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1.
设计了一种在室温工作的太赫兹热探测器.探测器由片上天线和温度传感器耦合而成.天线由NMOS温度传感器的栅极组成,吸收入射的太赫兹波将其转化为焦耳热,生成的热量引起的温度变化由温度传感器探测.整个探测器的探测过程分为电磁辐射吸收、波-热转换、热-电转换三个过程,并分别进行了建模分析,仿真得到天线吸收率为0.897,热转换效率为165K/W,热电转换效率为1.77mV/K.探测器基于CMOS 0.18μm工艺设计,工艺处理后将硅衬底打薄至300μm.探测器在3THz太赫兹环境下,入射功率为1mW时,电压响应率仿真值为262mV/W,测试值为148.83mV/W.  相似文献   
2.
通过对2009年全国硕士研究生入学考试数学试卷中的一道线性代数试题的推广,得到幂零矩阵的一个性质,从而揭示出该试题的命题思路与背景.  相似文献   
3.
制备了铁磁性Fe3O4基质,并引入磷钨酸尿素复合物制备了有机硫化物氧化催化剂(HPW-Urea/Fe3O4),并通过IR、XRD、Raman和TG等技术手段测定了磁性催化剂的物理化学和热学性质。 研究结果表明,在Fe3O4上引入HPW-Urea后,磷钨酸尿素复合物以Keggin结构存在于载体Fe3O4上,且和载体之间是化学键作用。 在以有机硫化物乙硫醇的正己烷溶液的H2O2氧化反应中,磷钨酸尿素复合物的引入提高了磁性Fe3O4对乙硫醇的氧化活性,并探讨了尿素在活性改善中的作用。  相似文献   
4.
采用第一性原理赝势平面波方法,对V-Al共掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了理论计算,并与未掺杂、V、Al单掺杂CrSi2的光电性能进行了比较。结果表明:V-Al共掺杂会增大CrSi2的晶格常数a和b,体积相应增大。V-Al:CrSi2是p型间接带隙半导体,带隙宽度为0.256eV,介于V、Al单掺杂CrSi2之间;费米能级附近的电子态密度主要由Cr-3d、V-3d、Si-3p、Al-3p轨道杂化构成。与未掺杂的CrSi2相比,V-Al:CrSi2的静态介电常数和折射率增大,εi(ω)在低能区有一个新的跃迁峰。在光子能量为5eV附近,εi(ω)的跃迁峰强度大幅减弱,吸收系数和光电导率明显降低,吸收边略有红移,平均反射效应减弱。V的掺入会削弱Al单掺杂的电子跃迁,V-Al共掺杂可以对CrSi2的能带结构和光学性质进行更精细的调节。  相似文献   
5.
采用简单的一步水热法,制备了一系列BiOCl-ov/坡缕石(PGS)复合材料x B/P(x是复合材料中BiOCl-ov的摩尔含量).通过扫描电子显微镜(SEM)、粉末X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、N2吸附-脱附、红外光谱(FT-IR)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)、荧光光谱(PL)和电化学阻抗谱(EIS)对复合光催化剂的结构、形貌和光学性质以及电化学性质做了详细的表征.研究了催化剂在可见光条件下对芳香醇的选择性氧化的催化性能,结果表明,以所得复合材料为催化剂,在可见光照射下,苯甲醇转化率达到了78%,产物苯甲醛的选择性达到了86%,且催化剂的光稳定性良好.  相似文献   
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