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在石蜡实验基础上,本工作运用γ射线散射法检测油垢样品进行对比实验研究,并在进一步的实验研究中探讨康普顿散射光子数与油垢样品厚度之间的线性关系.发现放射源与油垢样品之间的距离与提高线性度有很大关系.本实验测得最佳线性相关系数平方值为0.9871,测量精度为0.671mm. 相似文献
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本文利用γ射线散射法研究了土层厚度对测量原油管道内油垢厚度的影响.实验装置由60Coγ射线的准直束、NaI(Tl)探测器和BH1324多道谱仪组成.同时结合蒙特卡洛(MCNP)程序模拟与之对比.发现放射源与探测器的合理布局以及适当的探测距离对提高线性度有很大关系.本实验测得γ射线束距离探测器中心14.5cm,准直器出口到铁板5cm时有最佳线性相关系数平方值0.999,最佳测量精度0.169mm. 相似文献
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用不同散射角模拟研究石蜡厚度响应初探 总被引:3,自引:1,他引:2
为改进检测油垢厚度方法,本文用石蜡模拟油垢,用γ射线垂直照射距源为25cm处的石蜡样品.在与石蜡样品25 cm的距离处,以不同的散射角和同一探测立体角接收散射光子数.发现散射γ光子计数与被测石蜡厚度之间存在不同的线性关系.本实验测得最佳线性相关系数平方值为0.9859,平均测量精度为2.14 mm. 相似文献
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锆钛酸铅镧(Pb0.94La0.06Zr0.96Ti0.04O3,PLZT)具有良好的介电和储能性质,是高效、高能量密度电容元件和存储器件的基体材料.为研究该材料的中子辐照损伤,首先基于Geant4程序包模拟了能量为1—14 MeV中子辐照浩钛酸铅镧(PLZT)材料产生的反冲原子能谱,然后根据产生的反冲原子种类和最大能量,利用二元碰撞方法模拟了不同能量的离子在PLZT中产生的位移损伤(包括空位和间隙原子),最后根据反冲原子能谱和对应能量离子在材料中产生的缺陷数目计算了不同能量的中子在PLZT材料中产生缺陷浓度以及分布.结果发现,对于1—14 MeV能区的快中子而言,其在厚度为3 cm的PLZT材料中产生的缺陷数目近似与中子能量无关,约为460±120空位/中子.辐照损伤在3cm厚度内随深度的增加而略有减小,总体变化小于50%,该减小主要是由于中子的反散射导致.本工作为计算中子在材料中的位移损伤提供了一种方法,同时模拟结果可为研究PLZT基电子器件的中子辐照效应提供指导. 相似文献
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The microstructure modifications of sodium silicate glass induced by 1.2-MeV electron irradiation are studied by x-ray photoelectron spectroscopy and Raman spectroscopy. Depth profile analyses are also performed on the irradiated glass at 109 Gy. A sodium-depleted layer with a thickness of a few tens of nanometers and the corresponding increase of network polymerization on the top surface are observed after electron bombardment, while the polymerization in the subsurface region has a negligible variation with the irradiation dose. Moreover, the formation of molecular oxygen after electron irradiation is evidenced, which is mainly aggregated in the first two-micron-thick irradiated glass surface. These modifications are correlated to the network relaxation process as a consequence of the diffusion and desorption of sodium species during electron irradiation. 相似文献
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