反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析

采用反应射频磁控溅射方法，在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO/MgO多量子阱.利用X射线反射、X射线衍射、电子探针，光致荧光光谱等表征技术，研究了ZnO/MgO多量子阱的结构、成份和光致荧光特性.研究结果表明，多量子阱的调制周期在1.85—22.3 nm之间，所制备的多量子阱具有量子限域效应，导致了室温光致荧光峰的蓝移，并观测到了量子隧穿效应引起的荧光效率下降.建立了基于多声子辅助激子复合跃迁理论的室温光致荧光光谱优化拟合方法，通过室温光致荧光光谱拟合发现，ZnO/MgO比ZnO/ZnMgO多量子阱具有更大的峰位蓝移，探讨了导致光致荧光光谱展宽的可能因素. 关键词： ZnO/MgO 多量子阱 磁控溅射 光致荧光 量子限域效应     

微量铒、锆在AA5083合金中的存在形式及作用机制

在AA5083合金中添加微量的Zr和稀土元素Er,经过半连续铸造、均匀化退火及热轧、冷轧制成板材,利用扫描电镜、透射电镜以及EDX分析发现,Er和Zr可以与Al单独形成Al3Er,Al3Zr相以及复合形成Al3(ZrEr)相,它们与Al基体之间存在共格或半共格关系,可以使合金得到强化.其中Al3(ZrEr)是比Al3Er,Al3Zr尺寸更小、分布更加弥散的强化相,当其直径小于20nm时与基体保持完全共格,是合金中有效的强化相.