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在40—700cm-1波数和4.2—300K温度范围内研究了不同组份液相外延n型CaAs1-xPx样品的红外反射谱。对反射谱进行了赝谐振子拟合与K-K关系计算。从而获得了有关描述CaAs1-xPx样品的光学声子模、等离子体激元、LO声子-等离子体激元耦合模的重要物理参量及红外光学常数信息。基于这些计算结果,提出了双导带谷并计及与X能谷相联系的施主能级模型,用它解释等离子体激元频率和实验观察的三支主要的耦合模的温度变化规律。
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半导体平面发光二极管与发光二极管单管相比,具有较大的发光面、发光均匀、视角大等优点,在仪器仪共、大型厂矿的中央控制室以及军事指挥所的模拟屏等方面有广泛应用. 在某些应用中(例如将它装备在野外工作的代表上,将它作为飞机骂驶舱的告警显示、模拟显示,以及大型矩阵显示屏幕的发光单元),田于环境照变较高,要求发光器件具有更高的亮度.为了提高发光亮度,在管芯发光效率确定的条件下,我们应用物理学的一些基本原理,对发光器件的结构、材料作了最佳的选择和设计,达到了提高发光器件亮度的目的.图1是金属反射腔半导体平面发光器件的结构. … 相似文献
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发光二极管材料与器件的历史、现状和展望 总被引:23,自引:0,他引:23
文章介绍了发光二极管材料和器件的研究、开发的历史,概述了发光二极管技术的发展现状和进展.通过与其他类型光源的比较,向读者展示了发光二极管未来的重要地位和光明前景.发光二极管的最近的成就是实现了有色光方面的成功应用.高功率白色发光二极管已开始应用于便携式和特殊照明.而在通用的照明领域要成功地应用发光二极管,则需要通过性能和价格方面的继续突破来实现. 相似文献
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用俄歇电子能谱观察清洁InP表面在电子束照射下与真空室中H2O和O2的相互作用,发现水蒸汽所引起的电子束感应吸附氧的作用比氧气要明显得多。在吸附氧的同时,In和P的俄歇信号也发生变化,分析其过程为一种氧化过程,氧一开始先同表面的In结合成为氧化铟,随后向表面以内透入,并不断同In和P结合,氧化层的厚度随时间几乎是线性地增加的。与InP的自体氧化层的俄歇深度分布相比较,二者极为相似,所不同的是,电子束感应吸附的氧不足以使表面层中的磷全部氧化,而ESO的氧化层中磷的
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由复旦大学研制成功的半导体平面发光器件,于一九八二年十二月二十五日由上海市高等教育局召开鉴定会通过技术鉴定。鉴定组成员包括发光器件生产厂、应用单位以及上海市标准计量管理局等十三个单位的代表。 相似文献
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在40—700cm~(-1)波数和4.2—300K温度范围内研究了不同组份液相外延n型CaAs_(1-x)P_x样品的红外反射谱。对反射谱进行了赝谐振子拟合与K-K关系计算。从而获得了有关描述CaAs_(1-x)P_x样品的光学声子模、等离子体激元、LO声子-等离子体激元耦合模的重要物理参量及红外光学常数信息。基于这些计算结果,提出了双导带谷并计及与X能谷相联系的施主能级模型,用它解释等离子体激元频率和实验观察的三支主要的耦合模的温度变化规律。 相似文献
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在40--7 0 0 (1/cm)波数和4.2--300 K 温度范围内研究了不同组份液相外延n 型GaAs_(1-x)_P_x__样品的红外反射谱. 对反射谱进行了鹰谐振子拟合与K-K 关系计算.从而获得了有关描述GaAs_(1-x)_P_x__样品的光学声子模、等离子体激元、LO 声子-等离子体激元藕合模的重要物理参量及红外光学常数信息. 基于这些计算结果, 提出了双导带谷并计及与x 能谷相联系的施主能级模型, 用它解释等离子体激元频率和实验观察的三支主要的祸合模的温度变化规律。
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