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1.
本文中对CoO与Fe2O3的界面进行了研究,结果表明,简单的CoO-γ-Fe2O3界面对于磁性能基本无影响。分析表明,“复杂的扩散界面”不大可能象以往认为的那样是矫顽力增长的主要原因。矫顽力的增长可能是由掺Co造成的一种体效应而不是界面效应。 关键词:  相似文献   
2.
观察到还原SrTiO3表面三价Ti离子引起的表面态的存在。分析了它在太阳光分解水中所起作用,以及光照在恢复活性中的作用。 关键词:  相似文献   
3.
用不同能量的Ar+和H+轰击WO3表面,观察到W4f峰的位移和加宽。通过谱分解处理得到相应于W4f电子的W6+,W4+和W03个不同的双峰。用表面产生氧缺陷的机理解释了还原过程。UPS谱显示出氧缺陷的存在增加了靠近费密能级处的态密度。H2O的吸附结果说明WO3表面的活性与W5+< 关键词:  相似文献   
4.
本文用光电子能潜技术对蓝色氧化钨的表面价态进行了一系列研究。结果表明:蓝色氧化钨并不是单一价态的氧化钨,而是由W+5和W+6两种价态组成。氩离子刻蚀,真空高温处理都是一个失氧还原过程,也是钨由高价态向低价态的转变过程。同时,费密能级附近的态密度随着价态变低而逐渐增加。 关键词:  相似文献   
5.
为了阐明Co原子在钼硫化态催化剂表面上的助催化作用,本文利用UPS,XPS和LEED,研究了Co-Mo催化剂活性相的层状硫化物半导体MoS_2单晶边缘面区域的成分较高的表面以及离子溅射解理面上过渡金属Co的亚原子单层淀积过程。在覆盖度为某个亚原子单层时,表面上存在的与淀积上去的Co有关的界面态,改变了E_F能级的钉扎位置(提高了0.30—0.35eV),使表面势垒下降,表面功函数减小。在E_F附近电子结构的明显变化和LEED研究的结果表明,在MoS_2表面的无序缺陷位置上,可能形成了有利于催化过程的Co-Mo-S类合金键型的活性相。  相似文献   
6.
近年来,随着纳米科学的迅猛发展,对定向生长的纳米碳管、半导体、氧化物及金属纳米线、管等无机材料的制备引起人们广泛的关注.然而对定向生长的聚合物纳米结构材料如聚合物的纳米管、线等的制备,却未见报道.最近,德国马普微结构研究所通过模板法制得了具有取向一致的聚合物纳米结构材料,该材料在化学传感器、药物输送以及微环境研究等方面具有广泛的应用前景.  相似文献   
7.
本文利用Ar+轰击正分的α-Fe2O3表面,证明了轰击后的表面呈类FeO性质,存在Fe++。提出了由于表面Fe++的3d电子的催化作用,Fe++能把吸附在它上面的H2O先分解成OH-和H+,因而有助于提高光解水的效率的看法。用UPS和XPS等技术证实了类FeO表面吸附水后存在OH-,确认Fe++关键词:  相似文献   
8.
用低能电子衍射研究氢在Si(100)表面吸附引起的相变   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
胡晓明  林彰达 《物理学报》1996,45(6):985-989
描述了用低能电子衍射(LEED)研究不同温度下在Si(100)-c(8×8)表面吸氢引起的一系列相变过程。实验发现:在液氮温度下,在Si(100)-c(8×8)表面连续吸氢将引起表面经Si(100)-(4×1)-H向(2×1)-H最终向(1×1)-H转变;而在从700℃到室温间的不同温度下饱和吸氢,实验中观察到:Si(100)-c(8×8)表面将先转变至Si(100)-c(4×4)-H,然后至(2×1)-最终至(1×1)-H。  相似文献   
9.
虞心南  张青哲  谢侃  齐上雪  康瑾  林彰达 《物理学报》1983,32(10):1333-1338
本文用UPS,XPS研究了贮氢材料MlNi5(Ml=La,Ce,Pr,Nd)的CO,O2和H2O的中毒,在UPS谱中,我们观察到在EF以下峰α(0.3eV)和峰b(1.2eV)强度随中毒气体暴露量增加有显著变化,并向低动能端位移,逐渐形成肩峰,与此同时,峰c(6eV)和峰d(9.5eV)的强度随暴露量增加而增加,并有能量位移,配合XPS分析,分别确定相应的化学态。氧中毒后的MlNi5,经300℃加氢还原,从UPS谱可以看到峰α,b强度增加;H2O和CO中毒后,在超高真空条件下,分别经300℃加热处理,和Ar+剥离方法,均获得类似的效果,XPS分析进一步证实了这些结果。实验给出了贮氢材料MlNi5中过渡金属镍的d电子与气体自由分子轨道间电荷转移的信息,为在实际应用中认识此类贮氢合金的表面催化中毒和再生提供了依据。 关键词:  相似文献   
10.
Partially oriented and highly textured diamond films on Si( 111 ) substrates were achieved by hot-filament chemical vapor deposition(HFCVD). High nucleation density greater than 5×108cm-2 was realiged in 3 min by near-surface glow discharge. The os-grown films were characterized by scanning electron microscopy(SEM), X-ray diffraction(XRD) and Raman spectroscopy. It was found that by adding a small amount of oxygen to the mixture of CH4/H2, the appearance of facet(111) was well controlled, and the secondary nucleation on the facet(111) was suppressed greatly. Growth feature of homoepitaxy on diamond (111) surface was demonstrated to be in Stranski-Krastanov model by SEM.  相似文献   
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