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1.
通过刻画无限维完备的不定内积空间上双边保幂等元正交性的双射,得到了?-标准算子代数之间完全保持不定Jordan 1-?-零积满射的具体结构形式,进而证明了这样的映射是同构或者共轭同构的非零常数倍. 相似文献
2.
探索提高金属表面真空击穿阈值的方法,对脉冲功率技术的发展和应用具有重要意义。在金属表面电子发射理论分析的基础上,采用有限元法计算阴极杆表面电场随二极管电压的变化规律,设计了实验系统,并开展了实验研究。实验对比了在脉宽约30 ns、阴极杆与阳极筒间隙12 mm时,钛合金TC4阴极杆在不同种类高分子膜(膜厚30~60 μm)下真空击穿阈值的变化情况。在表面粗糙度Rz(轮廓最大高度)为0.8 μm的TC4阴极杆表面分别镀环氧树脂膜和丙烯酸膜,实验结果表明,镀丙烯酸膜阴极杆的击穿阈值约505 kV/cm,相对于不镀膜阴极杆,击穿场强提高了约20.6%;在表面粗糙度Rz为0.2 μm的TC4阴极杆表面分别镀聚酰亚胺膜和聚醚醚酮膜,实验结果表明,镀聚酰亚胺膜阴极杆的击穿阈值为584 kV/cm,相对于不镀膜阴极杆,击穿场强提高了约28.1%。因此,在金属表面镀丙烯酸膜、聚酰亚胺膜可以有效提高金属表面的真空击穿阈值。 相似文献
4.
将CR2032型锂离子电池的制作及电化学性能测试实验设计为大学化学本科生的综合实验并将其应用于本科教学中,建立起基于锂离子电池用正极材料的合成、表征、电极制备及电池组装和性能测试的综合性开放实验。实验以无机材料制备为实验基础,以电化学原理为理论基础,通过文献查阅、确立合成路线、材料制备及表征、锂离子电池制作与测试等多项综合实验内容,使学生了解目前常见的正极材料种类、合成方法、电池的基本结构以及电池性能的测试方法。在教学过程中以学生主动探索为主体,培养学生的科学探究素养,锻炼学生查阅文献、自主设计实验和合作开发的能力。 相似文献
5.
介绍了D*-度量空间中的相关知识, 并基于D*-度量空间, 将度量空间中与两种距离控制函数(ψ,?)有关的广义弱压缩映射推广到D*-度量空间, 通过构造迭代序列,讨论了广义弱压缩条件下映射不动点的存在性和唯一性, 给出了几个不动点定理, 所得结果丰富了D*-度量空间的不动点理论。 相似文献
6.
竞争性自适应重加权算法和相关系数法提取特征波长检测番茄叶片真菌病害 总被引:1,自引:0,他引:1
基于竞争性自适应重加权算法(CARS)和相关系数法(CA)特征波长选择方法,提出了利用可见-近红外高光谱成像技术检测番茄叶片灰霉病的方法。首先获取380~1 023nm波段范围内80个染病和80个健康番茄叶片的高光谱图像,然后提取染病和健康叶片感兴趣区域(ROI)的光谱反射率值,作为番茄叶片灰霉病鉴别模型的输入来建立支持向量机(SVM)鉴别模型,训练集和验证集的鉴别率都是100%。研究进一步通过CARS和CA提取特征波长,分别得到5个(554,694,696,738和880nm)和4个(527,555,571和633nm)特征波长,然后分别建立CARS-SVM和CA-SVM鉴别模型。结果显示,CARS-SVM模型中训练集和验证集的鉴别率都是100%,CA-SVM模型中训练集和验证集的鉴别率分别是91.59%和92.45%。以上结果说明了从可见-近红外高光谱图像中提取的光谱反射率值用于检测番茄叶片的灰霉病是可行的。 相似文献
7.
8.
采用化学接枝聚合法制备了聚丙烯酸铅辐射防护材料,利用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)和扫描电镜(SEM)对其结构进行了分析,并利用多道γ谱仪测量了其屏蔽率.利用EGSnrc软件,通过蒙特卡罗模拟,理论计算了防护材料的屏蔽率,讨论了引入样品前后,注量和剂量的变化规律.结果表明:制备的防护材料具有优良的屏蔽性能,其屏蔽效果与射线能量有关.在纯空气介质中,注量和剂量的变化均与粒子能量相关,注量随深度成不连续的阶梯分布,梯高相等,梯宽逐渐变窄,剂量随深度缓慢增加.样品引入后,在空气介质区域,注量和剂量的变化不再与能量相关,而与样品的厚度有关.样品介质区域和空气介质区域的注量都成非线性变化,注量和剂量的变化率在样品与空气分界处,出现了明显的转折.
关键词:
辐射防护
屏蔽性能
EGSnrc 相似文献
9.
从一个新的角度对布尔代数的子代数理论作进一步研究.给定一个具有最小元的偏序集,将superior映射应用于布尔代数理论相结合,给出了布尔代数的superior子代数概念,讨论了superior子代数的一些性质,最后还研究了superior子代数若干等价刻画. 相似文献
10.
采用X射线吸收近边结构(XANES)谱对多晶Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)发光粉体中Ce元素的化合价状态进行了表征,结果表明:在空气下煅烧后得到的不同Ce掺杂浓度的LSO∶Ce粉体中,Ce3+在总掺杂Ce中的含量仅为18%~39%;而经1 000℃/2 h的氢气气氛下退火后,LSO∶0.5%Ce粉体中Ce3+的相对含量由39%大幅提高到83%。真空紫外(VUV)激发发射光谱表明:当Ce的掺杂摩尔分数为0.25%~1%时,Ce3+的摩尔分数与LSO∶Ce粉体的发光强度具有很好的关联性。氢气退火处理可以使LSO∶Ce粉体的发光强度提高近40%。LSO∶Ce粉体在变温条件(50~250 K)下的发射强度表现出良好的稳定性,未观察到热猝灭现象发生。 相似文献