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1.
水汽系统氢电导率监测用氢交换柱附加误差超标是造成氢电导率测量不准确的主要原因,而氢交换柱附加误差超标主要源于阳树脂的再生度低。理论分析和研究结果表明,氢交换柱附加误差与阳树脂再生度及水样Cl-浓度均有关系,再生度越低,Cl-浓度越高,氢交换柱附加误差就越大。对于超临界水汽系统氢电导率测量用氢交换柱,为了保证附加误差满足不大于5%的标准要求,建议控制树脂再生度在85%以上。阳树脂再生度取决于再生工艺,动态再生和电再生的效果要比静态浸泡再生好,可以保证树脂的再生度和氢交换柱的附加误差满足要求。 相似文献
2.
3.
基于适用于整个克努森数范围的流动理论,建立了去除惯性约束聚变实验中靶丸内空气的理论模型,并设计实验验证了此模型的可靠性。物理实验要求靶丸内空气浓度低于10×10?6,数值模拟了去除靶丸内空气的过程,重点分析了靶丸内空气浓度、压力与除气时间的关系。计算并比较了单管路一次抽气法、单管路循环抽气法与双管路流洗法三种去除靶丸内空气方法的时间成本。数值计算结果表明:单管路一次抽气法中,靶丸上的微通道的存在对去除靶丸内空气所需时间的影响不可忽略,在考虑靶丸上微通道与充气管的情况下,需要1961.77 h才能使靶丸内的空气浓度达到标准。单管路循环抽气法中,抽气次数与单次抽气程度会影响去除靶丸内空气所需总时间,在单次抽气程度值取最优的情况下,采用充三次,抽四次的方案可使达标总时间减少至1 h左右,此方案下单次充气和抽气时间分别为6 min和10 min。而采用双管路流洗法则仅需11 min便可使靶丸内空气浓度达标。 相似文献
4.
飞秒强激光与团簇相互作用产生多价离子的现象已被广泛报道,然而近期多个研究小组发现当功率密度低至1010W/cm2的纳秒激光照射团簇时,同样也观察到了多价离子的存在.虽然可以用"多光子电离引发-逆韧致吸收加热-电子碰撞电离"电离机理对这种现象进行解释,但是缺乏相应的数值模拟.建立了一个简化的数值模型,根据有质动力势Up计算团簇内电子能量,再由Lotz公式计算出相应的电离截面,最后由动力学反应速率方程计算出团簇内多价碳离子随时间的演变.详细分析了团簇尺寸、电子密度等关键参数对多价离子产生的影响.数值模拟结果表明:团簇电离在小于0.7 ns时间尺度内完成,C2+,C3+和C4+多价离子强度达到平衡后,离子相对强度由大到小依次为C2+,C3+,C4+,这与实验结果相一致;多价离子的价态随着团簇尺寸的增加而升高,半径为5.6 nm的苯团簇比半径为3 nm的苯团簇更容易产生高价态的离子,这也与实验结果相一致. 相似文献
5.
本文提出了一种基于菲涅尔区域的乳腺三维超声成像技术,可实现病变组织早期的定性诊断与定量监测。主要研究内容包括:采用透射方式,以慢度作为反演参量,将正演与反演的透射时间差作为迭代判据,基于菲涅尔区域法实现乳腺组织的二维反演成像;根据柱面传感阵列的分布特点,将乳腺三维超声成像问题转为二维成像问题,进而实现乳腺三维超声成像;计算三维病变成像声速及尺寸误差,并分析了菲涅尔区域法的成像分辨率以及入射频率对成像分辨率的影响。本文研究结果证明基于柱面传感阵列的菲涅尔区域法可实现乳腺三维超声成像并有效实现病变早期监测与诊断。 相似文献
6.
7.
研究了K3C60单晶薄膜在200K附近的导带结构.样品温度为190K时,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散.而在220K附近色散不存在.这一实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合.用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析.结果表明,K3C60在200K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40
关键词:
3C60')" href="#">K3C60
取向相变机理 相似文献
8.
9.
利用密度泛函理论对三线态HFSiS分子结构及其稳定性进行了详细的理论研究.在B3LYP/6-311G**水平上计算出了各驻点的优化构型、振动频率,并对各个振动模式加以归属,在同样的理论水平上进行了IRC计算;CCSD(T)结合6-311G**基组对于驻点进行单点能及相对能量的计算;根据振动模式分析来阐明三线态势能面上各驻点之间的变化,并与单线态势能面进行比较.计算结果表明,三线态HFSiS分子存在6种异构体,3HFSiS结构在动力学和热力学上都是最稳定的,实验上应该可以观测到;在两组键旋转异构体当中,结构-2具有一定的动力学稳定性,而结构-1动力学稳定性较差;3SiSHF在动力学上和热力学上都是最不稳定的结构. 相似文献
10.
报道Ge在Ru(0001)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜(STM)和x射线光电子能谱(XPS)研究. STM的实验结果表明Ge在Ru(0001)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式,Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长,而从第二层开始呈岛状生长. XPS测量显示衬底Ru(0001)与Ge的相互作用很弱. Ru(0001)表面的Ru 3d5/2和Ru 3d3/2芯态结合能分别处于2798和2840 eV. 随着Ge的生长,到Ge层的厚度为20个单原子层,衬底Ru 3d芯态结合能减小了约02 eV,而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的289 eV增加到了290 eV,其相对位移约为01 eV.
关键词:
Ge
Ru表面
生长
相互作用 相似文献