掺TiNb_3Sn的R-H超导转变

本文用脉冲磁场测量了Nb~3Sn和掺TiNb_3Sn线的R-H超导相变。在测量电流小时得到较理想的失超曲线,测到磁流阻和真实的H_(c_2)。 研究了电流大时的热效应。指出不论测量电流的大小,定义磁流阻的起始点为失超点是正确的。本文还讨论了脉冲磁场的感应电压大小与材料的性质和尺寸的关系。     

核磁共振谱仪超导磁体研究

对核磁共振谱仪超导磁体作了一些调研 ,并在理论的基础上对 4 0 0 MHz NMR谱仪超导磁体进行了方案设计计算     

脉冲强磁场下的法拉第效应

本文提出了利用脉冲强磁场测量法拉第效应的方法．测得火石玻璃（ｆｌｉｒｔ ｇｌａｓｓ）和硫化锌（ＺｎＳ）的 Ｖｅｒｄｅｔ常数为 ０．４５８（ｄｅｇ／Ｔ·ｍｍ）和 ２．９８（ｄｅｇ／Ｔ·ｍｍ）．     

脉冲强磁场

一、引 言 一般铁芯磁体要做到具有厘米量级的工作空间,其最高磁场约为3T左右.如果采用圆锥形极靴把磁力线加以集中来提高场强的话,则当极靴根部直径比端部直径大10倍时,极靴间隙中的场强也仅能增加 1.5T[1].所以想以增大极靴根部直径和端部直径的比值进一步提高铁芯磁体的场强     

脉冲磁场测量J_c(H)结果的分析

用脉冲磁场测量小阻值的富锡Nb_3Sn样品的高场参数时,测得的干扰信号完全淹没了真实信号.我们分析了实验结果,并进行理论计算,找到产生大干扰信号的原因.消除这些干扰后,本底信号仍然淹没真正信号.本文找到了一个从干扰信号中获得真正信号的方法.     

在脉冲强磁场下测量超导体临界磁场

在脉冲强场下测量NbTi的临界磁场H_r(4.2K),结果为115±4kG.同时观察了噪音、焦耳热和“临界电流”等对测量结果的影响.本测量中所用的脉冲磁场之一,可以产生高于400kG的场强,磁体有效孔径为25mm,脉冲宽度为15.6ms.     

添加元素In、Ga对富Sn法Nb_3Sn反应扩散过程和超导临界特性的影响

本文主要报道添加元素In、Ga对Nb管富Sn法Nb_3Sn反应扩散热处理过程和超导临界特性的影响的初步结果。     

NbTi超导磁屏蔽管的研究

对置于磁体中的 NbTi 超导磁屏蔽管进行了实验研究,检测了磁体中超导磁屏蔽管的磁屏蔽能力.结果表明由整块 NbTi 材料做成的超导磁屏蔽管屏蔽能力是不高的,并且其磁屏蔽能力随外磁场升场速度的增大而降低.还测量了超导磁屏蔽管内冻结磁场分布,得到了超导磁屏蔽管冻结磁场分布的一些实验规律,实验结果表明,置于磁体中的超导磁屏蔽管不具备使磁场分布更加均匀的能力,这与某些文献的理论预测不一致.