CF_2HCI在金属钨表面上的反应动力学

CF_2HCl裂解成C_2F_4的研究已有较长的历史,近年来,作者之一曾利用激光诱导荧光方法实时(in real time)测定CF_2的浓度,对这一均相单分子反应过程的了解更趋清楚。最近我们利用激光加热法测定了CF_2HCl在Pt、Ag,及Ni-Cr金属表面上的复相反应速率,发现CF_2HCl在Pt及Ag上的反应速率此在Ni-Cr表面上的反应速率要快,并且反应温度阈值低很多,但是由于Pt及Ag价值昂贵,难以在生产上推广。为此,本文研究CF_2HCl     

球磨法对不同基质上转换发光的影响

分别利用高温固相法和高能球磨法,在反应温度为1 100℃、反应时间为2 h的条件下合成了以Y2O3、La2O3、LiTaO3为基质的双掺和三掺Tm3+、Er3+、Yb3+发光粉。XRD测试结果表明,高能球磨法制备的Y2O3、La2O3、LiTaO3材料的相纯度高于高温固相法。用980 nm红外激光分别对两种合成方法制得的样品粉末进行发光性质的检测,结果表明高能球磨法制得样品的发光强度高于高温固相法样品。不同基质样品的上转换发光性质表现为:Tm3+、Yb3+掺杂呈蓝光;Er3+、Yb3+掺杂呈黄光;Tm3+、Er3+、Yb3+三掺样品的发光减弱,颜色可调。     

球磨法对不同基质上转换发光的影响

分别利用高温固相法和高能球磨法,在反应温度为1 100 ℃、反应时间为2 h的条件下合成了以Y₂O₃、La₂O₃、LiTaO₃为基质的双掺和三掺Tm³⁺、Er³⁺、Yb³⁺发光粉。XRD测试结果表明,高能球磨法制备的Y₂O₃、La₂O₃、LiTaO₃材料的相纯度高于高温固相法。用980 nm红外激光分别对两种合成方法制得的样品粉末进行发光性质的检测,结果表明高能球磨法制得样品的发光强度高于高温固相法样品。不同基质样品的上转换发光性质表现为：Tm³⁺、Yb³⁺掺杂呈蓝光;Er³⁺、Yb³⁺掺杂呈黄光;Tm³⁺、Er³⁺、Yb³⁺三掺样品的发光减弱,颜色可调。     

微元法解决一般"追戏"问题

【问题】有n(n≥3)个质点A1，A2，…An分别位于外接圆半径为r的正n边形的各顶点上，在t=0时刻，这n个质点开始按逆时针方向依次紧盯追逐，即A1追A2，A2追A3，…An-1追An，An追A1．在追逐过程中，每个质点的速率不变，均为v．求：(1)这n个质点相遇(重合)时所经历的时间T；(2)每个质点所经过的轨迹的长度L；(3)每个质点的运动轨迹．     

气态CF_2CIBr的紫外光解离

本文研究了气态CF_2ClBr在253.7nm紫外光照下的光解离过程及光氧化机理.CF_2ClBr-O_2体系光解离的主要产物CF_2O,Cl_2和Br_2,另外还有少量的CO_2,SiF_4生成;该体系中CF_2ClBr的解离为一级反应,光解离速率常数为1.89×10~(-5)s~(-1);CF_2ClBr的表观量子产率近似为1.在这些基础上讨论了光解离过程及光氧化机理.     

高能氩离子辐照硅产生的缺陷研究

在室温下750MeV氩离子对本征单晶硅进行辐照,通过用正电子湮没寿命测量技术、电子顺磁共振技术以及红外光吸收方法研究了辐照产生的缺陷.结果表明:电中性双空位是辐照产生的主要空位团;在4.3×10¹⁴ions/cm²的高剂量下未见样品发生非晶化转变;虽然在离子射程末端双空位的浓度随剂量的增加而显著增大,但在以电离激发过程为主要能损方式的区域里双空位的浓度基本不变.据此可以认为,电子能损过程对辐照产生的缺陷有退人作用.     

CF2HCI在金属钨表面上的反应动力学

The unimolecular reaction of CF_2HCl on W filament has been studied. This reaction shows zero order at rather high pressure. The temperature threshold is about 440 ℃. The apparent activation energy of this reaction is 119.7 kJ mol~(-1) which is about a half of the activation energy for homogeneous unimolecular reaction of CF_2HCl, 233.5 kJ mol~(-1).     

离子注入聚酰亚胺的摩擦磨损性能研究

用Ｎ＋和Ｆｅ＋分别对芳香聚酰亚胺薄膜进行了离子注入处理，考察了注入前后聚酰亚胺与５２１００钢对摩时的摩擦磨损性能．结果表明，这２种离子注入都可以降低聚酰亚胺与钢对摩时的摩擦系数和磨损，而且高剂量（１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２量级）离子注入的效果比低剂量（１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２量级）离子注入的好，尤以３×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的Ｆｅ＋注入改性作用更好     

高剂量Ar离子辐照Si缺陷产生及其退火行为EPR研究

112MeVAr离子在50K以下的低温辐照Si到8×10¹⁴/cm²剂量,室温下采用电子顺磁共振技术分析了由辐照引起的缺陷产生及其退火行为,结果表明:Ar离子辐照在Si中引起了中性四空位(Si-P3心)､带正电荷的〈100〉劈裂的双间隙子(Si-P6心)以及连续的非晶层3种缺陷的形成. 在200℃的退火温度,Si-P3心和Si-P6心消失,这时带负电荷的五空位(Si-P1心)开始生长,Si-P1心可以保持到550℃左右的退火温度. 在350℃时,可以明显地观测到另一个含有更多空位的顺磁缺陷心(Si-A11心).连续非晶层的再结晶需要600℃以上的温度,并且在整个退火过程中,非晶顺磁共振线的线型和线宽保持不变. 定性地讨论了结果.     

CDF3的红外光化学

发展了用激光光热探测法探测红外弱吸收的方法.用此法研究了用CDF3在红外激光场下,由多光子吸收引起的选择性光化学过程,以及惰性气体对选择性的影响.在R(12),R(16)和R(26)支发现三个强吸收峰.其中R(12)和R(26)支的吸收在线性吸收谱上是重叠的,R(16)是一个在线性吸收谱中从不出现的新峰,还观察了在TEA CO2激光的R(26)支,CDF3和CHF3混合物的选择性解离,加入稍释气体Ar后选择系数增加,它可解释为CDF3和CHF3之间的碰撞几率减少.