激光法制备纳米a-SixNy:H的光谱及键结构研究

用红外吸收光谱和喇曼光谱对激光法制备的纳米a-Si_xN_y:H粉末及其加压成形块体的键结构进行研究,发现在a-Si_xN_y:H中存在着Si-N,Si-Si,Si-H,N-H,Si-O-Si及OH基团,讨论了块体及其退火后光谱畸变和键结构变化。 关键词：     

a-Si3N4纳米粒子的激光法制备及能级结构研究

给出激光化学汽相沉积法制备a-Si₃N₄纳米粒子的原理和经验公式,在特定工艺参数下获得平均粒径为6.5nm的优质a-Si₃N₄纳米粒子,用紫外光谱研究其能级结构,发现与小粒子有关的峰状光谱结构和能带分裂现象,描述了a-Si₃N₄纳米粒子的物理结构图象,确认硅错键≡Si—Si≡,硅悬挂键≡Si₃⁰在富硅a-Si₃ 关键词：     

LICVD法制备纳米Si3N4粒子及红外光谱特性

采用激光诱导化学气相沉积法制备出超细（7～15nm）、理想化学剂量（N／Si=1．314）、无团聚的非晶纳米氮化硅粉体．为了提高粉体的纯度,在传统激光诱导化学气相沉积装置中加一束正交的紫外光束．以促进NH3分子光解,从而减少游离硅的存在,提高N／Si原子数比．观察到了红外吸收光谱中的“蓝移”和“宽化”现象．并认为这些现象是由表面效应和量子尺寸效应造成的．同时,红外吸收光谱的反常现象也验证了粉体的纳米特性．     

Si3N4Si量子点电子结构的理论研究

采用经表面优化的对称球形团簇作Ｓｉ₃Ｎ₄，Ｓｉ晶态量子点的模型，利用紧束缚近似和ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了它们的电子结构，给出了导带底和价带顶位置随量子点尺寸的变化。得到了３２８原子Ｓｉ₃Ｎ₄量子点、３２３原子Ｓｉ量子点的中心原子局域态密度及平均态密度，并讨论了态密度和光谱结构的关系，中心原子局域态密度能较好地描述量子点的光谱，这一点得到了实验结果的证实。 关键词：     

金刚石晶格上的对角无序与非对角无序非晶量子点

报道金刚石晶格上对角无序与非对角无序非晶量子点的理论研究，用简单的紧束缚哈密顿量描述模型的电子结构，用ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法求解哈密顿方程，用边界条件对本征值的影响判断局域化，研究发现，带边为扩展态时，带宽的变化趋势与晶态量子点类似；带边为局域态时，尺寸超过某一临界长度后，带宽不变，但带边态密度随尺寸增大而增大。还研究了非晶量子点的介电函数虚部ε₂（?ω）。与扩展态对应的ε₂（?ω），对尺寸变化较敏感。与局域态对应的ε₂（?ω），当尺寸大于 关键词：     

离子注入对纳米氮化硅量子点蓝光增强效应

观察到纳米氮化硅量子点在室温下的蓝光发射现象(449nm).发现离子注入对蓝光发射有成倍 增强效应(高达6.3倍),并用量子限制-发光中心模型给出解释.提供了一种新的蓝光发射材料. 关键词： 蓝光增强 离子注入 3N_{4')" href="#">纳米Si3N4}