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1.
 在利用等离子体增强脉冲激光沉积系统沉积立方氮化硼(cBN)薄膜时,发现了氮化硼(BN)材料的E-BN相,并利用扫描电镜和红外吸收光谱及X射线衍射技术对薄膜样品进行了分析,得到了制备较高质量E-BN薄膜的一些热力学参数及时间参数,验证了现有的E-BN结构的形成理论。  相似文献   
2.
由于氮化硼特别是立方氮化硼(c-BN)的独特性质和广泛的应用前景,一直受到材料研究工作者的广泛关注。本研究利用脉冲激光在室温下沉积出立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外光谱和X射线衍射分析表明在所制备的氮化硼薄膜中,立方相的含量很高;同时,该研究还观察到了氮化硼的另一种高压相--爆炸结构氮化硼(Explosive-BN,E-BN)。本研究同时还讨论了氮化硼薄膜生长的原理。  相似文献   
3.
Zn1-xMgxO薄膜p型导电和光学性能   总被引:9,自引:9,他引:0       下载免费PDF全文
采用超声喷雾热分解(Ultrasonic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶Si(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-Al共掺杂ZnO和N-Al共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD)、场发射-扫描电镜(FE-SEM)、霍尔效应(Hall-effect)、光致发光(Photoluminescence,PL)谱等手段研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性能、光学性能和带隙变化。电学测试结果表明,未掺杂ZnO及Zn0.81Mg0.19O薄膜为n型导电;而N-Al共掺杂ZnO和N-Al共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜呈p型导电。Zn0.81Mg0.19O和N-Al共掺杂Zn0.81Mg0.19O(p型)薄膜在维持ZnO纤锌矿结构的前提下,光学带隙随Mg掺杂量增加而增大。初步结果显示,优化工艺参数下通过Mg掺杂制备光学带隙可调的p型Zn0.81Mg0.19O薄膜,对于试制Zn1-xMgxO基同质p-n结、短波长(紫外、深紫外)器件等方面有重要意义。  相似文献   
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