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1.
报道了用半导体材料 Ga As实现氙灯抽运 Nd:YAG激光器的被动调 Q运转 ,测量了激光器的阈值、脉冲宽度和输出能量。从 Ga As的能级结构出发 ,理论上研究了 Ga As材料的饱和吸收原理 ,建立了调 Q激光器速率方程并给出了数值解 ,对理论结果与实验结果进行了比较和讨论。
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2.
采用氙灯泵浦,实现了掺钕氟磷酸锶晶体以Cr^4+:YAG作为被动调Q元件的1.059μm激光运转,测量了Cr^4+:YAG 同小爱过率及不同泵浦能量上激光单脉冲的输出能量、脉冲宽度、重复率,给出了Nd:S-FAP晶体Cr^4+:YAG调Q工作原理的方程组,数值求解该方程组得的理论结果与实验值相符。
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3.
采用氙灯抽运自倍频晶体Nd3 +∶Ca4GdO(BO3 ) 3 (简称Nd∶GdCOB) ,Cr4+∶YAG被动调Q ,实现了Nd∶GdCOB晶体被动调Q激光运转 ,测量了饱和吸收体Cr4+∶YAG不同小信号透过率下绿激光单脉冲的输出能量、脉冲宽度、重复率 ,给出了描述Nd∶GdCOB晶体调Q工作原理的耦合波方程组 ,数值求解了该方程组 ,所得的理论结果与实验值相符合
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