高考专题复习系列讲座(1)——函数

1.高考热点和复习建议函数是高中数学乃至整个数学知识体系的核心和基础,其概念、性质及反映出的思想方法贯穿整个高中数学,函数与其他知识的综合问题,一直是历年高考的热点.分析近年的高考试题,函数部分主要有以下热点:1)突出了对基础知识的考查,函数的概念、表示方法、定义域     

高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究

采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度In_xGa_1-xN (0≤x≤0.3)外延材料样品. 对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究. 研究发现：在固定Mg掺杂浓度下，随In组分的提高，样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×10¹⁹cm^-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级；通过对Mg掺杂InGaN(InGaN：Mg)样品的光致发光(PL)谱的分析，解释了InGaN：Mg样品的载流子跃迁机理，并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置. 关键词： Mg掺杂InGaN 高空穴浓度 光致发光 金属有机物化学气相沉积     

高考专题复习系列讲座（1）——函数

函数是高中数学乃至整个数学知识体系的核心和基础，其概念、性质及反映出的思想方法贯穿整个高中数学，函数与其他知识的综合问题，一直是历年高考的热点．分析近年的高考试题，函数部分主要有以下热点.     

Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究

采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜，并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析，发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高，说明Delta掺杂可有效抑制缺陷，并对缺陷抑制机理进行了讨论；最后，对掺杂前的预通氨过程作了深入的研究，结果发现，预通氨对掺杂不益. 关键词： 氮化镓 LEDs MOCVD Delta掺杂