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1.
The enlargement of the emitting aperture is usually one of the important methods of increasing vertical- cavity surface-emitting laser (VCSEL) optical output power. However, in a VCSEL with a larger aperture, the inhomogeneity in the injected current often causes inhomogeneous or even no emission. To solve this problem and to increase VCSEL output power, as well as to improve its thermal characteristics, we develop a new type of injected VCSEL with a larger aperture and a reticular electrode, where the conventional circular injection electrode of the P side is turned into a reticular one, and the heat sink is on the N side. The tests of the new VCSEL show an improvement in homogeneity in not only the injected current but also the emission intensity. The optical output power is also considerably increased, and the device optoelectronic performance is improved.  相似文献   
2.
3.
4.
以谷氨酸为原料合成了四个新型的含糠醛或苯甲醛Schiff碱的氨基酸衍生物,并通过红外光谱、质谱和核磁共振氢谱对化合物的组成及结构进行了表征.  相似文献   
5.
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光二极管结构,采用分子束外延(MBE)方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射,变温(10~300K)光致发光(PL)等方法检测分析了外延薄膜的结构和光电特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长850nm的谱峰,谱峰范围跨跃800~880nm,双晶回摆曲线结果显示了设计的结构得到实现。在注入电流140mA时,器件输出光谱的半峰全宽可以达到26nm,室温下连续输出功率达到6mw。  相似文献   
6.
王玉霞  陈帅  朱晨光 《化学研究》2019,30(3):254-259
本文合成了三种新的萘酰亚胺衍生物,并对其体外抗肿瘤活性进行了评价.初步实验结果表明,以芳基修饰氨萘菲特芳环上氨基所得化合物体外活性不如阳性对照氨萘菲特.而利用1,4-丁二醇修饰4-溴-1,8-萘酐芳环上溴原子得到的化合物3与阳性对照及其它两种衍生物相比对肝癌细胞HepG2具有较低的IC_(50)值.  相似文献   
7.
以聚合物为基础的固定相—GDX业已广泛应用于许多领域中的极性化合物的分析、分离,并已取得良好效果。长期以来各方面总认为这类固定相柱效低。这个问题一直没有得到应有的解决。最近报道刘俊杰等人采用氧化改性的办法使GDX固定相柱效有了较大提高。我们重复了这个实验,并发现其中有不少问题,特别是涉及如何准确  相似文献   
8.
气相色谱中固定相的选择是决定色谱分离效果的关键性问题,迄今尚缺乏完整的理论指导。9-取代基咔唑化合物具有优良的光电导性能,近来已引起人们广泛的注意,但有关这类化合物的气相色谱分析研究尚未见有文献报导,因此在固定相的选择上缺乏借鉴。本文在分离咔唑系列化合物过程中,按照它们的色谱行为,探讨了这些分子的特性,并据此顺利地选出了能达到预期分离效果的色谱柱。  相似文献   
9.
介绍了可逆加成-断裂链转移(Reversible addition-fragmentation chain tansfer,RAFT)活性自由基聚合的反应机理、聚合动力学和特点,对RAFT试剂的选择和制备作了简要介绍,并综述了RAFT聚合的发展动态及应用状况。  相似文献   
10.
在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶凝胶甩膜并经950℃真空(10-3Pa)热解处理法,制备出晶态SiC薄膜.用FTIR,XRD,TEM,RamanXPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质.结果表明制得的是沿(0001)高度择优取向的晶态6H-SiC薄膜.膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长,其最大尺寸约150nm,膜厚约为0.3μm,SiC中的Si/C比约为1.表层有少许污染C(CH和CO)和少量O(Si2O3,CO态氧和吸附氧).从对比实验可知,在热解时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量. 关键词: 碳化硅 薄膜 溶胶凝胶  相似文献   
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