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1.
测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用Varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升高迅速展宽,这主要归因于声子关联作用增强和激子热离化为自由载流子所致;阱宽越窄荧光峰值能量越高,将其与量子尺寸效应的理论计算结果进行了比较。文中还考察了谱线半峰全宽和阱宽的关系,利用合金无序对这一现象进行了解释。  相似文献   
2.
以喇曼光谱和红外测温仪为表征手段,研究了聚合物电致发光器件在施加不同电流密度的工作条件下器件内部热效应对器件老化的影响.通过实验得到器件内发光层的斯托克斯喇曼信号和反斯托克斯喇曼信号强度的比值,代入波尔兹曼方程计算得到该层对应的温度,从而达到精确测量器件内部工作温度的目的.通过对器件施加0~169 mA/cm2的电流密度,发现器件内部工作温度逐渐升高,最终达到有机层的玻璃化转变温度后,发光层材料发生相变,变成游离状的液态,这种状态不稳定,造成发光层材料的局部缺陷,使得器件阴阳极短接导致器件短路,从而发光失败.实验表明喇曼光谱是一种探测薄膜器件内部工作层温度的有效手段,  相似文献   
3.
用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了不同si掺杂浓度(从1016cm-3到1018cm-3)的,n-GaAs薄膜.通过在室温下拉曼光谱的测量对n-GaAs薄膜的谱形进行了分析,拉曼位移出现了明显的移动,光学横模TO峰相对的增强,光学纵模LO峰相对的减弱.文章分析了原因这是由于Si掺杂浓度不断的提高,致使界面失配位错不断地提高造成的,内部应力也在不断的增大,原来的晶格振动平衡被破坏,四价Si替代了三价Ga致使谱线移动.并且由于横声子模具有Raman活性,横声子模被相对的增强了.实验结果与理论是互相吻合的.  相似文献   
4.
采用互相关分析的光谱预处理方法与一元线性回归结合 ,利用近红外光谱法定量检测了苯和甲苯混合物溶液中苯的体积百分比含量 ;从理论和实验两个方面证明了在一定的条件下经过互相关变换后的光谱信号与目标物质浓度含量呈正比例关系 ,利用这个正比例关系建立一元线性回归方程可以定量检测混合物中目标物质的含量。并且深入探讨了互相关分析作为一种近红外光谱预测量方法的优缺点  相似文献   
5.
1-苯胺基萘 - 8-磺酸盐 (ANS)在不同的固体基质中发光特性的研究发现 :(1 ) ANS分子发射峰位置与在甲醇溶液中相比 ,发生明显的蓝移 ,可能是由于约束在固体基质中的荧光分子的运动受到一定的限制而接近单分子发光的行为。与纯粉末 ANS荧光相比 ,发生红移。ANS在极性的滑石基质中 ,发射峰移向更短的波长 ,在非极性的石蜡基质中移向更长的波长 ,反映固体基质微观环境的变化。 (2 ) ANS分子荧光寿命明显缩短 ,主要原因是在固体基质中 ,荧光发射速率常数 kf 增大。 (3) ANS分子相对量子产率明显增大 ,荧光分子运动受限 ,减弱分子之间的相互作用 ,减小了由于碰撞引起的猝灭 ,分子结构刚性增强。该结果对于研究固体基质的物化性质、探讨光化学反应中能量转移现象具有重要意义。  相似文献   
6.
基于近红外光谱技术的石油组分定量分析新方法   总被引:13,自引:1,他引:12  
针对石油化工产品生产控制和质量检查的需要,为提高测定产品组成的效率,将近红外光谱法作为基础测定方法,以直馏柴油、加氢精制柴油和催化裂化柴油为校正模型的训练样本,测定其中饱和烃、胶质、单环芳烃、双环芳烃、三环芳烃和环烷烃的组成,论述了采用模糊神经网络建立校正模型测定石油化工产品组成的可行性。基于dSPACE硬件平台,用验证样本对模糊神经网络校正模型进行了检验,实验结果表明,该方法响应快、误差小、鲁棒性强,在近红外长波区内,校正样品和验证样品的均方误差小于10^-6。该方法可用于石油化工产品的生产工艺研究中。  相似文献   
7.
一种新型共轭聚合物发光二极管老化的拉曼光谱研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
通过显微共焦拉曼光谱 ,对一种以新型的共轭聚合物半导体材料 3,4 (2 乙基己氧基 )苯基 1,3 丙二醇酯 (poly(2 (4 Ethylhexyl) phenyl 1,4 phenylenevinylene) (P PPV) )为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)器件进行了老化研究 ,无论是光致发光光谱还是拉曼光谱都提供证据说明造成器件老化的原因主要是发光层的聚合物的主链结构 ,即聚合物的共轭结构被破坏 ,这对提高以P PPV作为发光层的PLEDs器件的性能提出有用信息。  相似文献   
8.
绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/Al阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7nm的LiF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压.电流特性、发光强度及外量子效率,以及电流效率等发光性能指标)上能够与工作性能优良但稳定性较差的Ba(Ca)/Al电极结构PLEDs器件的发光特性具有可比性。这对于研制高效率、高稳定的聚合物电致发光器件并最终将其用于商业目的,具有重大现实意义。  相似文献   
9.
张光寅  张存洲 《物理学报》1966,22(9):982-1003
本文利用基本反射光谱资料,导出了二十多种金刚石型和闪锌矿型半导体的导带结构。指出了导带结构上的一些特征及其与元素周期表之间的联系。着重分析了反对称势对能带结构的影响,并找到了闪锌矿型和金刚石型半导体能带结构之间的内在联系,从而更好地说明了各个闪锌矿型半导体能带结构上的特殊性。  相似文献   
10.
A~(Ⅱ)B~(Ⅳ)C_2~Ⅴ三元化合物,作为一类具有应用前途的新型半导体材料,近来引起了人们的注意。这是因为它们在物理化学性质、电学性质等方面与相应的等电子系列的Ⅲ-V族化合物半导体有很多相近的地方。特别是 CdSnAs_2 已被人们作了较多的研究,由于具有高值迁移率而受到极大的重视(霍尔迁移率μ_e=22000—25000厘米~2/伏·秒)。  相似文献   
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