化的物理机制. 关键词: 多层膜 磁性 磁光  相似文献   
8.
磁光效应虽是人们所熟知的现象,但近年来由于光通讯、光信息处理等新技术以及激光和薄膜应用发展中的需要,磁光效应的研究日趋增多,也已取得了不少的进展。然而,磁光效应的广泛应用却卡在材料的性能问题上。所以,探索和研究新的磁光材料是当前很重要的任务。另一方面,金属的磁光效应的微观理论还很不完善,因而基础研究也仍需深入进行。 本文介绍我们近来完成的一台磁光效应仪器,并报道用这台仪器得到的一些初步测量结果。  相似文献   
9.
王荫君 《物理学进展》2011,17(2):150-158
本文着重从磁存储出发讨论了磁光存储,硬磁盘存储的现状和未来发展。沿用传统的驱动器,它们的面存储密度的极限大致在10Gbits/in2的量级,这主要是由存储材料性能和信息存取模式(磁头或光头)的限制。为要进一步提高存储密度,需采取类似近场光学、原子力、磁力和扫描隧道显微镜这样的现代手段来进行信息的存储,但要实现,需要一段较长的时间。在磁存储获得发展的同时,非磁的光存储介质的应用得到了开发,主要是CD-ROM(只读式),CDR(写一次)和PD(相变型)。正是磁和光存储介质在信息存储中的应用,使当今信息技术中一重要领域——信息存储显得生气勃勃。  相似文献   
10.
梁冰青  王荫君  陈熹 《物理学报》1999,48(13):35-39
采用高真空电子束蒸发镀膜方法制备了不同结构的Ag-Te多层膜,通过热处理得到了不同自掺杂浓度δ的非磁性Ag2+δTe薄膜.Ag2.1Te薄膜在低温下有很大的负纵向磁电阻,并且出现电阻率和磁电阻的多重峰现象.这可能与Ag的掺杂度δ和测量温度有很大关系,用掺杂的能带理论解释了有关的多重峰现象. 关键词:  相似文献   
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