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1.
通过分子动力学方法模拟了在碳纳米管内填充一定数目的半导体元素硅形成碳纳米管-硅纳米线复合结构的过程,并采用Lindemann指数研究了这种复合结构的热稳定性.计算结果表明,当考虑碳纳米管和硅纳米线轴向方向的周期性边界条件之后,在C(13,0)和C (14,0)碳纳米管内能够形成亚稳结构的硅纳米线Si16NW和Si20NW,从而获得一种碳纳米管-硅纳米线的新型复合结构.通过计算这种复合结构的Lindemann指数,可以看到由于碳纳米管的保护作用,碳纳米管包裹的硅纳
关键词:
复合结构
纳米线
碳纳米管
分子动力学 相似文献
2.
本文采用分子动力学模拟方法研究了扶手型碳纳米管包裹Ni纳米线的复合结构, 主要讨论内部Ni纳米线的螺旋度和热稳定性.结果表明, Ni纳米线为多壳层螺旋结构, 各壳层是由多条Ni原子链螺旋而成,不同层的螺旋度不同,内层的螺旋度明显大于外层. 当每层的Ni原子链条数为3的整数倍时,其螺旋度最大. Ni纳米线的螺旋度与碳纳米管的管径相关,各层螺旋度的大小随管径的增加有明显的周期性变化. 碳纳米管对Ni纳米线有很好的保护作用,即使是高温对Ni纳米线的结构及螺旋度也影响很小. 相似文献
3.
采用分子动力学模拟方法, 研究了填充在(8,8)单壁碳纳米管内的Au纳米线的结构和热稳定性. 研究表明, 经高温退火至室温, Au在碳纳米管内能生成多样而稳定的结构上明显区别于自由状态Au纳米线的壳层螺旋结构Au纳米线, 其螺旋结构会随着温度的变化而转变. 束缚在碳纳米管内的壳层螺旋结构Au纳米线有非常好的热稳定性, 稳定温度高于块体Au晶体的熔化温度.
关键词:
纳米线
碳纳米管
热稳定性
分子动力学模拟 相似文献
4.
利用分子动力学模拟方法,研究了单壁碳纳米管与Au电极的高温熔接. 模拟结果表明,用端口吸附了Au团簇的碳纳米管在高温下能很好地与Au电极熔接. 首先将Au团簇放置于碳纳米管开口处进行高温退火,退火温度在1100 K左右,Au团簇部分Au原子进入碳纳米管管内,吸入碳纳米管中的Au原子形成壳层螺旋结构的Au纳米线,管外Au团簇呈无定形结构. 然后将吸附了Au团簇的碳纳米管与Au电极进行熔接,高温退火后,碳纳米管与Au电极表面之间形成了稳固的熔接,熔接最佳温度在800 K左右.
关键词:
碳纳米管
金电极
分子动力学模拟 相似文献
5.
利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究了镧铱硅(La-Ir-Si)体系四种异构体的电子结构与成键机理.通过对能带结构、态密度的系统分析,发现:La-Ir-Si体系的超导属性与该体系中过渡元素Ir-d态和Si-p态的p-d轨道耦合强度有关.为了定量描述p-d轨道耦合的强度,采用了分子中的原子方法,针对La-Ir-Si体系成键过程中的电荷迁移进行了定量的分析,结果表明,超导的转变温度与体系中Ir原子basin中的电荷量成近线性关系.
关键词:
La-Ir-Si
电子结构
超导属性
第一原理 相似文献
6.
Using the Stillinger-Weber(SW) potential model,we investigate the thermal stability of pristine silicon nanowires based on classical molecular dynamics(MD) simulations.We explore the structural evolutions and the Lindemann indices of silicon nanowires at different temperatures in order to unveil atomic-level melting behaviour of silicon nanowires.The simulation results show that silicon nanowires with surface reconstructions have higher thermal stability than those without surface reconstructions,and that silicon nanowires with perpendicular dimmer rows on the two(100) surfaces have somewhat higher thermal stability than nanowires with parallel dimmer rows on the two(100) surfaces.Furthermore,the melting temperature of silicon nanowires increases as their diameter increases and reaches a saturation value close to the melting temperature of bulk silicon.The value of the Lindemann index for melting silicon nanowires is 0.037. 相似文献
7.
8.
9.
In this paper,we quantitatively study the quantum diffusion in a bilateral doped chain,which is randomly doped on both sides.A tight binding approximation and quantum dynamics are used to calculate the three electronic characteristics:autocorrelation function C(t),the mean square displacement d(t) and the participation number P (E) in different doping situations.The results show that the quantum diffusion is more sensitive to the small ratio of doping than to the big one,there exists a critical doping ratio q 0,and C(t),d(t) and P (E) have different variation trends on different sides of q 0.For the self-doped chain,the doped atoms have tremendous influence on the central states of P (E),which causes the electronic states distributed in other energy bands to aggregate to the central band (E=0) and form quasi-mobility edges there.All of the doped systems experience an incomplete transition of metal-semiconductor-metal. 相似文献
10.
采用分子动力学模拟方法研究了graphene条带上生长硅纳米结构的过程,分析了不同温度下硅原子在graphene条带边沿生成的新型纳米结构.研究表明,随机分布的硅原子吸附到锯齿型graphene条带边沿在不同的温度T下可生成不同类型的硅纳米结构:300K≤T<2000K时形成无规则的团簇,2000K≤T≤2800K时形成单原子链结构,2800K<T<3900K时形成含缺陷的硅链结构,T≥3900K时硅原子逐渐替代条带边沿的碳原子直至graphene条带破坏.而硅原子吸附到扶手椅型graphene条带边沿在300K≤T<3000 K内仅能形成非链状的不定型的硅纳米结构.
关键词:
graphene
硅
纳米结构
分子动力学模拟 相似文献