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1.
以Ce(NO3)3·6H2O、橘子皮为原料,利用共沉积法制备氧化铈水合物与橘子皮混合物(CeO2·xH2O@OPP),通过在N2中煅烧CeO2·xH2O@OPP获得CeO2@C复合材料。利用FT-IR、X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱、UV-Vis、X射线光电子能谱、光电流测试方法对合成材料进行了表征。结果表明,CeO2@C保留了较多的有机官能团,材料内具有较丰富的氧空穴及碳键,Ce、C、O元素均匀分布于材料内。光催化实验结果表明,在CeO2中引入碳有利于光生电子与空穴分离,提高光电流强度及光催化效率,且CeO2@C中碳含量对有机染料吸附及光催化效率影响较大。 相似文献
2.
3.
合成了4个新的基于多胺酚配体的Dy(Ⅲ)和Zn/Ni-Dy(Ⅲ)配合物:[Dy(CH_3OCH3)L](1),[Dy2(μ-H2O)L2](2),[Zn2DyL2]ClO4·H2O(3)和[Ni2DyL2]ClO4·H2O (4)(H3L=N,N′,N″-三(3,5-二甲基-2-羟基苯酚)-1,4,7-三氮杂环壬烷)。X射线单晶衍射分析表明,配合物1和2分别为单核和双核Dy(Ⅲ)配合物,3和4为M-Dy(Ⅲ)-M三核配合物(M=Zn (3),Ni (4))。磁性测试表明,配合物1和2具有场诱导的慢磁弛豫行为,且2具有多个磁弛豫过程,配合物3和4中没有观察到明显的慢磁弛豫行为。荧光测试表明,配合物1~3具有Dy(Ⅲ)离子典型的窄带特征发射,由于Ni(Ⅱ)离子的荧光猝灭作用,配合物4没有明显的荧光产生。 相似文献
4.
运用传输矩阵法和正交分析法模拟计算出MoO3/Ag/MoO3透明电极的最佳厚度,采用镀膜实验验证模拟计算的准确性,制备了一系列不同MoO3膜厚度和Ag膜厚度的透明电极。然后,制备了一系列顶发射有机电致发光器件:铝/氟化锂(LiF)/三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)/N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺/三氧化钼(MoO3)/银(Ag)/三氧化钼(MoO3),来进一步验证模拟计算运用在器件制备中的准确性。MoO3(10 nm)/Ag(10 nm)/MoO3(25 nm)在532 nm处的透射率达到最大值88.256%,以该透明电极制备的器件与参考器件相比,性能有了明显提高,最大亮度和最大效率分别为20 076 cd/m2和4.03 cd/A,提高了18.5%和56%。器件性能的提高归因于顶发射OLED器件透射率的提高和MoO3对空穴注入能力的提升。 相似文献
6.
7.
8.
选取山西省为研究对象,以美国国家极轨合作仪件-可见红外成像辐射计套件(NPP-VIIRS)夜间灯光数据、GDP统计数据等为数据源,构建GDP空间化拟合模型,建立山西省GDP密度图,据此研究山西省经济的空间差异性。通过对NPP-VIIRS夜间灯光数据的空间化处理,提取灯光指数,并将其与GDP进行回归拟合,建立最佳回归模型,得到GDP密度拟合图;利用县级GDP数据进行线性纠正,从而提高GDP的模拟精度。结果表明:(1)NPP-VIIRS夜间灯光数据与GDP的相关性较高,可用于山西省GDP模拟;(2)与GDP分区建模相比,GDP整体建模的精度更高;(3)山西省GDP的空间分布整体呈由城市中心逐渐向周边辐射的特点,构成GDP过渡带。 相似文献
9.
Enhanced thermoelectric properties of p-type polycrystalline SnSe by regulating the anisotropic crystal growth and Sn vacancy 下载免费PDF全文
Thermoelectric selenides have attracted more and more attentions recently.Herein,p-type Sn Se polycrystalline bulk materials with good thermoelectric properties are presented.By using the SnSe_2 nanostructures synthesized via a wetchemistry route as the precursor,polycrystalline Sn Se bulk materials were successfully obtained by a combined heattreating process under reducing atmosphere and following spark plasma sintering procedure.As a reference,the Sn Se nanostructures synthesized via a wet-chemistry route were also fabricated into polycrystalline bulk materials through the same process.The thermoelectric properties of the Sn Se polycrystalline transformed from SnSe_2 nanostructures indicate that the increasing of heattreating temperature could effectively decrease the electrical resistivity,whereas the decrease in Seebeck coefficient is nearly invisible.As a result,the maximum power factor is enhanced from 5.06×10~(-4)W/m·K~2to 8.08×10~(-4)W/m·K~2at 612~?C.On the other hand,the reference sample,which was obtained by using Sn Se nanostructures as the precursor,displays very poor power factor of only 1.30×10~(-4)W/m·K~2at 537~?C.The x-ray diffraction(XRD),scanning electron microscope(SEM),x-ray fluorescence(XRF),and Hall effect characterizations suggest that the anisotropic crystal growth and existing Sn vacancy might be responsible for the enhanced electrical transport in the polycrystalline Sn Se prepared by using SnSe_2 precursor.On the other hand,the impact of heat-treating temperature on thermal conductivity is not obvious.Owing to the boosting of power factor,a high z T value of 1.07 at 612~?C is achieved.This study provides a new method to synthesize polycrystalline Sn Se and pave a way to improve the thermoelectric properties of polycrystalline bulk materials with similar layered structure. 相似文献
10.