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1.
本文将前文提出的对EHMO理论改进的校正因子(I_p~O-Y_p)e~(-a/2R)推广应用于异核双原子分子和多原子分子。用异核双原子分子LiH,NaH,KH,CuH,MgH,CaH,OH,HCl,HF,BeO,NaCl,NaNe和多原子分子BrCN,CH_4,CH_3F,,考核了改进EHMO理论的计算通式,得到了较满意结果。结果表明,经改进后的EHMO计算通式,用于研讨分子的稳定空间构型时,所得结果与实验值间误差不大于30%。  相似文献   
2.
采用基于密度泛函理论的线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)从头计算方法,研究了β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构,得到了它们的能隙分别为:4.1751,5.1788和4.0279eV。对于β-C3N4,由于N的部分2p电子占据了非键轨道,禁带宽度较窄;对于β-Si3N4关键词:  相似文献   
3.
多孔硅尺寸的理论研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
资剑  张开明 《物理学报》1997,46(2):340-344
研究了球形纳米硅的振动特性及Raman谱,建立了Raman移动与尺寸的对应关系.用球形纳米硅来模拟多孔硅,发现多孔硅的尺寸比通常认为的尺度要小得多 关键词:  相似文献   
4.
田曾举  黄绮  张开明 《物理学报》1985,34(4):552-557
利用多重散射Xα自洽场方法研究了H在Al(111)表面吸附的桥位和顶位模型。结果表明顶位吸附的结合能优于桥位。顶位吸附中H的1s电子与Al相互作用形成不同形式的σ键,本文分析了这些成键细节,并给出了顶位吸附的态密度。 关键词:  相似文献   
5.
王坚  资剑  张开明  谢希德 《中国物理》1993,2(6):423-429
Structural behaviors of silicon and germanium clusters under the recently proposed modified Stillinger-Weber (SW) potential have been studied by molecular dynamics method along with the con-jugate-gradient optimization. Since the SW potentials have been derived from the properties of bulk materials, it gives relatively large discrepancy when the cluster number is small, e.g. n=3 and 4. When n>4, the ground-state structures under the modified SW potential are close to that from the first-principle calculation. The binding energies are also improved under the modified SW potential. These results may be attributed to the relative enhancement of the two-body term over the three-body term in the modified SW potential, which leads to structures with a preferential coordination number 4. Structural behaviors of germanium clusters are similar to those of silicon.  相似文献   
6.
黄丹耘  车静光  张开明 《物理学报》1999,48(10):1904-1910
用第一性原理总能计算方法,计算了Mo和W表面吸附金属Rh薄膜前后[111],[110]方向的表面能.计算结果表明,清洁Mo和W的(111)面不会发生{111}小面再构,与实验观察一致,当Rh的覆盖厚度达到一物理单层后,Rh/Mo(111)仍不会形成{110}小面;面Rh/W(111)满足小面再构到{110}的热力学条件,在一定条件下可能形成{110}小面. 关键词:  相似文献   
7.
利用多重散射X_α自洽场方法研究了H在Al(111)表面吸附的桥位和顶位模型。结果表明顶位吸附的结合能优于桥位。顶位吸附中H的1s电子与Al相互作用形成不同形式的σ键,本文分析了这些成键细节,并给出了顶位吸附的态密度。  相似文献   
8.
叶令  张开明 《物理学报》1987,36(1):47-53
本文中用自洽总能量密度泛函集团方法研究了Ⅶ族的Ⅰ在Si(111)和Ge(111)表面的吸附。分别采用了两种集团模型来模拟顶位和三度位构型,用总能量极小原理确定了吸附的最佳构型和吸附能量,得到顶位比三度位吸附更为稳定的结果,与SEXAFS实验结果一致。本文还计算了Ⅶ族元素F,Cl,Br,I在Si(111)顶位吸附的状态密度,讨论了这系列DOS的变化情况,并与实验或其他理论结果进行了比较,最后还讨论了半经验EHT方法的适用性及限制。 关键词:  相似文献   
9.
张开明  叶令 《物理学报》1980,29(6):686-692
本文研究GaAs(110)面旋转弛豫的电子结构,采用一个原子集团来模拟GaAs(110)面,在其内边界上用一些“类Ga”和“类As”原子来钝化伸向体内的悬挂键,以消除由于有限模型而引起的多余边界效应。用EHT方法计算集团的总能量,由能量极小定出GaAs(110)面最稳定的弛豫位置为表面旋转角ω=18°,表面Ga原子向体内下降0.33?,As原子上升0.13?,这与Pandey等人从光电子部分产额谱所得的结果基本一致。本文还计算了理想和弛豫的GaAs(110)面的态密度,发现对于理想的(110)面禁带中确实存在一个空的表面峰。弛豫后,该峰向上移动进入导带,禁带中不再出现表面峰,与实验结果相符。 关键词:  相似文献   
10.
张开明  叶令 《物理学报》1981,30(8):1117-1121
本文主要研究Cl是吸附在GaAs(110)理想表面还是弛豫表面,是与表面正离子成键还是与表面负离子成键。计算采用集团模型和密度自洽的EHT方法。结果表明Cl只能吸附在弛豫的GaAs(110)面上,与表面As原子成键。在这个位置上吸附Cl的态密度与实验符合较好。 关键词:  相似文献   
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