由电感测量铁氧体材料的居里温度

为测量铁氧体磁芯材料的居里温度，将含有铁氧体磁芯的螺绕环置于自制的可变温度的样品室中，用电感测量仪测量螺绕环在不同温度下电感量．得到电感随温度的变化曲线，从而确定磁芯的居里温度．     

上转换激光基质晶体BaY2F8的结晶习性

由BaY2F8晶体的结构特点和粉晶X射线衍射（XRD）数据,分析了该晶体的结晶习性。晶体结构中的强键为Y-F2-Y键,该键沿[001]方向伸展成链状,是晶体的优势生长方向。晶体的平衡稳定形态由斜方柱{130},{021}组成,晶体呈沿[001]方向发育的轴状习性。温度梯度法生长所得晶体的切片分析,证实了以上结论。BaY2F8晶体系采用提拉法等强制方法获得。     

新型激光基质晶体BaY2F8结晶习性的探索

总结了BaY2F8晶体的结构和性质，利用提拉法实现了BaY2F8晶体的生长，并得到X光衍射和透过率验证。使用的温场梯度为：在r=0，z=0处的径向梯度约为0．26℃／mm，纵向梯度约为27．06℃／mm。为了提高晶体质量，需进一步改进温场，如加大径向梯度、减小纵向梯度，从而有利于熔液径向对流，并降低结晶和生长速度。     

BaY2F8晶体生长基元与结晶机理的探讨

本文通过对BaY2F8晶体结构的分析,从晶体的生长基元为负离子配位多面体理论出发,对自然冷却条件下BaY2F8晶体自发结晶习性进行了研究,提出了以Ba2 为中心的近八配位十二面体和以Y3 为中心的近八配位十二面体是晶体生长的基元。并根据自发结晶的BaY2F8的XRD,说明了BaY2F8晶体的{200}、{130}、{021}、{330}、{-111}、{111}、{221}、{002}等面族比较发育的原因。本文证实了仲维卓的负离子配位多面体理论对BaY2F8晶体生长的适用性,并对探索新的BaY2F8单晶生长方法有参考作用。     

掺铈钒酸钇晶体的生长及光学性质的研究

报导了采用提拉法生长的高质量的掺铈钒酸钇(Ce:YVO4)晶体,其中Ce3 离子的掺杂浓度为1.0%原子分数。对加工好的掺铈钒酸钇晶片进行了吸收光谱和荧光光谱的测量。三个吸收峰的中心波长分别在473nm、557nm和584nm。400~600nm的发射带包含两个发射峰,其中心波长分别在424nm和469nm处。文章从能级结构上对Ce:YVO4晶体光谱的产生机制进行了讨论。     

不同层显式格式及在微尺度热传导中的应用

基于指数拟合和牛顿插值多项式构造了用于数值计算偏微分方程的不同层显式格式,应用不同层显式格式可获得不同精度的数值计算结果,并将该算法应用于微结构热传导方程和薄膜强瞬态热传导方程中．     

掺铈YVO4晶体的发光特性及铈离子的价态分析

采用中频感应单晶炉和提拉法生长了高质量的掺Ce的YVO4晶体，并采用了两种不同的方式进行掺杂，即分别在YVO4晶体掺入了Ce2（CO3）3和CeO2，两种不同方式的掺杂浓度均为2at％．使用XRD测试了这两种晶体的物相，发现样品主要以YVO4相存在．吸收谱、荧光光谱和激发光谱的测试发现，这两种不同掺杂方式所得到的样品具有相似的光谱特性，即使用325nm的紫外线激发时，两种样品均可发出以44Onm为中心的宽带蓝光，这是来自Ce3＋离子的5d→4f的特征发射；而在46Onm的激发下，两种样品又均可发出以620nm为中心的宽带红光．通过X射线光电子能谱（XPS）对样品中的各个元素进行的测试分析，发现氧元素的1s峰分裂为529．8eV和531．8eV,这说明晶体中存在两种配位氧离子，一种是正常配位的氧离子（O2-），另一种是带空穴的配位氧离子（O-）．由ce的XPS测试结果中展现的5个5d峰推断，样品中的铈是以Ce3＋和Ce4＋两种形式共存，这种共存与两种配位氧离子的存在密切相关．我们认为，Ce：YVO4晶体的宽带红光发射来自Ce4＋-O2-的电荷迁移发光，并且它有可能因此而成为一种新型的用于白光LED的红色荧光粉．     

近化学计量组分掺铒铌酸锂晶体光学特性研究

用气相输运平衡技术成功地制备出了近化学计量组分的Er∶LiNbO₃晶体,系统 地研究了该 晶体的吸收边移动、可见—红外透射谱、荧光光谱的物理特性.与同成分Er∶LiNbO_{3晶体 相比, 近化学计量组分Er∶LiNbO3晶体的吸收边出现了“蓝移”;OH^{-吸收带明显减弱 ;在可见—近红外波段呈现出更高的透过率;同时Er3+离子的发光强度也明显 提高. 这些结果表明近化学组分的Er∶LiNbO关键词： 近化学组分掺铒铌酸锂晶体 -}吸收带')" href="#">OH^-吸收带 透射谱 荧光光谱}     

Study of surface exfoliation on crystalline silicon induced by Co-implantation of He and H ions

Crystalline n-type Si (100) wafers were implanted at room temperature with     

上转换激光晶体Er:BaY2F8的生长与光谱分析

报道了上转换激光晶体Er：BaY2F8以及Er，Yb：BaY2F8的温度梯度法生长及其光谱参数分析。所得到的Er：BaY2F8晶体的直径为13mm，长度达40mm，是目前国内最大的此种晶体。测试了晶体的吸收光谱，吸收光谱中Er离子的特征吸收峰清晰可辨。根据J-O理论的计算，得到了唯象的晶场参数Ωi（i=2，4，6），其数值分别为1．43×10^-20cm^2，0．49×10^-20cm^2和1．36×10^-20cm^2。重点分析了Er：BaY2F8晶体的各能级的荧光寿命，较之氧化物有很大的提高，其中^4I11/2能级的寿命约为5ms，这样大的荧光寿命对于上转换激光的形成极为有利。