基于耦合场量子受激拉曼散射的太赫兹波辐射

使用两块长度各为65 mm的MgO:LiNbO3和无掺杂LiNbO3晶体,以1064nm的Q开关Nd:YAG激光器作为抽运光源,在12 mJ/pulse的抽运光能量下得到频率范围为0.34～2.90 THz的电磁辐射.分析表明,激光入射使LiNbO3晶体中具有电磁特性的横光学声子可以和入射光子形成耦合场量子.作为一种电磁特性的元激发,LINbO3晶体的耦合场量子的辐射场频率覆盖部分太赫兹频段范围,并可通过耦合场量子受激拉曼散射过程辐射THz波.根据耦合场量子辐射理论,通过分析晶体的耦合场量子色散特性曲线,可以确定该晶体能否辐射THz波及其带宽范围.     

高增益双层组合GaAs光电导开关设计与实验研究

设计制备了一种由双层半绝缘GaAs:EL2晶体组成的新型超快光电导功率开关.由于触发状态下双层GaAs晶体之间满足动态分压关系，使该开关在强电场偏置下触发时，双层GaAs晶体既能先后发生高增益过程，又能相互抑制对方进入锁定状态，开关输出为近似方波的双峰脉冲.因此，这种开关的工作方式既具有非线性模式特有的所需触发光能小、上升速度快等优点，又具有线性模式特有的重复工作频率高、使用寿命长等优点.偏压6500V时用脉宽8ns、能量3mJ的1064nm激光触发，输出电脉冲的上升沿为13.2ns，下降沿为54.6ns 关键词： 光电半导体开关 高增益 锁定效应     

态|ψ5(3)〉q中广义电场的2(2m+1)次方Y压缩特性

利用多模压缩态理论,研究了由多模复共轭相干态|{Z_j^*}〉_q(j =1,2,3,…,…,q)、多模复共轭相干态的相反态|{-Z_j^*}〉_q和多模虚相干态|{iZ_{j}〉q的线性叠加所组成的第Ⅴ类三态叠加多模叠加态光场|ψ5⁽³⁾〉q中广义电场分量的等幂次N次方Y压缩特性 .结果发现 :当压缩次数N=2 p且p=2m+1(m=0,1,2,…,…)时,在一定的条件下,态|ψ5⁽³⁾〉q的广义电场分量(即第二正交相位分量)可呈现出周期性变化的、偶数次的等幂次2(2m+1)次方Y压缩效应 .}     

用短谐振腔结构优化THz电磁波参量振荡器的输出特性

以MgO：LiNbO₃为非线性光学介质，通过采用一种高性能腔反射镜实现了一种85mm短腔长的法布里-珀罗式的光学参量振荡器，产生THz电磁波的实验结果.这种短腔长THz参量振荡器比传统的160mm腔长的振荡阈值降低了22.3％；峰值能量提高了170％；频率调谐范围从0.5—2.4THz提高到0.8—3.1THz.还报道了一种基于平面金属丝网的法布里-珀罗干涉仪测量THz波线宽的实验结果. 关键词： THz电磁波 OPO 非线性光学 3')" href="#">LiNbO₃     

Terahertz generation from Si3N4 covered photoconductive dipole antenna

We observe enhanced terahertz (THz) radiation generated from a Si3N4 film-coated GaAs photoconductive dipole antenna. Compared to an uncoated antenna with identical electrode geometry and optical excitation power, the Si3N4 film-coated antenna has a higher effective DC resistance and larger breakdown voltage. As a result, the peak amplitude of generated THz radiation is significantly enhanced due to the Si3N4 film-coated layer.     

半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析

报道了用1064nm激光脉冲触发电极间隙为3mm的横向半绝缘GaAs 光导开关的实验结果.对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和空穴的俘获截面有较大的差异,这种较大的差异造成开关对激光脉冲的超快响应.     

谈谈辐射理论中的相位概念

本文用相干态讨论光子系统与经典光波 理论中的相位概念，指出：运用相位概念来描 述原子辐射，只有在辐射能量较大，即表现出 光波的经典行为时才有意义．     

MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性

研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)法在蓝宝石衬底上生长的In组分浓度保持不变的InGaN/GaN单量子阱结构在室温下的发光特性和光吸收特性.实验结果表明,在InGaN厚度<3nm时,随着样品InGaN势阱层宽度的增加(1nm),光致发光(PL)谱的发光峰值波长出现明显的红移33nm现象,而且发光强度下降8%,谱线半峰全宽(FWHM)展宽,通过对样品的透射、反射光谱研究发现,量子阱层窄(1.5nm)的样品在波长接近红外区时出现无吸收的现象,即R+T达到了100%,而在阱层较宽的样品中没有发现这一现象,对引起这些现象的原因进行了讨论.这些结果有助于开发和优化三族氮化物半导体光电器件的进一步研究工作.     

面向学生能力培养的大学物理实验教学探索与实践

利用现有教学资源,面向全体大学物理实验选课学生进行了以学生为主体的实验教学探索。提出了学生能力培养的实验教学原则。从引导学生提出问题,改进实验处理和研究方法,开展课题研究性实验和学生参与科技制作四个方面介绍了大学物理实验教学的探索及实践。     

半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究

利用流体模型对光生载流子的输运进行了模拟研究,结果表明载流子在输运过程中形成的光激发电荷畴是产生电脉冲超快上升特性的主要原因.对光激发电荷畴的形成和吸收过程的进一步研究表明：1)形成过程中的光激发电荷畴增强了电子的浓度梯度;2)光激发电荷畴在被阳极吸收的过程中,光电导开关偏置电压的快速下降能促进电流上升速度.光激发电荷畴的形成和吸收两大过程共同作用下,形成了电脉冲的超快上升特性. 关键词： 光电导开关 非线性模式 光激发电荷畴 上升时间