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采用射频共溅射方法制备了FezZn1-xO（x=0．80,0．86,0．93）非晶薄膜,该薄膜具有较强的室温铁磁性,制备态的Fe093Zn0．07O的饱和磁化强度Ms可达333．29emu／cm3,磁性能是各向同性的．与多晶的FezZn1-xO（z≤20％）不同的是样品出现了明显的异常霍尔效应（AHE）,样品均为n型半导体,载流子浓度约为10^19-10^20cm^-3．退火后的样品在低温222K下存在着电阻极小值现象．薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖的电子变程跃迁机理,上述实验结果表明高Fe含量的非晶FeZnO体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能． 相似文献
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采用固相反应法制备了Cu掺杂ZnO样品.在室温下Cu含量3%的样品在室温下表现为铁磁性.样品为n型半导体,载流子的浓度为1015cm-3.利用密度泛函理论(DFT+U)计算了CuZnO体系的Cu2+—O2-—Cu2+,Cu2+—Vo—Cu2+,Cu2+—Vo+—Cu2+,Cu2+—V++o—Cu2+磁交换耦合作用,给出了不同束缚电荷的氧空穴Vo与Cu2+离子之间的超交换机理,提出了CuZnO体系中铁磁性机理为Cu2+—V++o—Cu2+束缚磁极化子模型. 相似文献
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