MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料

设计了808 nm高功率GaAsP/InGaAlP/GaAs半导体激光器,采用无铝张应变量子阱和非对称宽波导结构,通过优化金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长条件,提高了外延材料的生长质量,有效提升了激光器转化效率和输出功率。制作了200μm条宽、1500μm腔长的激光器器件,室温连续条件(CW)测试其阈值电流为650 mA,斜率效率高达到1.35 W/A,输出功率在11 W以上,激射波长808.5 nm@5A,水平和垂直发散角分别为8°和30°,较小的发散角有效的提高了输出光功率密度。     

热退火处理对AuGeNi/n-AlGaInP欧姆接触性能的影响

本文在n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P表面通过电子束蒸发Ni/Au/Ge/Ni/Au叠层金属并优化退火工艺成功制备了具有较低接触电阻的欧姆接触,其比接触电阻率在445℃退火600 s时达到1.4×10–4 W·cm2.二次离子质谱仪测试表明,叠层金属Ni/Au/Ge/Ni/Au与n-AlGaInP界面发生固相反应,Ga,In原子由于热分解发生外扩散并在晶格中留下Ⅲ族空位.本文把欧姆接触形成的原因归结为Ge原子内扩散占据Ga空位和In空位作为施主提高N型掺杂浓度.优化退火工艺对低掺杂浓度n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P的欧姆接触性能有显著改善效果,但随着n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P掺杂浓度提高,比接触电阻率与退火工艺没有明显关系.本文为n面出光的AlGaInP薄膜发光二极管芯片的n电极制备提供了一种新的方法,有望大幅简化制备工艺,降低制造成本.     

电感耦合等离子体质谱测定钼矿石中的铼

以三酸消解钼矿石中的铼, 不经分离富集, 用电感耦合等离子体质谱法直接测定钼矿石样品中的铼。方法检出限可达0.012μg/g , 通过对国家岩石一级标准样品的测试, 测定结果一致;对GBW07285标准样品11 次测定的相对标准偏差(RSD) 为1.13%。     

高压消解-电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定地质样品中的铌和钽

建立了运用硝酸-硫酸-氢氟酸体系高压消解样品,电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定地质样品中铌和钽含量的方法。研究了样品消解体系、样品消解时间、溶液的介质、内标元素等对测定的影响。Nb的方法检出限为0.027μg/g,Ta的方法检出限为0.015μg/g。Nb测定的相对标准偏差(RSD)为3.3%;Ta测定的相对标准偏差(RSD)为2.5%。经标准物质验证,分析结果令人满意,可适用于大批量地质样品中铌和钽的测定。     

电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定钼矿石中的铼

以硝酸+氢氟酸+高氯酸消解钼矿石中的铼,不经分离富集,用电感耦合等离子体质谱法直接测定钼矿石样品中的铼。方法检出限可达0.012μg/g,通过对国家岩石一级标准样品的测试,测定结果一致;对GBW07285标准样品11次测定的相对标准偏差(RSD)为1.1%。     

Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7W)660nm AlGaInP宽面半导体激光器

本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000 μm、条宽150 μm的宽面半导体激光器.采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构来提高器件的腔面光灾变阈值(COD).透明窗口结构激光器最大连续输出功率为3.7 W,是正常结构的激光器COD饱和功率的4.4倍.激光器的特征温度T0为68 K,热阻为4.6 K/W.在热沉温度为20 ℃时进行了500 mW恒功率老化,老化时间为1000 h.     

MOCVD growth of A1GaInP/GaInP quantum well laser diode with asymmetric cladding structure for high power applications

In order to improve the characteristics of the general broad-waveguide 808-nm semiconductor laser diode （LD）, we design a new type quantum well LD with an asymmetric cladding structure. The structure is grown by metal organic chemical vapor deposition （MOCVD）. For the devices with 100-ttm-wide stripe and 1000-/zm-long cavity under continuous-wave （CW） operation condition, the typical threshold current is 190 mA, the slope efficiency is 1.31 W/A, the wall-plug efficiency reaches 63%, and the maximum output power reaches higher than 7 W. And the internal absorption value decreases to 1.5 cm^-1.     

一种玉米苗期冠层叶片营养诊断动态光谱指数

为了有效的解决玉米苗期冠层叶片营养状态车载动态诊断过程中,土壤干扰信息无法剔除的问题,本文提出了一种动态测量用光谱指数MPRI,根据MPRI的构成和特点、论述了利用MPRI辨识土壤与冠层光谱信息的机理,构建了基于MPRI的玉米苗期冠层叶片叶绿素含量的预测模型,通过车载式作物长势检测系统平台,运用模型对玉米苗期冠层叶片营养状态进行动态诊断与评估,取得良好的效果。研究表明：在车载动态条件下测量玉米苗期冠层叶片营养状态时,土壤的MPRI呈正值而玉米冠层的MPRI呈负值,因此使用光谱指数MPRI能够有效识别土壤背景与冠层叶片光谱信息。设定固定的阈值,能够较为准确和便捷的去除土壤背景光谱信息。基于MPRI构建的冠层叶片叶绿素含量的动态测量预测模型,能够准确的表征冠层叶片的叶绿素含量,模型决定系数R2达0.72,动态测量中对植株冠层的识别率达80%。与其他常用的指数相比,在车载动态测量环境下,光谱指数MPRI具有土壤背景信息识别速度快、正确率高,模型预测精度良好等特点,为玉米苗期冠层营养状态的诊断提供了新的途径。     

MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP650nm激光器

通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器。该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm A lGaInP红光激光器的最低阈值电流。在25mA工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW。     

MOCVD growth of AlGaInP/GaInP quantum well laser diode with asymmetric cladding structure for high power applications

In order to improve the characteristics of the general broad-waveguide 808-nm semiconductor laser diode (LD),we design a new type quantum well LD with an asymmetric cladding structure.The structure is grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).For the devices with 100-μm-wide stripe and 1000-μm-long cavity under continuous-wave (CW) operation condition,the typical threshold current is 190 mA,the slope efficiency is 1.31 W/A,the wall-plug efficiency reaches 63%,and the maximum output power reac...