灯盏花素在多壁碳纳米管丝网印刷电极上的电化学行为及测定

采用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)研究了黄酮化合物灯盏花素在多壁碳纳米管丝网印刷电极(MWCNT/SPE)上的电化学行为及其测定方法.实验表明,在pH=5.0的HAc-NaAc缓冲溶液中,浓度为5.0×10-4 g/L的灯盏花素在MWC-NT/SPE电极上出现了一对准可逆氧化还原峰,峰电位Epa=0.21 V,Epc=-0.05 V,△E=0.26 V,峰电流ipa=1.18 μA,ipc＝0.205 μA,ipa/ipc=5.76.灯盏花素的DPV氧化峰电流值与其浓度在1.2×10-4～2.8×10-3 g/L范围内呈线性关系(R=0.9990),检出限为1.2×10-4g/L.结果表明,该法测定灯盏花素便捷、可靠、较灵敏.     

微波法制备的茶籽壳基磁性生物质活性炭富集水样中的微囊藻毒素

本实验以茶籽壳为原料,Fe3 O4为磁性添加剂和微波吸收介质,采用微波辅助法制备磁性生物质活性炭(MBAC).实验结果表明,制备MBAC的最佳工艺条件为:50％的H3 PO4浸渍150目茶籽壳粉末,浸渍比为5∶1(V/m),活化后茶籽壳粉末与Fe3 O4的质量比为5∶2,微波功率为500 W.应用扫描电镜(SEM)、透...     

镉在羧基化石墨烯电极上的电化学研究

本实验制备了羧基化的氧化石墨烯,并将其修饰在玻碳电极(GCE)表面制备了羧基化石墨烯/玻碳电极(GO-COOH/GCE),以此为工作电极研究了镉在GO-COOH/GCE上的电化学行为及测定方法。与裸玻碳电极(GCE)相比,GO-COOH膜修饰玻碳电极能显著加强镉的氧化还原峰电流。在pH=4.5的NaAc-HAc缓冲溶液中,镉在GO-COOH/GCE电极上出现1组氧化还原峰,Epa=-0.81 V,Epc=-0.93 V,△E=0.12 V;ipa=8.04μA,ipc=8.54μA,ipa/ipc=0.94。氧化峰电流与Cd2+浓度在5.5×10-7～7.5×10-6g.L-1(r=0.9969)范围内呈良好的线性关系,检出限为2.0×10-7g.L-1。实际样品测定的RSD为1.2%(n=5),平均回收率为101.3%。GO-COOH膜对镉的电化学氧化有明显的催化作用,本法是一种可靠、快捷、灵敏的检测方法,可以用于保健品螺旋藻药片中镉含量的测定。     

间隙尺寸对叶栅气动特性影响的实验研究

本文在低速风洞上对叶顶间隙尺寸为0.036 m的常规直叶栅的间隙中分面和上、下游及栅内的气动参数进行了详细的测量,并与黄洪雁博士对相同叶栅测量的0.023 m间隙尺寸下的实验数据进行了比较。通过对实验结果的分析和讨论,认为叶顶间隙的存在将在涡轮叶栅内引起沿叶高指向上端壁的二次流动,从而改善了下半叶展的流动性能,恶化了上半叶展的流动状态。在较大间隙下泄漏流动更加趋近上端壁,增强了壁面剪切效应,从而使得较大间隙的总压损失大于较小间隙。     

基于纳米粒子和流动注射化学发光的单碱基突变DNA的检测

近年来,大量研究证明人类肿瘤的发生与遗传物质DNA的某些特定区域的突变,以及人类错配修复基因的突变相关.在人体细胞中存在一种能修复DNA碱基错配的安全保障系统(MMR系统),它是由一系列能特异性识别、双向切除并修复错配碱基的酶分子组成,它们对保持遗传物质的完整性和稳定性,避免遗传突变的产生具有重要作用,这些酶分子的合成受人类错配修复基因的控制,如果人类错配修复基因发生突变,则会导致MMR系统功能的紊乱,这正是引发人类肿瘤的一大原因.     

第二类超导体输运临界电流密度的一个临界态模型计算

给出了第二类超导体临界电流密度随样品尺寸及外加磁场变化的一个临界态模型计算。计算中考虑了样品中混合态与迈斯纳态共存的情况。用该模型对Tl2Ba2Ca2Cu3O10样品的实验测量结果进行了模拟计算,并讨论了有关问题。     

高压气冷涡轮内冷通道换热系数准则式的研究

将应用最广的迪图斯-贝尔特和格尼林斯基管内对流换热实验准则式应用于NASA-MarkII高压燃气气冷涡轮叶栅气热耦合换热计算中,同时引入温度差和入口效应的修正因子。计算结果表明,在结构较简单的冷却通道、冷却孔等位置,采用进行修正的换热系数实验准则式能够得出与实验结果较为吻合的计算结果,准则式的应用省略了冷却通道流体域求解工作,避免了冷却通道流体与固体叶片的耦合计算误差和冷却通道边界条件不同给定带来的结果误差,此方法具有一定的工程应用价值。