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1.
尼尔斯·亨利克·阿贝尔是挪威著名的数学家 ,在他不满 2 7年的短暂人生中 ,在代数方程论、椭圆函数论、无穷级数等数学研究领域做出了卓越的贡献 .他是椭圆函数论的奠基人 ,他的数学思想对后人产生了深远的影响 .阿贝尔于 1 80 2年 8月 5日出生于挪威农村的一个牧师家庭 .因为请不起家庭教师 ,只能靠父亲在家中教他学习识字和算术 .阿贝尔的母亲是一位乐观要强的人 ,她对阿贝尔的性格影响很大 .少年时代的阿贝尔迷恋数学 ,喜欢在数和形的知识海洋里遨游 .在他 1 3岁时被送进一所教会中学学习 ,他的数学老师霍姆博不仅博学、和善 ,而且注重… 相似文献
2.
3.
发展有碱玻璃纤维的意义在整个玻璃纤维工业中,产量所占比重最大的是无碱铝硼硅酸盐玻璃纤维(简称无碱玻璃纤维)和有碱无硼硅酸盐玻璃纤维(简称有碱玻璃纤维)二种。其他如无碱无硼和石英玻璃纤维等,所占比重就较小。这 相似文献
4.
在数学竞赛中经常遇到函数的复合最值问题,即在最大值中求最小值,或在最小值中求最大值.若是一元多个函数的复合最值,常用数形结合的方法解决;若是多元一个函数的复合最值,可以针对不同的变元逐一研究函数的复合最值;若是多元多个函数的复合最值问题,宜采用整体思想来解决.此类问题复杂、抽象而且综合性强,因此有必要探索函数的复合最值问题的解题策略. 相似文献
5.
水热法可控制备铋铁系化合物材料 总被引:1,自引:3,他引:1
本文以Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O为反应原料,以NaOH为矿化剂, 利用水热方法制备出几种纯相的铋铁系化合物材料,通过调节NaOH的浓度范围可以很容易的控制铋铁系化合物的物相。在NaOH浓度为0.1~0.4 mol·L-1区间,可以得到立方相的软铋矿Bi25FeO40,当NaOH浓度提高到0.8~2.0 mol·L-1区间,可以得到六方钙钛矿结构的BiFeO3,再提高NaOH浓度至8.0 mol·L-1以上可以得到正交相的Bi2Fe4O9,在NaOH浓度为12.0 mol·L-1时可以获得纳米片状Bi2Fe4O9。同时探讨了铋铁系化合物的生长机理。 相似文献
6.
多异戊烯基取代的苯甲酮类化合物存在于多种藤黄科植物中, 具有多种显著的生物活性. 为了进一步发现生物活性成分, 对藤黄科藤黄属植物云南山竹子的枝条和果实进行了研究, 从中分离得到了两个多异戊烯基取代的苯甲酮类化合物, 其中一个为新化合物. 经多种波谱方法确定了两个化合物的化学结构, 一个新化合物命名为藤黄酮K, 另一个化合物为Cambogin. 相似文献
7.
用真空镀膜方法制备了含有单个CdS缺陷层的具有不同周期和结构参量的TiO2/SiO2一维光子晶体。用抽运一探测技术研究了CdS缺陷层的双光子吸收(TPA)现象。实验结果表明:一维光子晶体中CdS缺陷层的双光子吸收显著增强。不同周期和结构参量的一维光子晶体中CdS缺陷层的双光子吸收系数不同。双光子吸收的增强来源于由光局域化导致的缺陷层的电场强度的增加。缺陷层电场强度与一维光子晶体的结构有关,如周期,光子带隙的位置与宽度及缺陷模式等因素都会影响缺陷层电场强度。采用四分之一波长的高低折射率介质层和与入射波长匹配的缺陷模可以得到最大的缺陷层电场强度。 相似文献
8.
采用直流磁控反应溅射方法,通过调节氧分压在玻璃基底上制备了不同载流子浓度的掺Mo的ZnO(ZMO)透明导电薄膜.应用太赫兹电磁波时域光谱技术研究了ZMO导电膜的太赫兹电磁波透射性质及介电响应,得到了与频率相关的电导率、能量吸收和薄膜折射率,实验结果与经典Drude模型相符很好.ZMO导电膜的太赫兹电磁波脉冲透射性质表明,通过调节ZMO薄膜的载流子浓度,该导电膜可作为应用于衬底和光学器件等太赫兹电磁波频率范围的宽带抗反射涂层.
关键词:
太赫兹电磁波光谱
薄膜电导率
宽带抗反射
透明导电薄膜 相似文献
9.
设计了一种以聚合物作为材料的低损耗、宽带宽的Mach—Zehnder光波导调制器。分析了调制器的脊波导的模式特性,设计了脊波导的结构,并使用BPM软件模拟了脊形波导的光场分布;通过对光场分布的分析,优化了脊形波导的宽度Wg,脊高6,芯层高度H。同时对聚合物调制器的电极进行了优化,包括电极宽度W和电极间距D,使得调制器有较小的导体损耗以及较好的阻抗匹配。并结合了脊波导的结构参数和电极的优化参数,给出了优化结果,它能够使微波的有效折射率与光波的有效折射率达到匹配,从而使带宽达到177GHz,导体损耗为0.2569dB/cm·GHz1/2。 相似文献
10.
双缺陷模一维光子晶体的双光子吸收增强研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用真空镀膜工艺制备了具有762 nm和800 nm双缺陷模的含两个CdS缺陷层的TiO2/SiO2一维光子晶体,运用抽运探测技术测量了其双光子吸收。对于两个缺陷模,双光子吸收均得到很大的增强,其中缺陷模为800nm时的双光子吸收系数307 cm/GW要大于缺陷模为762 nm时的116 cm/GW,分别为单层CdS薄膜的48倍和18倍。这种双光子吸收的增强是由于光局域化导致一维光子晶体缺陷层内的电场强度增大而形成的。通过传输矩阵法计算了一维光子晶体的内部场强,发现800 nm波长光入射时缺陷层内的电场强度要大于762 nm波长光入射时的电场强度值。 相似文献