掺杂的a-Si1-xCx:H膜的LESR研究

本文系统地研究了77K下掺杂(B或P)的a-Si_1-xC_x:H膜在平衡状态和弱光照下的ESR特性,文中报道了该膜价带尾态中定域化空穴的ESR吸收谱。实验结果还表明:虽然a-Si_1-xC_x:H膜中由于B掺杂会引起光电导的改善,但却不能使悬挂键总浓度减小。 关键词：     

掺杂的a-Si_(1-x)C_x:H膜的LESR研究

本文系统地研究了77K下掺杂(B或P)的a-Si_(1-x)C_x:H膜在平衡状态和弱光照下的ESR 特性,文中报道了该膜价带尾态中定域化空穴的ESR吸收谱。实验结果还表明:虽然a-Si_(1-x)C_x:H膜中由于B掺杂会引起光电导的改善,但却不能使悬挂键总浓度减小。     

用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性

用UPS技术获得了GDa-Si_1-xC_x:H合金薄膜的价带谱,分析了掺杂和表面氧化对价带谱的影响,并结合XPS,AES等电子能谱测试手段,对这种材料的价电子分布和键合特性作了初步的研究。 关键词：     

用XPS研究GD-a-SixC1-x:H膜中等离子体激元的特征

对于GD-a-Si_xC_1-x:H薄膜进行了XPS分析,得到了一些与Katayama相类似的结果。本文将给出GD-a-Si_xC_1-x:H样品的价电子等离子激元(Plasmon)的频率ω_p以及原子浓度(N_si+N_C+N_H)随样品含碳量的变化,Si2p和C1s芯电子结合能随含碳量变化的化学移动,并对这些结果进行了初步的分析。 关键词：     

用XPS研究GD-a-Si_xC_(1-x):H膜中等离子体激元的特征

对于GD-a-Si_xC(1-x):H薄膜进行了XPS分析,得到了一些与Katayama相类似的结果。本文将给出GD-a-Si_xC_(1-x):H样品的价电子等离子激元(Plasmon)的频率ω_p以及原子浓度(N_(si) N_C N_H)随样品含碳量的变化,Si2p和C1s芯电子结合能随含碳量变化的化学移动,并对这些结果进行了初步的分析。     

用紫外光电子能谱研究a-Si_(1-x)C_x:H的价带特性

用UPS技术获得了GD a-Si_(1-x)C_x:H合金薄膜的价带谱,分析了掺杂和表面氧化对价带谱的影响,并结合XPS,AES等电子能谱测试手段,对这种材料的价电子分布和键合特性作了初步的研究。