吡啶盐二维电荷转移分子的设计、合成和超级化氯的测定

设计、合成了以吡啶阳离子为吸电子基团的二维电荷转移非线性光学生色团分子－双四苯鹏(反式)-4,4'-二{p-[(N-乙基-N-羟乙基)氨基]苯亚乙烯基}-N,N'-(1,2-乙基)-2,2'-联吡啶盐和双四苯硼(反式)-N-己基-咔唑-3,6-二(p-亚乙烯基-N-羟乙基-吡啶盐),利用超瑞利散射技术(HRS)测定了这两种分子的第一超级化率β,在1064nm分别为786x10^-^3^0esu和1770x10^-^3^0esu。双能级模型计算得到的β0的值分别为215x10^-^3^0esu和119x10^-^3^0esu。从分子结构的角度定性地分析了该类分子具有大β值的原因。     

新电光晶体DCNP的生长

本文报道了不同溶剂对ＤＣＮＰ晶体生长的影响，发现二甲基甲酰胺是一种好溶剂。利用降温法已生长出ＤＣＮＰ透明单晶。     

Fe3+对KDP晶体生长影响的研究

金属离子对KDP晶体的影响是多方面的。本文采用不同的过饱和度,在不同的Fe^3 掺杂浓度的生长溶液中生长KDP晶体,定量地研究了Fe^3 对KDP晶体生长的影响。实验发现,无论是在高过饱和度还是在低过饱和度下生长KDP晶体,在一定的浓度范围内,Fe^3 的掺入既可以增加生长溶液的稳定性,又可以有效抑制晶体柱面的扩展,而且晶体基本不楔化,同时,对晶体光学性能的影响也不大。     

KDP晶体中散射颗粒形成机理的研究

本文在不同掺杂条件下，采用传统降温法生长了KDP晶体，利用超显微和透射电镜对KDP晶体中的散射颗粒进行了观察，在此基础上对其进行了分类。实验结果表明，不同种类散射颗粒的形成源于溶液中杂质与晶体化学键作用力的不同，造成这一结果的根本原因与KDP晶体的结构特性密切相关。     

KDP/DKDP晶体生长的研究进展

采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展,报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态。     

KDP晶体生长过程中溶液稳定性的研究

在KDP晶体生长过程中，溶液的稳定性对KDP晶体的光学质量影响较大。溶液的稳定性是多种因素共同作用的结果。本文主要研究了过饱和KDP溶液中晶胚的分布情况、降温过程中晶体生长驱动力与降温速度之间的关系，并分析了KDP晶体实际生长过程中影响溶液稳定性的主要因素。我们认为，通过改善KDP晶体生长过程中溶液的稳定性，并与其它措施和技术相结合，是提高KDP晶体光学质量的有效途径。     

0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜的MOSD+Dipping制备

采用MOSD Dipping方法在P型Si(111)衬底上制备了0．87Na0．5Bi0．5TiO3-0．13PbTiO3薄膜。用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性。用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌。同时还研究了薄膜的存储性能。     

快速生长KDP晶体的光学性质研究

本文研究了快速生长的KDP晶体光学性质,结果表明快速生长的KDP晶体的光学性质低于传统降温法生长的晶体,原料中阴离子杂质的存在是造成这一结果的主要原因,确保快速生长晶体质量的首要条件是提高原料的纯度。     

KDP晶体中点缺陷Na取代K的电子结构研究

 对磷酸二氢钾(KDP)晶体中Na取代K点缺陷的几何结构及电子结构进行了第一性研究。计算的形成能约为0.46 eV，因此在KDP晶体中此类缺陷比较容易形成。Na取代K以后没有在带隙中形成缺陷态，但在价带中引入两个占据态。它们分别位于费米面以下49 eV和21.5 eV处，这两个占据态分别由Na原子的s和p轨道形成。相对于K来说，由于它们位于价带深处，具有很低的能量，因此Na在KDP中比K稳定。Na在KDP晶体中与周围氧原子的重叠布居仅为0.09, 故它不与主体原子发生共价作用，仅以静电库仑力影响周围原子，此缺陷周围晶格仅发生微小畸变。     

退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

 研究了磷酸二氢钾（KDP）晶体热退火前后光学均匀性的变化，发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力，提高晶体的消光比，从而提高晶体的光学均匀性。实验证明，50℃下退火即可消除部分内应力，110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高（如170℃）,也可能使晶体的均匀性降低。