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1.
王力鸣  侯洵 《光学学报》1992,12(2):68-174
将三阶微扰理论应用于单晶GaAs半导体,结合与实际相接近的能带结构,得到了GaAs中三光子吸收系数的解析式表达式,在考虑了激发电子的逃逸过程的情况下,进而推导了负电子亲和势GaAs光电阴极中三光子光电发射的发射系数的解析表达式.两表达式得到的理论数值分别与用ns量级脉宽、2.06μm波长的激光测得的GaAs中三光子吸收系数和GaAs(Cs,O)光电阴极中三光子发射系数的实验值相比较,吻合较好.  相似文献   
2.
高强度短脉冲激光打靶产生瞬时激光等离子体的电子温度,电子密度及其分布等参数随靶材料原子序数Z的改变而不同,以致激光等离子体辐射的x射线的光子能量和脉冲宽度等均有差别,因而,对这一差别的探讨,对于研究激光等离子体的时间演化及x射线的辐射强度变化的物理过程、激光—x射线的转换情况等提供了线索。而软x射线各种参数的确定,均以对超快软x射线的时间分辩的探测结果为基础的。  相似文献   
3.
红外InGaAsP光电阴极研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文主要对阈值波长可达1.25μm的InGaAsP光电阴极进行了详细的研究。在国内首次实现了在0.5μm~1.25μm波段范围内具有光电响应的半导体光电阴极。用Cs和O2激活后得到的光电阴极在1.06μm处的反射式光电灵敏度为3.4mA/W,量子效率为0.4%。本文还对激活表面及热清洁工艺进行了系统地分析,确定出了最佳的表面清洁温度及时间。  相似文献   
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