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1.
由于具有优异的压电性能,弛豫铁电单晶自上世纪90年代问世以来即成为了铁电压电领域研究的热点材料,并被认为是研发下一代高性能换能器、传感器等器件的重要压电材料。弛豫铁电单晶不但压电常数可达2500 pC/N,约为软性Pb(Zr,Ti)O3(PZT)陶瓷的5倍,而且其电致应变滞后也远小于软性PZT陶瓷。因此,弛豫铁电单晶高压电性能的产生机理一直是铁电压电领域的研究热点。本文主要介绍了弛豫铁电单晶材料在近些年的发展,从本征压电效应(晶格压电畸变)的角度归纳总结了弛豫铁电单晶高压电效应的产生机理,着重探讨了弛豫铁电单晶的重要特点—剪切压电效应。在本征效应的基础上,本文对弛豫铁电单晶压电效应与晶体组分、切向以及温度的关系进行了分析。需要指出的是,目前基于本征角度对弛豫铁电单晶高压电效应的分析仍处于定性的阶段,因而还不能完全排除一些可能导致弛豫铁电单晶高压电效应的非本征物理机制。  相似文献   
2.
本文首次报道了利用倍频方向的籽晶生长GdCa4O(BO3)3:Yb(GdCOB:Yb)晶体,通过控制温场及生长速度可以得到高光学质量的晶体。分析了晶体的生长习性及孪晶的形成。通过与b向生长的晶体相比较,认为以倍频方向生长的晶体加工器件时,可以极大地提高利用率(从50%提高到90%)。测量了晶体的室温透过谱和荧光谱。利用976nm的激光二极管及列阵二极管作为泵浦源,测量了晶体沿最佳倍频方向的激光输出  相似文献   
3.
利用倒置相关显微锐观察了用于蓝紫光倍频的硫氰酸汞镉晶体(CdHg(SCN)4)在3%的KCL溶液中的生长形貌:在(100)面上呈现为生长直线台阶列,在锥面上呈现生长丘。在溶液循环流动的情况下测量了晶体的生长速率,发现晶体在过饱和度低于2.5%时不生长。计算了晶体不同面的界面相变熵因子。通过三者综合分析得到晶体为多二维成核生长机制。  相似文献   
4.
掺杂YCa4O(BO3)3晶体的生长与性质研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用提拉方法,首次使用铂坩埚在大气气氛下的生长出在尺寸,高质量的非线性光学晶体YCa4O(BO3)3(YCOB)。典型晶体尺寸为直径15-20mm,长度30-40mm,对晶体进行掺杂改性研究,已分别生长出掺杂浓度为5%的Nd:YCOB,Er:YCOB和参杂浓度为20%的Yb:YCOB晶体。对沿不同方向生长的晶体的习性和缺陷进行了研究。晶体的生长是以典型的二维成核层状生长的。当沿(201)方向生长时  相似文献   
5.
吴金根  高翔宇  陈建国  王春明  张树君  董蜀湘 《物理学报》2018,67(20):207701-207701
作为重要的功能材料,压电材料已经在国民经济的多个领域里有着重要应用.随着现代工业的快速发展,特别是新能源、交通和国防工业的高速发展,功能材料的应用已经从常规使用转向极端环境下的服役.本文综述了具有高居里点的压电材料,包括钙钛矿型压电陶瓷、铋层状结构氧化物压电陶瓷、钨青铜结构压电陶瓷以及非铁电压电单晶等;介绍了其晶体结构特征和高温压电性能、最新研究进展,并列举了一系列的高温压电器件和应用,包括高温压电探测器、传感器、换能器和驱动器等.另外,本文总结了高温压电材料的热点研究问题,并展望了今后的发展方向.  相似文献   
6.
利用相衬显微镜结合化学腐蚀法,进行了沿(010)方向提拉生长的GdCa4O(BO3)3(GdCOB)晶体中的缺陷观。发现位错是(010)方向生长的晶体中的重要缺陷。在不同方向的晶体切片上观察了螺位错和刃位错蚀坑,位错塞积,平底蚀坑及尖底蚀坑。位错密度随晶体长度的变化而变化。在晶体的尾部观测到位错密度为103/cm2,而在晶体的初始部位位错密度很低,只有40/cm2。在晶体的X,Z及(401)方向的切片的正反两面观察到的位错蚀坑现象完全不同,可以认为GdCOB晶体为单畴极性晶体,自发极化方向沿Z轴方向。  相似文献   
7.
本文报道了用Er2O3,BaCl2.2H2O和NH4Cl直接合成新型激光上转换晶体Ba2ErCl7的原料和单晶生长方法.差热分析(DTA)测得其熔点为643.7℃.能谱分析(EDS)结果显示Ba∶Er=2∶1,扫描电镜(SEM)显示出晶体的结晶习性.分别用Czochralski和Bridgman方法得到厘米级单晶.晶体在808nm LD激光下产生强上转换绿色激光,阈值低.文中还讨论了合成反应的机理和晶体产生开裂的原因.  相似文献   
8.
用Czochralski 法生长了高光学质量、大尺寸的NaY(WO4)2∶Sm3+单晶.测量了晶体在室温下的吸收谱,对跃迁的能级进行了指认.在946nm泵浦下测量了晶体的上转换荧光发射谱.研究了NYW晶体中Sm3+上转换发光的机制.  相似文献   
9.
一种新型晶体GdCa4O(BO3)3的非线性光学性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
计算和测量了GCOB晶体的相位匹配曲线,理论计算与实验测量结果符合的很好。用电光调Q的Nd:YAG激光器对5mm和匠GCOB晶体进行了倍频研究,得到了26.7%的倍频转换效率。并与同样长度的BBO晶体进行比较,得出了GCOB晶体的有效非线性光学系数接近BBO晶体的有效非线性光学系数的结论。  相似文献   
10.
从光栅擦除特性、光致吸收和热激发能三方面的实验和理论分析 ,证明了掺铜KNSBN晶体中除了掺入的铜离子作为深能级中心外 ,还存在浅能级中心 ,并认为它是晶体生长过程形成的氧空位。实验发现温度在 36 0K附近有最大的光折变二波耦合 (TWM )增益系数 ,利用双中心双光栅模型对此作了解释 ,阐明了此浅能级中心在光折变效应中的作用。  相似文献   
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