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1.
2.
对Co100-xMnx合金在GaAs(001)表面的分子束外延生长、晶体结构和磁学性质进行了研究.结果表明,当0100-xMnx合金薄膜是体材料中不存在的体心立方(bcc)结构,并且具有较强的铁磁性,当44100-xMnx合金薄膜最初为bcc结构,随着厚度的增加,逐渐从bcc向面心立方(fcc)结构转化,最后成为完全的fcc结构,薄膜具有较 关键词:  相似文献   
3.
Rietveld全谱拟合表征掺杂ZnO陶瓷   总被引:3,自引:1,他引:2  
通过Rietveld合谱拟合对掺杂多物相ZnO陶瓷的物相定量组成,所含尖晶石相的化学配比、晶粒大小和残余应和等结构参数同时进行了表征,即快又准,研究结果表明,掺杂ZnO陶瓷以保持原晶格常数和没有其它元素掺杂的较大颗粒的ZnO相淡主体,主分散的Bi2O3相与尖晶石相晶粒分散于ZnO晶粒间,尖晶石相的元素随产的掺杂组分配比不同而不同,利用全谱拟合精修确定了它们的元素组成。  相似文献   
4.
以多晶衍射中的从头结构测定对其数据收集与处理的要求为依据,获得[Co(NH3)5Br]-Br2配合物的精密X射线粉末衍射谱的方法,总结了指标化实验中的问题与对策,得到标题配合物的正交晶系(空间群为Pnma或Pn21a),晶胞参数:a=1.3710(1)um,b=1.0715(1)um,c=0.6947(1)um,V=1.0206(1)um3,Z=4,Dx=2.50g·cm(-3),F(30)=81(0.0071,52),M(20)=41.  相似文献   
5.
用分子束外延生长了23周期的Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格,用计算机控制的衍射仪(Cu K_α辐射)测量了X射线衍射曲线,共观察到13级超晶格结构的衍射峰。超晶格的周期和Ge平均含量可以根据考虑折射修正的布喇格定律得出。用光学多层膜反射理论分析衍射曲线可以确定超晶格的结构参数,第2级衍射峰与第一级峰的强度比对应于超晶格两种材料的相对厚度变化非常灵敏,通过比较实验和计算的I_2/I-1值,可以确定Si,Ge_xSi_(1-x)层的厚度以及合金组份x。用光学多层膜反射理谁计算得到的衍射曲线与实验曲线趋于一致。  相似文献   
6.
作者研究在不同反应混合物系统中ZSM-5沸石的自发结晶作用与非自发结晶作用时发现,含甲胺的系统比含其他有机碱的系统更容易生成丝光沸石。通过对甲胺-Na_2O-SiO_2-Al_2O_3-H_2O反应混合物系统的自发结晶的进一步研究,作出了配比-产物组成图。结果表明,在甲胺系统中,含氮的丝光沸石,即甲胺-丝光沸石(MA-Md),能在相当宽的配比范围内生成。MA-Md虽然与丝光沸石(NaM)骨架结构相同,但它的阳离子中约有一半系甲胺离子。它的某些性质也不同于NaM,例如:硅铝比提高;晶格收  相似文献   
7.
GexSi1-x/Si超晶格的X射线小角衍射分析   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
用分子束外延生长了23周期的GexSi1-x/Si超晶格,用计算机控制的衍射仪(CuKa辐射)测量了X射线衍射曲线,共观察到13级超晶格结构的衍射峰。超晶格的周期和Ge平均含量可以根据考虑折射修正的布喇格定律得出。用光学多层膜反射理论分析衍射曲线可以确定超晶格的结构参数,第2级衍射峰与第一级峰的强度比对应于超晶格两种材料的相对厚度变化非常灵敏,通过比较实验和计算的I2/I1值,可以确定Si,GexSi1-x层的厚度以及合金组份x。用光学多层膜反射理谁计算得到的衍射曲线与实验曲线趋于一致。 关键词:  相似文献   
8.
GaN异质外延的离子化氮源方法   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用电离N产生的离子束作为外延生长氮化物的N源已获得成功,在GaAs(100)衬底上长出了具有立方结晶的GaN薄膜,其(200)X射线衍射峰宽仅23′。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方GaN的表面光学声子出现在损失能量为82meV处. 关键词:  相似文献   
9.
以碳酸盐,氧化物为原料,生成 YBa_2Cu_3O_7的固相反应历程,在升温过程(750℃→950℃)及等温过程(956℃)中是不同的.在升温过程为反应历程(Ⅰ):BaCO_3+CuO→BaCuO_2+CO_2↑,BaCuO_2+Y_2O_3→Y_2BaCuO_5,Y_2BaCuO_5+3BaCuO_2+2CuO+(1/2)O_2→2YBa_2Cu_3O_7在等温过程,混合存在着两个反应历程,即如上之(Ⅰ)及(Ⅱ):BaCO_3+Y_2O_3→Y_2BaO_4+CO_2↑,Y_2BaO_4+CuO→Y_2BaCuO_5,Y_2BaCuO_5+3BaCuO_2+2CuO+(1/2)Q_2→2YBa_2Cu_3O_7  相似文献   
10.
EXAFS(Extended X-ray Absorption Fine Structure的缩写,中文译为扩展X射线吸收谱)是七十年代发展起来的一种研究物质局部结构的方法,它可以测定吸收原子周围的配位结构,也就是测定配位原子的种类、数量、距离和热扰动等结构信息。由于晶态、非晶态、液  相似文献   
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