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采用第一性原理局域密度近似法计算了V2O5的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响。计算结果表明,V2O5是间接带隙半导体,Li的嵌入并没有改变其电子的跃迁方式。但Li的嵌入使得V2O5导带能量下移,禁带宽度减小,导带中原有的劈裂被分裂的能级填满;同时致使价带出现展宽。电子态密度计算结果表明Li的嵌入对临近的O和V的电子结构有较大的影响。Li2s电子的注入提高了V2O5的费米能级并导致其进入导带。由于价带中的电子只能跃迁到费米能级以上的导带空能级,这致使体系实际的光学带隙增大。同时随着Li注入量的进一步增加,价带的展宽更为明显,费米能级亦呈升高的趋势,使得光学带隙随着Li注入量的增加而增大。 相似文献
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运用第一性原理计算了锂嵌入对α-V2O5中O2p和V3d轨道电了结构的影响.计算结果表明,不同的锂嵌入位置对O2p和V3d轨道的电了结构有着不同的影响.但锂的嵌入会减弱了V2O5中V=O1键,同时导致V3d导带的劈裂变窄或消失和HO2p价带变宽.最后计算出从每个Li2s轨道到V3d轨道的电子传递数为0.52. 相似文献
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Influences of Li Intercalation on the Electronic Structures of O2p and V3d Orbitals in α-V2O5 下载免费PDF全文
运用第一性原理计算了锂嵌入对α-V2O5中O2p和V3d轨道电子结构的影响. 计算结果表明,不同的锂嵌入位置对O2p和V3d轨道的电子结构有着不同的影响. 但锂的嵌入会减弱了V2O5中V=O1键,同时导致V3d导带的劈裂变窄或消失和O2p价带变宽. 最后计算出从每个Li2s轨道到V3d轨道的电子传递数为0.52. 相似文献
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