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1.
2.
烷基季铵盐插层剂的合成及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
Three novel intercalation agents were synthesized for the first time, which arose from oleic acid diethylenetriamine or triethylenetetramine 3 - chloro - 2 - hydroxypropy trimethylammonium choride (CHPTA) and chloroethanol. Organophilic vermicullites were synthesized from sodium type vermiculite by cation exchange with new intercalation agents. The results of X - ray diffraction study showed that the gallery distance of the organophilic vermiculite was enlarged from 1 nm to 5 nm or more. A new idea of making design for intercalation agent was provided. 相似文献
3.
采用高温固相法,在还原气氛下制备出Al2O3/蒙脱土:Eu2+光致发光材料。研究了原料配比、烧结温度、保温时间以及激活剂Eu2+的含量对发光性能的影响。实验结果表明:加入蒙脱土后,所制备的样品仍保持Al2O3的架状结构,晶格常数发生变化,晶体产生畸变,使得Eu2+更容易进入到晶格中。荧光光谱分析显示,发射光谱是两个宽峰组成,对应于Eu2+的4f65d→4f7(8S7/2)宽带允许跃迁。发光机制分析认为,宽峰结构由Eu0.92[Al1.76Si2.24O8]新相产生,生成的新相增加了Eu2+的取代格位,形成新的发光中心。因此Eu2+不仅取代了Al2O3八面体中Al的格位,而且取代了蒙脱土层间所吸附的阳离子格位,使样品发光强度提高了220%。 相似文献
4.
以半胱氨酸为原料,通过一步热解法制备了荧光碳点(CDs),并采用透射电镜(TEM)、动态光散射(DLS)、X射线能谱分析(XPS)、紫外可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(FL)对其进行了表征。结果表明该碳点平均尺寸为3.12 nm,且表现出了良好的荧光特性。银离子能够与碳点结合进而通过光诱导的电子转移有效猝灭碳点的荧光。青霉胺得益于其与重金属离子的配位作用,能够与银离子结合使得后者离开碳点表面从而实现荧光恢复。基于此,我们建立了银离子辅助的碳点荧光点亮型识别青霉胺的新方法。该方法的线性范围为8~500 μmol·L-1,检出限为5.62 μmol·L-1。该荧光体系用于尿液样品测定,回收率在97.17%~102.05%范围内。 相似文献
5.
6.
采用直流反应磁控溅射与高温退火工艺大批量制备了膜厚为200 nm、400 nm及800 nm的2英寸蓝宝石基氮化铝模板,并对高温退火前后不同膜厚模板使用各种表征手段进行对比分析.结果 表明:采用磁控溅射制备膜厚为200 nm的模板经高温退火后晶体质量得到显著提升,退火前后整片(0002)面和(10-12)面高分辨率X射线衍射摇摆曲线半高宽分别从632 ~ 658 arcsec和2 580 ~2 734 arcsec下降至70.9 ~ 84.5 arcsec和273.6 ~ 341.6 arcsec;模板5 μm×5μm区域内均方根粗糙度小于1 nm;紫外波段260 ~280 nm吸收系数为14 ~20 cm-1;高温退火前后拉曼图谱E2(high)声子模特征峰半高宽从13.5 cm-1降至5.2 cm-1,峰位从656.6 cm-1移动至657.6 cm-1,表明氮化铝模板内的拉应力经高温退火后得到释放,接近无应力状态. 相似文献
7.
8.
9.
The performance of a double sided silicon strip detector (DSSSD), which is used for the position and energy detection of heavy ions, is reported. The analysis shows that although the incomplete charge collection (ICC) and charge sharing (CS) effects of the DSSSD give rise to a loss of energy resolution, the position information is recorded without ambiguity. Representations of ICC/CS events in the energy spectra are shown and their origins are confirmed by correlation analysis of the spectra from both the junction side and ohmic side of the DSSSD. 相似文献
10.
First-Principles Calculations of Electronic Structures of New Ⅲ-Ⅴ Semiconductors: BxGa1-xAs and TlxGa1-xAs alloys 下载免费PDF全文
We investigate the electronic structures of new semiconductor alloys BxGa1-xAs and TlxGa1-xAs, employing first-principles calculations within the density-functional theory and the generalized gradient approximation. The calculation results indicate that alloying a small TI content with GaAs will produce larger modifications of the band structures compared to B. A careful investigation of the internal lattice structure relaxation shows that significant bond-length relaxations takes place in both the alloys, and it turns out that difference between the band-gap bowing behaviours for B and TI stems from the different impact of atomic relaxation on the electronic structure. The relaxed structure yields electronic-structure results, which are in good agreement with the experimental data. Finally, a comparison of formation enthalpies indicates that the production Tlx Ga1-xAs with TI concentration of at least 8% is possible. 相似文献