稳态卡计法测量材料在不同温度条件下半球发射率

通过合理设计,组装了一台稳态卡计法热辐射测量仪,它可以测量材料在173～373 K温度范围内的半球热辐,射率.本文对该装置进行了详细介绍和误差分析,并报道了多种卫星温度控制用热辐射材料和一种新型热致变色材料(thermochromic material)的半球总发射率测量结果.     

三氧化钼溶胶凝胶光致变色的研究

通过金属钼粉与过氧化氢溶液反应制备三氧化钼溶胶和凝胶,在高压汞灯的照射下,溶胶和凝胶由浅黄色变成蓝色。Raman光谱研究表明：通过紫外光照,MoO3凝胶结构进行了重整,呈有序排布。乙醇相的MoO3溶胶在紫外光照或长期自然光照下,均表现出光致变色特性。电子自旋共振(ESR)和X射线电子能谱(XPS)研究表明：空气中的MoO3经光照同时接受质子和电子后,生成了蓝色的钼青铜,其中Mo^6^+被还原成了Mo^5^+离子。     

VO_2薄膜Vis-NIR及NIR-MIR椭圆偏振光谱分析

采用射频磁控溅射在石英玻璃基底上反应溅射制备单斜相(M相)VO_2薄膜.利用V-VASE和IR-VASE椭圆偏振仪及变温附件分别在0.5—3.5 eV(350—2500 nm)和0.083—0.87 eV(1400—15000 nm)入射光能量范围内对相变前后的VO_2薄膜进行光谱测试,运用逐点拟合的方式,并通过薄膜的吸收峰的特征,在0.5—3.5 eV范围内添加3个Lorentz谐振子色散模型和0.083—0.87 eV范围内添加4个Gaussion振子模型对低温态半导体态的薄膜椭偏参数进行拟合,再对高温金属态的薄膜添加7个Lorentz谐振子色散模型对进行椭偏参数的拟合,得到了较为理想的拟合结果.结果发现:半导体态的VO_2薄膜的折射率在近红外-中红外基本保持在最大值3.27不变,且消光系数k在此波段接近于零,这是由于半导体态薄膜在可见光-近红外光范围内的吸收主要是自由载流子吸收,而半导体态薄膜的d//轨道内的电子态密度较小.高温金属态的VO_2薄膜的折射率n在近红外-中红外波段具有明显的增大趋势,且在入射光能量为0.45 eV时大于半导体态的折射率;消光系数k在近红外波段迅速增大,原因是在0.5—1.62 eV范围内,能带内的自由载流子浓度增加及电子在V_(3d)能带内发生带内的跃迁吸收,使k值迅速增加;当能量小于0.5 eV时k值变化平缓,是由于薄膜内自由载流子浓度和电子跃迁率趋于稳定所致.