忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink建模及其特性分析

忆阻器、忆容器和忆感器均是具有记忆特性的新型非线性电路元件,也被称为记忆元件.以三种电路元件的通用数学模型为依据,从数学分析的角度,对忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink模型进行了建立.在Simulink模型中体现了记忆元件对历史状态和系统状态变量的依赖性,正确表现出其独特的记忆特性.通过一系列仿真分析,得到了忆阻器、忆容器和忆感器的元件特性,验证了模型的有效性.此外,通过对三者在不同参数、不同激励下的电路特性分析,得到了三种记忆元件等效模型随频率和幅值变化的规律,为以后忆阻器、忆容器和忆感器基于Simulink的仿真研究和应用研究奠定基础.     

界面条件下线型超声相控阵声场特性研究

开展了界面条件下线型超声相控阵声场特性的研究.将带有楔块的超声相控阵问题合理简化为液固界面的情况进行讨论.根据射线声学理论,计算了单阵元在液固界面存在时的辐射声场,进而推导了聚焦法则,得到了超声线型阵在液固界面存在时的声场、位移场表达式.对安装在楔块上的相控阵换能器的辐射声场进行了仿真,并讨论了聚焦对换能器轴向和横向声场的影响,结果表明利用聚焦能提高分辨率和灵敏度,但聚焦区域之外声束性能更差,在实际检测中要合理利用聚焦. 关键词： 超声相控阵 界面 声场 聚焦     

溶胶-凝胶法可控制备氧化锡纳米晶包覆碳纳米管

采用溶胶-凝胶法制备了氧化锡纳米晶包覆的碳纳米管。自由Sn4+离子从稳定的Sn柠檬酸配合物中缓慢释放出来,迁移到碳纳米管上,并在碳纳米管上沉积形成了SnO2纳米晶,沉积过程完全为异相成核方式,在碳纳米管外并没有发现单独的SnO2纳米晶。这种溶胶-凝胶方法还可以用来制备无氯离子污染的、低团聚的纯SnO2纳米晶。     

Implementation of an analogue model of a memristor based on a light-dependent resistor

In this paper,an analogue model of a memristor using a light-dependent resistor(LDR) is presented.This model can be simplified into two parts:a control circuit and a variable resistor.It can be used to easily verify theoretical presumptions about the switching properties of memristors.This LDR-based memristor model can also be used in both simulations and experiments for future research into memristor applications.The paper includes mathematical models,simulations,and experimental results.     

金属元素替换对锌-铜基金属有机骨架材料的光吸收与能带特性的影响

选择常规的锌、铜作为金属离子、对苯二甲酸（BDC）作为有机配体，通过溶剂热法和元素替换法合成出Zn-Cu基MOFs材料。通过XRD、UV-Vis DRS、SEM、FT-IR、UPS和XPS等手段表征和研究，发现Zn（BDC）的光吸收位于紫外光波段（<400 nm），而Cu（BDC）光吸收拓宽至整个可见光波段（500~1 000 nm）。Zn-Cu金属离子均匀分散的产物Zn-Cu-BDC比其它产物具有更宽的光吸收范围、强度和更窄的带隙；不同的合成途径导致Zn-Cu基MOFs材料表现出性质差异。     

A review on the design of ternary logic circuits

A multi-valued logic system is a promising alternative to traditional binary logic because it can reduce the complexity, power consumption, and area of circuit implementation. This article briefly summarizes the development of ternary logic and its advantages in digital logic circuits. The schemes, characteristics, and application of ternary logic circuits based on CMOS, CNTFET, memristor, and other devices and processes are reviewed in this paper, providing some reference for the further research and development of ternary logic circuits.     

电感耦合等离子体质谱测试硫化物中的微量元素

采用多种酸组合消解方法消解硫化物样品,最终选取A:HNO3密闭消解法;B:HCI+HF与HNO3两步消解法对硫化物标准物质GBW07267(黄铁矿)、GBW07268(黄铜矿),GBW07270(闪锌矿)及硫化物标准物质WMS-1a(块状硫化物)样品进行消解,采用ICP-MS测试了39种微量元素.结果表明,HNO3密闭...