溅射原子角分布与靶点表面形貌的关联研究

27keV的Ar⁺离子垂直轰击处于不同温度的Cd靶,用捕获膜技术和Rutherford背散射谱仪(RBS)测定溅射原子角分布,并对所有样品的靶点形貌进行扫描电子显微镜(SEM)观察。结果发现,所有的角分布都呈over-cosine形状,但是在极角为0°处实验值与cosine值的偏离△,是不同的,在靶温度为150℃时的偏离△_T小于在室温时的偏离△_R,亦即△_T<△_R,提出一个简单的模型对这种溅射角分布 关键词：     

同位素择尤溅射角分布研究

本文从理论和实验两个方面探讨了同位素溅射角分布问题。从实验上得到的同位素溅射角分布曲线表明,在垂直靶面方向轻同位素择尤溅射,而在倾斜方向,则重同位素择尤溅射。在理论上考虑了原子级联碰撞过程中的能量和动量传输的不对称性,给出了一个与实验结果相符的同位素溅射角分布表达式。 关键词：     

三元合金Cu76Ni15Sn9的离子溅射研究

在２７ｋｅＶ Ａｒ⁺离子轰击时,用收集膜技术结合俄歇谱仪（ＡＥＳ）,研究了三元合金Cu₇₆Ni₁₅Sn₉系统的择优溅射行为。同时使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）与电子探针微分析（ＥＰＭＡ）．观察了靶点表面形貌变化并测定了形貌特征微区的合金组份原子的相对百分浓度。结果表明,Ｃｕ原子较Ｎｉ原子、Ｎｉ原子较Ｓｎ原子,在所测定范围（０─６０°）内择优发射。最后讨论了靶点表面形貌特征和“元素局域富集”现象对择优溅射过程的影响。 关键词：     

离子轰击引起的表面形貌对Ag的溅射产额的影响

用捕获膜技术和卢瑟福背散射(RBS)谱仪测定Ag靶在27keV Ar⁺离子轰击下的溅射原子角分布,从而确定不同剂量下Ag的溅射产额,并对其靶点表面形貌进行扫描电子显微镜(SEM)观察。结果发现,所有的角分布都呈over-cosine形状,但其溅射产额却随着表面形貌不同而不同。根据溅射产额Y与轰击离子入射角φ变化关系,讨论不同轰击剂量下溅射产额的差别,肯定了表面形貌是影响溅射产额的一个重要因素,并由此提出“表观产额”的新概念。 关键词：     

B掺杂对Ni原子溅射产额的影响

用卢瑟福背散射技术研究了Ni基体中掺B对离子溅射产额的影响。实验结果发现掺B后Ni原子的溅射产额Y比未掺B的纯Ni样品有明显减少。虽然这种溅射产额差值ΔY与Painter和Averill(P-A)理论模型分析结果定性符合,但实验产额减小值却大于P-A模型的预言。为解释实验结果,注意到溅射靶点表面形貌对减小或增大溅射产额的明显作用,认为实际的产额减小很可能是由于结合能和表面形貌等因素的协同效应。 关键词：     

NiPd合金在升温过程中择尤溅射的研究

用卢瑟福背散射技术,测定了NiPd(48.2wt%Pd)合金在不同温度时的溅射原子角分布,从而确定了Ni和Pd原子的部分产额随样品温度的变化关系。结果发现:Ni和Pd的部分溅射产额在居里温度附近均有较大变化,而且Pd的产额变化幅度比Ni的变化幅度大;Ni是择尤溅射元素,但是在磁相转变过程中,其择尤溅射程度却随样品温度的升高而减小。经讨论后指出,上述现象可能是由于在磁相转变过程中原子表面结合能减小和离子轰击引起的表面偏析共同引起的。 关键词：     

Al-50wt% Sn合金的离子溅射研究

用捕获膜技术和卢瑟福背散射(RBS)分析,测定Al-Sn多相合金在30keV Ar⁺离子轰击时Al和Sn的溅射原子角分布。溅射后的样品用扫描电子显微镜(SEM)进行观察,并用电子微探针分析仪(EPMA)对轰击样品(靶点)和未轰击样品作成分分析。结果表明,Al的溅射原子角分布近于cosine形状,而Sn却是over-cosine型角分布。本文给出一个按不同表面形貌特征划分的各元素富集区i进行叠加的产额表达式,Y(θ)=∑Y_i(θ),解释了实验结果。 关键词：     

Al-Sn合金表面元素深度分布的局域性

利用微束卢瑟福背散射能谱（Ｍ－ＲＢＳ）分析方法，对Ａｌ₇₀Ｓｎ₃₀合金表面的两种微相区（Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区），在２７ｋｅＶＡｒ⁺离子轰击（总剂量为１.４×１０¹⁸Ａｒ⁺／ｃｍ²）前后，分别测定了Ｓｎ原子的深度分布。实验结果表明，在Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区之间，以及各相区在离子溅射前后，Ｓｎ原子浓度深度分布曲线是不相同的。     

28Sin-(n=1,2)离子对Ag表面的溅射研究

用原子捕获膜技术结合卢瑟福背散射谱,测定了具有相同原子能量(16keV/原子)的~(25)Si_m~-(n=1,2)离子冲击Ag靶的溅射原子角分布。结果表明,~(26)Si_1~-冲击引起的Ag原子角分布较~(25)Si_2~-冲击在小发射角θ(Ag原子发射方向与靶表面法线方向之间的夹角)区有更大的增强。结合扫描电子显微镜对靶点表面的分析,我们认为这种角分布变化,可能暗示必须考虑靶点表面形貌特征差别的影响。 关键词：     

Al—Sn合金表面元素深度分布的局域性

利用微束卢瑟福背散射能谱（Ｍ－ＲＢＳ）分析方法，对Ａｌ₇₀Ｓｎ₃₀合金表面的两种微相区（Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区），在２７ｋｅＶＡｒ⁺离子轰击（总剂量为１.４×１０¹⁸Ａｒ⁺／ｃｍ²）前后，分别测定了Ｓｎ原子的深度分布。实验结果表明，在Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区之间，以及各相区在离子溅射前后，Ｓｎ原子浓度深度分布曲线是不相同的。