排序方式: 共有38条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
接枝聚苯乙烯/多壁碳纳米管纳米复合材料制备及合成机理 总被引:2,自引:0,他引:2
通过原位悬浮聚合的方法,以过氧化苯甲酰(BPO)做引发剂,制备了聚苯乙烯/多壁碳纳米管(MWNT-g-PS)纳米复合材料,复合材料在水和乙醇中均表现出良好的分散性及稳定性.通过高倍透射电镜(HRTEM)、场发射扫描电镜(FESEM)分析,多壁碳纳米管上包覆有1~3 nm的聚苯乙烯膜,并分布有半径从几十纳米到几百纳米不等... 相似文献
2.
多壁碳纳米管/溴/聚苯乙炔三元复合材料导电性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过机械共混和溶液共混制备了多壁碳纳米管(MWNTs)/溴/聚苯乙炔(PPA)三元复合材料, 复合材料表现出良好的导电性能, 电导率为10 S/m, 达到掺溴MWNTs的导电水平. 通过固体紫外光谱、XPS和SEM分析了复合材料中MWNTs、溴与PPA三者之间的相互作用, 研究了独立导电单元的形成, 以及导电单元对电导率提高所起的作用. 结果表明, 当MWNTs含量较低时, MWNTs和PPA之间的溴转移导致复合材料电导率降低; MWNTs含量较高时, 独立导电单元的数目增多, 复合材料的电导率随之大幅提高. 相似文献
3.
4.
5.
将磺化聚苯乙炔(SPPA)与多壁碳纳米管(MWCNTs)超声共混制备得到SPPA/MWCNTs复合材料. 用X光电子能谱仪、固体紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、四探针、场发射扫描电镜等对复合材料导电特性及机理进行研究. 结果表明: SPPA/MWCNTs 复合材料中SPPA与MWCNTs发生电荷转移而被掺杂, 并且由于SPPA与MWCNTs间的电荷转移, 彼此间存在一定的相互作用力; 复合材料电阻呈负温度系数效应; SPPA/MWCNTs复合材料电导率发生两次突跃. 可能的导电机理为, 复合材料中SPPA不仅被MWCNTs物理填充, 同时还被MWCNTs掺杂, 复合材料中存在两种导电通路, 一是SPPA与MWCNTs的碳原子发生电荷转移而被掺杂, 彼此之间存在一定的相互作用力, 导致SPPA包裹MWCNTs形成独立导体单元, 这种独立单元相互接触形成导电通路; 二是MWCNTs彼此之间相互接触形成导电通路, 并建立了该导电机理的理论模型. 相似文献
6.
聚噻吩/多壁碳纳米管复合材料的导电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
通过共混多壁碳纳米管(MWNTs)和聚噻吩(PTh), 制备了PTh/MWNTs复合材料, 复合材料表现出良好的导电性能(电导率达16.1 S/m). 通过Raman, TG, XPS, UV-Vis等对复合材料进行了分析, 结果表明, MWNTs和 PTh之间存在强的相互作用, MWNTs上的离域电子与噻吩共轭主链上的π电子之间形成π-π共轭, 电子从MWNTs转移到聚噻吩, 增加了噻吩主链的有效共轭长度, 提高了复合材料的导电性能. FESEM分析表明, MWNTs和它周围被掺杂的聚噻吩通过π-π共轭作用结合在一起, 形成相对独立的导电单元, 在复合材料的导电体系中起到主要作用. 相似文献
7.
8.
将磺化聚苯乙炔(SPPA)与多壁碳纳米管(MWNT)超声共混制备得到SPPA/MWNT复合材料. 用四探针电阻率测试、场发射扫描电镜(FESEM)、XPS、UV-Vis、XRD等方法对复合材料导电机理进行研究. 结果表明, SPPA/MWNT的电导率发生两次突跃;掺杂剂MWNT具有低的临界阈值; 临界阈值附近, 复合材料中MWNT具有不连续分布的现象及复合材料电阻呈负温度系数(NTC)效应; SPPA/MWNT复合材料中MWNT的碳原子对SPPA 进行掺杂. 推测复合材料的导电机理为, 共轭聚合物SPPA不仅被导电粒子MWNT物理填充, 同时还被MWNT的碳原子掺杂, 使复合材料中存在两种导电通路而导电, 一是因被掺杂而成为高电导率主体的SPPA相互接触形成的导电通路, 二是MWNT相互接触形成的导电通路. 相似文献
9.
纳米羟基磷灰石制备及其对溶液中苯酚吸附的优化设计 总被引:3,自引:0,他引:3
采用化学沉淀法制备得到纳米羟基磷灰石(n-HAp)粉体,研究了n-HAp粉体对水溶液中苯酚的吸附性能,并初步探讨了其在粉体上的吸附机理,在低浓度(5~30mg/L)时的吸附符合Freundlich等温吸附模型。实验结果表明,n-HAp粉体对苯酚具有较好的吸附效果,2h可基本达到吸附平衡。利用正交设计实验探讨了粉体煅烧温度、吸附温度、吸附时间、溶液pH等因素对吸附效果的影响。正交实验结果统计分析表明,各种因素对吸附的影响程度依次为:溶液pH>煅烧温度>振荡温度>振荡时间。pH对吸附性能的影响最明显,强酸和强碱环境能有效提高n-HAp对苯酚的吸附量。 相似文献
10.
CVD法不同条件下制备的多壁碳纳米管的Fenton氧化改性 总被引:2,自引:0,他引:2
碳纳米管经焙烧和稀硝酸纯化处理后,在相同的实验条件下,采用Fenton试剂产生的·OH分别对CVD法合成的两种制备条件不同的多壁碳纳米管进行氧化改性处理。红外光谱(FT IR)表明,改性后的两种碳管结构中都引入了羟基、羰基和羧基等含氧官能团。此外,由于制备条件不同,导致它们的石墨化程度、缺陷含量和抗氧化能力等性质也不同,因此CVD法制备条件能够对碳管Fenton氧化改性结果产生重要影响。机理分析表明,这些含氧官能团可以看作是具有强亲电性和强氧化性的·OH对碳管上缺陷位置和不饱和键进行攻击的结果。 相似文献