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1.
针对252Cf源驱动噪声分析测量法中核材料浓度识别问题,采用压缩感知理论,在K最近邻(KNN)识别算法基础上,研究了一种基于压缩采样的K最近邻(CSKNN)分类识别方法,进而研究并分析了CSKNN方法的识别概率。实验结果表明,CSKNN分类识别方法只需少量的观测值(观测比M/N≥0.1),即可达到分类识别的目的;当信噪比提高时,识别概率将会以更快的速度收敛至100%,且对K值的敏感程度也会随之降低。这样,不仅提高了核军控核查的实时性,而且还有效降低了采样成本,为核材料浓度的在线判读提供了一种新的理论基础和实现方法。  相似文献   
2.
黄峰  李鹏程  周效信 《物理学报》2012,61(23):187-192
对由波长为1600 nm和800 nm两色激光形成组合场驱动氦原子产生的高次谐波进行了研究,通过改变组合场中主要发射高次谐波期间电场的上升沿和下降沿随时间不同的变化率,使电子长路经和短路径发射谐波的特性发生变化,将由此产生的高次谐波进行叠加时可以得到更短的阿秒脉冲,再调节两束激光场的延迟时间,能够有效地实现抑制电子短路径的贡献,从而得到脉宽为33.7 as的单个阿秒脉冲.  相似文献   
3.
成春芝  周效信  李鹏程 《物理学报》2011,60(3):33203-033203
利用强场近似理论,研究了在长波红外激光场(波长800—2000 nm)驱动下氢原子产生的高次谐波,分析了在截止位置附近高次谐波的转换效率随激光波长的变化规律.发现在截止位置附近原子发射高次谐波的转换效率比平台区域的转换效率低,但获得的阿秒脉冲的宽度会随波长的增大而缩短. 关键词: 强场近似 高次谐波 阿秒脉冲  相似文献   
4.
李会山  李鹏程  周效信 《物理学报》2009,58(11):7633-7639
在保证一维模型氢原子基态能量不变的前提下,通过构造一个可调参数的势函数,研究了在单个周期和多个周期激光作用下,取不同参数势函数一维模型氢原子产生的高次谐波谱规律.结果表明,在过垒电离区域,一维模型氢原子的高次谐波强度与势函数势阱的深度有关,与势函数是否存在库仑奇点没有直接关系. 关键词: 强激光场 一维模型氢原子 势函数 高次谐波  相似文献   
5.
微波消解-氢化物发生-原子荧光法测定海蜇中的痕量砷和硒   总被引:14,自引:2,他引:12  
建立了氢化物发生-原子荧光光谱法(HG-AFS)测定新鲜和腌制海蜇中痕量砷、硒的分析方法。采用冷冻干燥和微波消解相结合的方法处理样品,设定了最佳的样品处理条件和仪器测定条件,解决了消解液中过剩酸对测定的干扰问题,并对共存元素干扰情况进行了研究。利用加标回收试验,对分析方法进行了验证。实验结果表明,该方法具有简便、快速、灵敏、准确等特点,适合于含水量较高的生物样品的测定。  相似文献   
6.
高离化类Ne铕离子的双电子伴线结构的理论研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
在对高离化态类Ne铕离子及其临近的类Na、类Mg离子的n=3→2跃迁的波长和强度详细计算的基础上,考虑了等离子体中单个谱线的展宽和谱线之间的重叠,得到了类Ne铕离子n=3→2的共振线及其类Na和类Mg离子双电子伴线的结构,并系统地分析了这些伴线对共振线波长和强度的影响.  相似文献   
7.
以冷冻干燥和微波消解相结合的方式处理样品 ,采用冷原子荧光光谱法测定了新鲜海蜇和腌制海蜇不同部位的汞含量。通过试验 ,确定了最佳的样品处理条件和仪器的工作条件。方法简便、快速、准确。检出限为0.015ng·mL -1 ,RSD(n=5)为2.3%~4.2 %,回收率为95%~104%。  相似文献   
8.
利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法与准相对论组态相互作用方法,分别详细计算了低Z、中Z和高Z原子(离子)各个壳层上电子的束缚能、平均轨道半径、总束缚能、激发能、精细结构能级以及类Ne等电子系列离子的2p53s 1,3P1-2p6 1S0跃迁能,并且对这两种方法的结果进行了数值比较.  相似文献   
9.
用伪谱方法计算强激光场中一维原子的阈上电离谱   总被引:4,自引:3,他引:1       下载免费PDF全文
引入非线性空间变换,用伪谱方法求解了一维原子在强激光场中的薛定谔方程,再利用B样条函数和傅立叶级数的线性组合构造原子未微扰的本征函数,计算了一维原子在强激光场中的阈上电离谱,其结果与分裂算符法得到的结果符合得很好.  相似文献   
10.
The in-plane electrical resistivity and thermoelectric power have been measured on single crystals of La2-xBaxCuO4 at around x=0.125. The room temperature resistivity and thermopower have their maximum values at x=0.125, indicating that the carrier concentration is the minimum and the carriers are most strongly localized at x=0.125. The observed semiconductor-like behaviour can be well described by the weak-localized quasi-two-dimensional state. The steep rise in electric resistivity of the sample at x=0.125 below 70K is attributed to the formation of static stripe-order of holes and spins, which are pinned by the low-temperature tetragonal (LTT) structure, as discovered in La1.48Nd0.4Sr0.12CuO4. The temperature dependence of electric resistivity below 70K is still well described by the formula ρ∝ lnT. A definite change in the slope of thermopower is observed at the low-temperature orthorhombic-LTT structural phase transition temperature. The origin of the 1/8 anomaly is discussed in the text.  相似文献   
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