Y稳定的ZrO2薄膜双轴取向生长的Monte Carlo研究

本文采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟低能Ａｒ＋离子注入ＺｒＯ２单晶所引起的原子级联碰撞过程．模拟结果表明，Ａｒ＋离子沿［１１１］轴沟道方向入射的溅射率低于沿［１０１］轴沟道方向入射的溅射率，更低于沿非沟道方向入射的溅射率．Ａｒ＋离子沿沟道方向入射的溅射率与非沟道方向入射的溅射率的差别随着Ａｒ＋离子入射能量的增大而迅速增大．因此在薄膜生长的过程中，若用一定能量的离子束以一定的入射角度进行轰击，薄膜中那些低指数晶向对准离子入射方向的晶粒，其溅射率和损伤程度较小．这些晶粒能保存下来并继续生长，而其它的晶粒由于其溅射率和损伤程度较大生长受到抑制．在薄膜生长的过程中，溅射率最少的晶粒由于生长速度较快，最终抑制了其它取向晶粒的生长．该模拟计算定性地说明了由于晶粒溅射产额的各向异性导致了Ｙ稳定的ＺｒＯ２薄膜具有单一的取向和平面织构．     

用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢＣＯ膜,它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ,０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力     

N,N-二[4-(9H-9-咔唑基)苯基]-3,5-二溴苯胺的合成

以3,5-二溴苯胺,碘苯和咔唑为原料,经取代和Ullmann反应合成了一个新的含咔唑三苯胺化合物——N,N-二[4-(9H-9-咔唑基)苯基]-3,5-二溴苯胺,其结构经1H NMR,13C NMR和ESI-MS表征。