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1.
针对传统大功率Si,GaAs固态微波源效率低和高温度性能差的不足,采用导热系数优良的宽禁带GaN单元功放模块集成、低损耗同轴波导径向空间功率合成方法,研制出一种1.2kW全固态C波段高效率宽禁带GaN微波源。实验结果表明:该方法实现了大功率固态微波源高效率及连续长时间高温风冷散热运行,系统安全可靠。单路功放模块集成6位移相器,移相精度5.6°,增益35dB,输出功率大于31W。系统连续波输出功率1.2kW,总效率30%,谐波抑制-54.8dBc;杂散-63.69dBc,相位噪声-94.03dBc/Hz@1kHz。  相似文献   
2.
新型半导体开关高压电磁脉冲产生技术   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
基于独特结构和物理特性的两类高性能新型高压半导体开关漂移阶跃恢复二极管和快速离化开关,提出一种新型高功率高压纳秒电磁脉冲产生方法,其技术路径是通过高压漂移阶跃恢复二极管开关将高贮能电感能量向高压快速离化开关及负载转移,产生高功率、高重复频率纳秒电磁脉冲,并用实验验证该方法在高重复频率(120,200,300 kHz)下产生高功率、高重复频率纳秒脉冲的有效性,输出脉冲电压分别为1.62,1.41,1.36 kV。  相似文献   
3.
设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为开关的高压脉冲电源。采用自匹配传输线结构线路形式,串联多个以光纤信号隔离触发的MOSFET作为高耐压开关,在传输线的外皮产生2个纳秒脉冲,再用传输线变压器对2个纳秒脉冲进行功率合成,在200 Ω负载上输出了幅度20 kV,重复频率20 kHz,脉冲宽度约40 ns的脉冲。分析脉冲源装置结构,对实验装置建立仿真模型,阐述了输出波形畸变的原因,给出了影响输出脉冲波形特性的因素,为下一步优化波形工作提供了理论参考。  相似文献   
4.
多路窄脉冲功率线路合成   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
介绍了传输线变压器的结构特点,对其进行了理论分析和实验研究。采用传输线变压器结构将每路幅度约为4.5 kV/50Ω的4路脉冲合成了幅度约8.8 kV/50Ω的脉冲,通过实验证实了采用多根传输线串并联方式构成的传输线变压器装置可以将多路窄脉冲进行线路功率合成。应用此类结构设计了一种紧凑的高压窄脉冲发生器,将36路8 kV/50Ω的脉冲合成了约46 kV/50Ω的脉冲。采用传输线变压器合成器,应确保各路输入脉冲的前沿抖动足够小和高精度同步。  相似文献   
5.
目前,大功率的超宽带脉冲源大都不是全固态的,出于不同的参数和应用均采用一些气体或液体来满足超宽带脉冲源的某些技术参数,脉冲源的体积庞大,实际应用中受到体积和重量双重限制。而全固态超宽带脉冲源的优点是整个系统均为固态且结构简单、体积小、重量轻、机动性能好、应用灵活、易生产,文中利用实战中更容易接近对方电子设备实施干扰。在全固态超宽带脉冲源,在不影响脉冲源整体性能的情况下,对脉冲源作进一步改进,使其更小型化。通过大量的调试实验后发现采用级联(串联结构)和单元多路(并联结构)功率合成能使脉冲源的体积减小,且性能更稳定,输出功率也有很大提高。  相似文献   
6.
早期国内外研究的窄脉冲源重频低(几十至几百赫兹)、峰值电压小;近10年来发展起来的全固态高重频高压窄脉冲源,电压大(可达到3kV)、峰值功率高、重频可达10^5赫兹量级。  相似文献   
7.
 介绍了全固态高压快速离化半导体开关(FID)的工作原理和半导体结构,实验研究了在不同外偏置电压下的输出脉冲幅度特性和脉宽压缩特性,并对实验研究结果进行分析。在50 Ω负载下,将一输入脉冲幅度1.7 kV 、脉宽4 μs、重频2 kHz高压脉冲,通过FID压缩成脉冲幅度1 985 V、脉宽90 ns、重频2 kHz的高压脉冲。  相似文献   
8.
本文设计了一种适合于机载和弹载平台的小型超宽带天线,要求能辐射高频窄脉冲信号的宽频带能量。考虑到该天线所要求的小型轻便等要求,采用了自互补结构的天线。  相似文献   
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