首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7篇
  免费   17篇
化学   1篇
数学   1篇
物理学   22篇
  2014年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   1篇
  2009年   3篇
  2008年   4篇
  2006年   3篇
  2005年   1篇
  2004年   1篇
  2002年   1篇
  2001年   1篇
  2000年   3篇
  1997年   1篇
  1996年   1篇
  1995年   2篇
排序方式: 共有24条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
利用固相反应方法制备了名义成分为La2 / 3Ca1 / 3Mn1 -xFexO3(0 .0 1≤x≤ 0 .2 0 )的一系列样品 .在整个掺杂范围内晶体结构没有明显变化 .在室温下测量了各样品的M ssbauer谱 ,拟合结果表明 +3价高自旋态的铁离子占据锰的八面体晶位 ,随Fe掺杂量的增加 ,铁离子的 3d电子出现局域化趋势 ,并伴随Fe O配位体畸变程度的增强 .本文对此进行了讨论 .  相似文献   
2.
Conductive perovskite BaPb03 (BPO) films as a potential electrode material of PZT capacitors used in ferroelectric random access memory are prepared by rf magnetron sputtering. An x-ray diffractometer and standard four probe method are employed to investigate the dependence of growth conditions on crystal structure and conductivity of BPO films. It is found that BPO films with perovskite phase can be obtained at substrate temperatures above 425℃, and the sample with the lowest resistivity is obtained at 450℃ under pure argon atmosphere. Using this BPO film as electrode, ferroelectric properties of BPO/PZT/BPO and Pt/PZT/BPO sandwiched structures are evaluated. Their remanent polarization and coercive field are 36.6 ℃/cm^2 (81.3 k V/cm) and 36.9℃/cm^2 (89.1 kV/cm), respectively. The coercive field of the former structure is lower than that of the latter, but remanent polarizations are almost the same. In addition, the results imply that BPO electrode is helpful to improve the fatigue resistance of PZT. The reasons are discussed.  相似文献   
3.
La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
郭冬云  王耘波  于军  高俊雄  李美亚 《物理学报》2006,55(10):5551-5554
利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构,并且提高了Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化值和抗疲劳性能,对La掺杂改善Bi4Ti3O12铁电薄膜性能的机理进行了讨论. 关键词: 铁电性能 4Ti3O12薄膜')" href="#">Bi4Ti3O12薄膜 3.25La0.75Ti3O12薄膜')" href="#">Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜 sol-gel法 La掺杂  相似文献   
4.
La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构,并且提高了Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化值和抗疲劳性能,对La掺杂改善Bi4Ti3O12铁电薄膜性能的机理进行了讨论.  相似文献   
5.
Ba0.8Sr0.2 TiO3/CoFe2O4 (BST/CFO) magnetoelectric composite thin films of 2-2-type structures are prepared onto Pt/Ti/SiO2/Si substrates by a sol-gel process and spin coating technique. The structure of the prepared thin film is substrate/BST/CFO/. . ./CFO/BST. Three CFO ferromagnetic layers are separated from each other by a thin BST layer. The upper CFO layer is magnetostatically coupled with the lower CFO layer. Subsequent scanning electron microscopy investigations show that the prepared thin films exhibit good morphologies and have a compact structure, and the cross-sectional mierographs clearly display a multilayered nanostructure of multilayered thin films. The composite thin films exhibit good magnetic and ferroelectric properties. The spacing between ferromagnetic layers can be varied by adjusting the thickness of intermediate BST layer. It is found that the strength of magnetostatic coupling has a great impact on magnetoelectric properties of composite thin film; that is, the magnetoelectric voltage coefficient of the composite thin film tends to increase with the decrease of pacing between two neighboring CFO ferromagnetic layers as a result of magnetostatic coupling effect.  相似文献   
6.
对La0.7Ca0.3MnO3材料样品在77K至室温范围的一系列温度, 测量了正电子寿命谱和多普勒展宽谱.结果表明在居里温度附近正电子平均寿命和多普勒线形参数S出现明显变化, 反映了此类化合物晶格结构的不稳定性.本文对此进行了讨论.  相似文献   
7.
用Sol-Gel法制备了Pb(1 x)TiO3/PbZr0.3Ti0.7O3/Pb(1 x)TiO3(PT/PZT/PT)夹心结构及PZT铁电薄膜,为了获得高质量的PT/PZT/PT夹心结构铁电薄膜,使用不同过量Pb配比(x)的PbTiO3 (PT)层进行制备,以获得优化的PT子晶层.X射线衍射和原子力显微镜分析结果表明PT层中过量Pb配比(x)对薄膜的微结构影响很大,只有PT层中Pb过量配比x=0.10-0.15的薄膜为表面晶粒大小均匀致密的纯钙钛矿结构.X射线电子能谱对薄膜微区进行元素成分分析表明,对x=0.00的薄膜,在表面和界面处Pb明显的缺乏;而x=0.20时的薄膜,Pb则明显的过量.薄膜的铁电性能、疲劳特性和漏电流特性等电学性能与PT层中过量Pb配比(x)没有明显的变化趋势,但与薄膜的结晶性能密切相关.结晶性能较好的薄膜,其电学性能也较好.说明PT层中过量Pb配比(x)是通过影响PT子晶层自身的结晶,而影响整个薄膜的结晶行为,并进一步影响到整个薄膜的电学性能.因此,在其他工艺参数都相同时,PT层中合适的过量Pb配比应为x=0.10-0.15.优化的子晶层不仅能获得结晶性能较好的薄膜,而且薄膜的电学性能也好.  相似文献   
8.
PT/PZT/PT铁电薄膜的铁电畴和畴壁   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用sol-gel法制备出了具有良好铁电性、纯钙钛矿结构的PbTiO3/Pb(Zr0.3Ti0.7)O3/PbTiO3(PT/PZT/PT)新型夹心结构铁电薄膜.用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式获得了薄膜铁电畴的垂直于膜平面方向(OPP)、膜平面内(IPP)及OPP的相位和幅度图像,结合理论分析指出薄膜的电畴主要由c畴和偏离垂直于膜平面方向上的c畴构成,薄膜取向的复杂性导致了复杂的畴结构.对于[111]取向的薄膜,当偏离垂直于膜平面方向上的c畴在垂直膜平面方向和面内方向都相反时构成180°的畴壁,在垂直膜平面方向上相同、面内方向相反或由垂直膜平面方向上相反、面内方向相同时构成90°畴壁. 关键词: 铁电薄膜 PT/PZT/PT 电畴和畴壁 扫描力显微镜(SFM)  相似文献   
9.
闻心怡  王耘波  周文利  高俊雄  于军 《物理学报》2011,60(9):97701-097701
采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以BaPbO3(BPO)为缓冲层的Pb(Zr0.52,Ti0.48)Nb0.04O3 (Nb掺杂PZT, PZTN)薄膜.通过调整BPO层厚度,为该PZTN薄膜引入了不同的张应力.当BPO层厚度分别为68 nm和135 nm时,PZTN薄膜呈现随机取向,采用2θ-s 关键词: PZT 准同形相界 掠射扫描方式 结构精修  相似文献   
10.
用Sol-Gel法制备了Pb(1+x)TiO3/PbZr03Ti07O3/Pb(1+x)TiO3(PT/PZT/PT)夹心结构及PZT铁电薄膜,为了获得高质量的PT/PZT/PT夹心结构铁电薄膜,使用不同过量Pb配比(x)的PbTiO3 (PT)层进行制备,以获得优化的PT子晶层.X射线 关键词: PT/PZT/PT 夹心结构 子晶 铁电薄膜  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号