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采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术,利用2.6 μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1 μm的场发射阴极的栅极空腔阵列,实现了用大阵点尺寸的栅极掩模板制备较小尺寸栅孔阵列。硅的湿法刻蚀溶液采用各向同性的硝酸和氢氟酸混合溶液,刻蚀后空腔的深度和宽度均随刻蚀时间线性增加。同时,由于刻蚀溶液具有较高的Si/SiO2 刻蚀选择比,栅极孔径随刻蚀时间增大的速度远低于深度和宽度增大的速度,栅极孔径主要取决于掩模的尺寸和氧化层的厚度。通过选择掩模板的尺寸以及氧化层的厚度,采用局部氧化技术和湿法刻蚀技术能够制备出微米或亚微米的场发射阴极的栅极空腔阵列。 相似文献
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采用基于分子轨道理论CIS(ConfigurationInteractionofSinglySubstitution)的全量子力学方法计算了掺杂Ca和Cr离子的YAG晶体中 [CrO4 ]4 -团簇离子的能级结构。结果给出了Cr4 团簇 2 0个谱项能级随Cr -O键距的变化 ,对比表明在间距为 173pm时 ,能级结构在可见光及近红外范围的主要光谱特征与实验结果符合得较好 相似文献
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方酸作桥联配体的双核铕螯合物的电致发光 总被引:2,自引:1,他引:1
利用方酸作为桥联配体合成了一种双核铕鳌合物Eu_2(DBM)_4(Sq)Phen_2 .用TPD作空穴传输材料、Eu_2(DBM)_4(Sq)Phen_2作发光材料和载流子传输材料、 8-羟基喹啉和铝(AlQ)作电子传输材料,设计了不同电致发光电特性,结果表明 Eu_2(DBM)_4(Sq)phen_2是一种同时具有空穴和电子传输能力的红色电致发光 材料,在器件结构为ITO/TPD,50nm/Eu_2(DBM)_4(Sq)Phen2,20nm/ALQ,50nm/LiF, 1nm/Al,200nm时,获得了在16V,6.9mA下有最大亮度91cd/m~2的电致发光器件. 相似文献
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Tb3+∶YAG单晶荧光层中掺杂Ga3+的荧光敏化作用 总被引:1,自引:0,他引:1
采用液相外延工艺成功制备了Tb3 + ∶YAGG单晶荧光层 ,研究了Tb3 + 激活YAG主晶格外延层中Ga3 + 掺杂的荧光敏化效应 ,可以看到在Tb3 + 荧光得到显著增强的同时 ,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga3 + 掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽 ,并与Tb3 + 的7F6 9E、7E典型吸收峰发生交叠的现象 ,用基质与Tb3 + 之间的声子耦合解释了上述Tb3 + ∶YAGG外延层中所存在的能量传递、荧光敏化现象。基质与掺杂激活中心间能量传递机制的建立将会为基于YAG主晶格的高效荧光材料研究提供一个新的思路。 相似文献
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分析非晶硅薄膜晶体管在a-SiTFT-LCD中的开关特性,讨论这种开关结构中的主要功能膜材料尺寸与性能参量、光刻制备工艺,存储电容以及栅脉冲延迟效应等对a-SiTFT-LCD的通断电流比,信号响应与保持特性,图像亮度与对比度等光学特性的影响。 相似文献
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液相外延生长Cr,Ca∶YAG晶体的光谱特性 总被引:2,自引:2,他引:0
由液相外延方法在YAG晶体衬底上得到了可饱和吸收的Cr ,Ca∶YAG晶体外延层 ,给出了Cr,Ca∶YAG晶体外延层在 5 0 0nm~ 15 0 0nm范围内的室温吸收光谱曲线。分析表明 ,由外延方法获得的Cr,Ca∶YAG晶体吸收光谱的主要特征与提拉法晶体基本相同 ,但发现在 75 0nm左右存在一个弱的吸收峰。这个吸收峰极有可能产生于四面体格位的Cr5+ ,可以归属到电偶极容许的2 B1(2 E)→2 B2 (2 T2 )跃迁。 相似文献
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Cr,Ca:YAG的液相外延生长 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了可饱和吸收体Cr^4 :YAG的液相外延生长,对双掺杂Cr,Ca:YAG外延层的吸收特性进行了分析。通过对Cr离子掺杂浓度以及外延层厚度的控制,λ=1.064μm的饱和与非饱和透过度差△T可以在5%-30%的范围内进行调节,满足单片式被动调Q微晶片激光器对饱和吸收体的设计要求。分析结果同时表明外延Cr,Ca:YAG层中还有Cr^5 离子的存在。 相似文献
10.
Cr3+离子激活的YAG外延单晶荧光层 总被引:1,自引:0,他引:1
Cr3+ 离子掺杂YAG外延层 (Cr3+ ∶YAG)的发光呈宽带谱特征 ,荧光色度坐标为x=0 .6 5 5 1、y =0 .2 949,在CIE1931色度图上相当于主波长λ≈ 6 38nm的红色光 ,并且具有较高的色饱和度 ,其发光谱中引人注目之处还在于荧光主峰的位置均在波长较长的λmax≈ 6 89nm和 70 9nm附近 ,是一种能够实现长波长 (λ≈ 70 0nm)红色光输出的单晶荧光体 ,可用作非晶硅液晶光阀投影仪的高分辨率写入光源。 相似文献