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1.
对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索。 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索, 确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度, 蚀刻出符合要求的管坑阵列, 为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础。 The 3 D structures in silicon are increasingly coming to use in many fields. For example, the high resolution X ray digital imaging detector can be made by coupling CCD and the scintillating screen which is made by the array trenches filled with CsI(Tl). In the present work, we explored the technology of etching micro array on the n type silicon with high resistance. By studying the relative parameters of anisotropic etching of KOH and electro chemical etching of HF, the optimized concentration of HF was determined and the micro pore array trenches with 200 μm in depth were realized. The results establish an experimental base for further fabrication of the scintillating screen.  相似文献   
2.
实验采用300 keV的He2+辐照6H-SiC,辐照温度分别为室温,450,600和750 ℃,辐照剂量范围为1×1015–1×1017 cm-2,辐照完成后对样品进行拉曼散射和紫外可见透射光谱测试与研究. 这两种分析方法的实验结果表明,He离子辐照产生的缺陷以及缺陷的恢复与辐照剂量和辐照温度有着直接关系. 室温下辐照会使晶体出现非晶化,体现在拉曼特征峰消失,相对拉曼强度达到饱和(同时出现了较强的Si-Si峰);高温下辐照伴随着晶体缺陷的恢复过程,当氦泡未存在时,高温辐照很容易导致Frenkel对、缺陷团簇等缺陷恢复,当氦泡存在时,氦泡会抑制缺陷恢复,体现在相对拉曼强度和相对吸收系数曲线斜率的变化趋势上. 本文重点讨论了高温辐照情况下氦泡对缺陷聚集与恢复的影响,并与高温下硅离子辐照碳化硅结果进行了对比. 关键词: 6H-SiC 氦泡 拉曼散射光谱 紫外可见透射光谱  相似文献   
3.
通过25MeV/u86Kr离子辐照叠层结晶聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET),在不同的电子能损(3.407.25keV/nm)和离子注量(5×10113×1012ions/cm2)辐照条件下,对Kr离子在PET中引起的辐照损伤效应进行了研究。借助傅里叶变换红外光谱分析,通过对样品的红外吸收峰进行扣除基底后的Lorentz拟合,分析了与主要官能团对应的吸收峰强度的变化趋势,研究了化学结构与组分在重离子辐照下的变化规律;利用X射线衍射光谱仪测量,研究了Kr离子在PET潜径迹中引起的非晶化过程,并通过对吸光度和非晶化强度随离子注量的指数衰减规律的分析,获得了不同电子能损离子辐照PET时主要官能团的损伤截面和非晶化截面及对应的潜径迹半径。  相似文献   
4.
铁素体/马氏体钢,如T91钢和SIMP钢,被选为第4代铅冷快堆和加速器驱动系统(ADS)的主要候选结构材料.但容器钢与液态铅铋共晶(LBE)在高温下的相容性限制了它们的应用.铁素体/马氏体钢在600℃的LBE中腐蚀严重.为了保护铁素体/马氏体钢免受高温LBE腐蚀,在钢表面制备AlOx (x <1.5)涂层.本文采用磁控溅射法在T91钢和SIMP钢表面制备了AlOx涂层.对表面有涂层的T91钢和SIMP钢以及表面无涂层的T91钢和SIMP钢在600℃的饱和氧浓度的LBE中腐蚀300 h和700 h的结果进行比较.结果表明,涂层钢表面的氧化层比无涂层钢表面的氧化层薄,这表明AlOx涂层可以有效防止铁、铬和氧元素的快速扩散.然而,在LBE中腐蚀700 h后, AlOx涂层出现裂纹,表面有涂层的T91钢和SIMP钢均遭受到明显的氧化腐蚀,说明该涂层在600℃的LBE中可以在短时间内保护基体免受高温腐蚀.但是涂层在600℃的LBE中不能长时间保持稳定.这可能是由于此次实验条件制备的AlOx  相似文献   
5.
二氧化钛(Titatium Dioxide,简称TiO2)晶体在中能重离子辐照时表面会出现肿胀效应, 肿胀高度与入射离子的电子能损和辐照注量有关。 辐照后的TiO2在一定条件下能够被氢氟酸溶液化学蚀刻,化学蚀刻的电子能损阈值为8.2keV/nm,未辐照TiO2呈现几乎零蚀刻率。要达到饱和蚀刻深度,辐照离子的注量必须大于或等于1×1013ions/cm2。采用离子辐照的潜径迹理论分析研究了辐照损伤及对化学蚀刻的影响, 快重离子辐照结合化学蚀刻是制备TiO2微结构的有效方法。 There appears volume swelling on the surface of the irradiated rutile TiO2 crystal and the volume swelling is affected by the ion fluence and the electronic stopping power. To induce adequate irradiation damage for the chemical etching, the irradiation parameters must fulfill some requirement. There is minimum electronic stopping power for the chemical etching of the irradiated region in TiO2 crystal, which is about 8. 2 keV/nm. If the ion fluence is below 1×1013ions/cm2, the saturated etching depth of the irradiated region in TiO2crystal cannot be reached. The irradiation damage based on latent track formation frame and the theoretical linkage to the etching technique is investigated. It is hopeful to fabricate micro and nano scale structurce in rutile TiO2 crystal by using the ion irradiation and chemical etching technique.   相似文献   
6.
Ti_3AlC_2 samples are irradiated in advance by 3.5 MeV Fe-ion to the fluence of 1.0×10~(16) ion/cm~2,and then are implanted by 500 keV He-ion with the fluence of 1.0×10~(17) ion/cm~2 at room temperature.The irradiated samples are investigated by grazing incidence x-ray diffraction(GIXRD) and transmission electron microscopy(TEM).GIXRD results show serious structural distortion,but without amorphization in the irradiated samples.Fe-ion irradiation and He-ion implantation create much more serious structural distortion than single Fe-ion irradiation.TEM results reveal that there are a large number of defect clusters in the damage region,and dense spherical He bubbles appear in the He depositional region.It seems that the pre-damage does not influence the growth of He bubbles,but He-ion implantation influences the pre-created defect configurations.  相似文献   
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