吸附于纳米磷化镓粉体表面碱性品红的拉曼光谱(英文)

本文中,对吸附于纳米磷化镓(GaP)粉体表面的碱性品红拉曼光谱进行了研究。通过将吸附碱性品红与纯碱性品红晶体样品的拉曼光谱进行对比、分析可知,碱性品红在纳米GaP粉体表面发生了化学吸附。在吸附碱性品红样品的拉曼光谱中,位于1200~1320cm-1范围内的光谱特征表明可能有新的化学键(P-O-C+或Ga-O-C+)形成。碱性品红分子的中央碳正离子(C+)与GaP表面具有孤对电子的氧原子形成配位键。红外光谱结果表明,氧原子与纳米GaP粉体表面的磷原子或镓原子键合,以P-O,Ga-O或P-O-Ga形式存在于GaP表面。碱性品红分子的呼吸振动,N-苯环伸缩振动,以及苯环C-C伸缩振动散射强度与纯碱性品红晶体样品相比皆有所增强。N-苯环伸缩振动散射强度增加意味着N原子是除C+离子以外的另一个可以与GaP表面发生化学作用的活性中心,这种化学作用是由N原子与GaP表面存在共轭效应造成的。     

结晶紫在纳米磷化镓粉体表面吸附的表面增强拉曼光谱分析

利用Raman光谱对结晶紫(Crystal Violet,CV)在纳米磷化镓(GaP)粉体表面的吸附状态进行了分析.结果表明:与普通拉曼散射谱(Normal Raman Scattering,NRS)相比,结晶紫表面增强拉曼散射(Surface Enhanced Raman Scattering,SERS)谱的4种振动模式,即:中央键的呼吸振动、环-C -环面外弯曲振动、环C-H面外弯曲振动以及N-环伸缩振动,在纳米GaP粉体表面得到增强;通过分析吸附前后结晶紫拉曼散射峰相对强度的变化,确定了结晶紫在纳米GaP粉体表面的吸附取向,并对其表面增强散射机理进行了探讨.     

纳米GaP粉体对结晶紫的光催化降解及其振动光谱分析

对纳米 Ga P粉体 -结晶紫水溶液光催化降解进行了研究。纳米 Ga P粉体在紫外光照射条件下对结晶紫具有光催化降解作用 ;随平均颗粒度的降低 ,纳米 Ga P粉体的光催化活性增加。红外光谱测试结果表明 :进行光催化过程以后 ,纳米 Ga P表面存在的几种主要振动模式变化较小或不变 ;拉曼光谱测试结果表明 :纳米 Ga P粉体的横向光学声子模与纵向光学声子模 ,以及表面主要振动模式几乎没有发生变化     

纳米磷化镓粉体中混杂石墨和金刚石微晶的拉曼光谱分析

利用Raman光谱并结合能量色散X射线显微分析(EDX)和X射线衍射图谱(XRD)对混杂于纳米磷化镓粉体内的石墨和金刚石纳米微晶进行了分析。结果表明,在纳米GaP粉体Raman光谱中,位于1324 cm-1和1572 cm-1的两个宽强散射谱带分别归属于金刚石的F2g模和石墨的E2g模振动。EDX结果证实纳米GaP粉体材料中含有碳元素。XRD图谱中出现了石墨和金刚石的低晶面指数衍射峰。     

含ZnO样本集晶格匹配和热匹配的模式识别分析

利用动态聚类分析、最小生成树、主成分分析等模式识别方法,对含ＺｎＯ半导体材料的样本集中各样本之间在３００Ｋ时的晶格匹配与热匹配程度进行了分析。结果表明：在３００Ｋ时,三种Ⅲ－Ⅴ族氮化物ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ与ＺｎＯ材料之间的晶格匹配和热匹配程序最好。由最小生成树以及主成分二维映射结果可知两类样本分区明显,分类效果良好,表明利用模式识别方法可对含ＺｎＯ样本集中各样本之间的晶格匹配和热匹配程度进行识别     

含ZnO样本集晶格匹配和热匹配的模式识别分析

利用动态聚类分析、最小生成树、主成分分析等模式识别方法，对含ZnO半导体材料的样本集中各样本之间在300 K时的晶格匹配与热匹配程度进行了分析。结果表明：在300 K时，三种Ⅲ-Ⅴ族氮化物AlN、GaN、InN与ZnO材料之间的晶格匹配和热匹配程度最好。由最小生成树以及主成分二维映射结果可知两类样本分区明显，分类效果良好，表明利用模式识别方法可对含ZnO样本集中各样本之间的晶格匹配和热匹配程度进行识别。     

纳米磷化镓粉体还原氮过程的Raman光谱分析

利用Raman光谱对还原氮后的纳米磷化镓(GaP)粉体进行了表征。结果表明:纳米GaP粉体表面含有Ga-O,P-O和H-O化学键。此外,进行氮还原过程后,在Raman位移约为1700~3300cm-1范围内(相当于709~800nm或1.55~1.75eV),纳米GaP的Raman光谱出现了一个宽、强荧光发射峰;而在未进行通氮处理的纳米GaPRaman光谱中,没有观察到该荧光峰的存在。本文对该荧光发射峰的起因作了初步分析。     

纳米磷化镓粉体还原氦过程的Raman光谱分析

利用Raman光谱对还原氮后的纳米磷化镓(GaP)粉体进行了表征。结果表明：纳米GaP粉体表面含有Ga-O，P-O和H-O化学键。此外，进行氮还原过程后，在Raman位移约为1700～3300cm^-1范围内(相当于709～800nm或1．55～1．75eV)，纳米GaP的Raman光谱出现了一个宽、强荧光发射峰；而在未进行通氮处理的纳米GaP Raman光谱中，没有观察到该荧光峰的存在。本文对该荧光发射峰的起因作了初步分析。     

利用纳米GaP固体材料的拉曼光谱计算其微结构参数

利用纳米GaP固体材料拉曼光谱的类横向光学模峰移(ΔωTO)对其均方根键角畸变(Δθ)和平均键畸变能(Uθ)进行了计算。计算结果表明:当成型压力增加时,纳米GaP固体材料的Δθ和Uθ均增加;而将纳米GaP固体材料在325℃进行1h热处理后,其Δθ和Uθ并没有明显的变化。     

4-(4-叔丁基苯氧基)-钒氧酞菁薄膜的拉曼散射及其表面形貌网络同步性

利用溶液浇铸法,将4-(4-叔丁基苯氧基)-钒氧酞菁(44VOPc)分别沉积在石英和纳米磷化镓(nano-GaP)薄膜表面,制备44VOPc薄膜和nano-GaP/44VOPc复合薄膜。拉曼光谱分析结果表明,在完全相同的光散射测试条件下,44VOPc薄膜的光散射强度普遍高于nano-GaP/44VOPc复合薄膜。应用复杂网络动力学理论,通过构建薄膜表面形貌复杂网络,对2种薄膜拉曼散射强度之间的差异进行对比分析。表面形貌复杂网络的节点可以视为分子的集合体,而每一个节点又可以作为一个振子。由复杂网络同步性原理可知,振子之间在耦合振动过程中的同步性越好,对应系统的拉曼散射强度越大。