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近年来,科研工作者对ZnO纳米材料研究产生了浓厚的兴趣。ZnO是一种具有宽带隙(3.37eV)和较大的激子束缚能(60meV)的六方纤锌矿结构半导体材料。它具有优异的光电、压电、压敏及发光等特性,在发光(激光)二极管、传感器、发光器件、紫外探测器等领域都有非常好的应用前景。至今,有很多非常成熟的实验方法(包括静电纺丝、水热法、溶胶-水热法、化学气相沉积法、旋涂法及电化学沉积法等)用来合成ZnO纳米材料,如纳米线、纳米棒、纳米盘及量子点等。氧化锌纳米结构的制备和性质已得到了广泛的研究,ZnO的可见发光机理一直是研究的热点,但很少有人对可见光范围内的光致发光进行总结。光致发光光谱能反映一些重要信息,如表面缺陷和氧空位、半导体材料的表面状态、光诱导电荷转移过程等。有学者认为ZnO的发光机理与其晶体缺陷有关,还有研究者认为其发光机理与氧空位有关等。通过量子限域效应、带边调制、表面修饰方法、缺陷调控方法等方面综述了ZnO可见区发光机理。 相似文献
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